• 한국정보통신학회논문지
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• 제11권1호
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• pp.7-13
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• 2007

본 논문은 Top-loading한 슬리브 모노폴에 4개의 Post 형태 기생소자를 추가함으로써, 기존의 상용 이동통신 시스템의 주파수를 하나로 통합 할 수 있는 소형이면서, 광대역 특성을 갖는 모노폴 안테나를 설계 및 제작하였다. 각 소자의 Parameter 변화에 따른 반사손실 특성을 관찰하였고, 제안된 안테나의 광대역 특성을 확인하기 위하여 PCS, W-CDMA, WiBro, W-LAN, S-DMB 대역에서의 복사 특성을 살펴보았다. 제안된 안테나는 수평면내 무지향성, 수직면내 8자형의 지향성을 가지며 $1.67{\sim}3.55\;GHz$ 주파수 대역($B/W{\fallingdotsep}72%$) 에서 Return loss$Return\;loss{\leq}-10\;dB$의 양호한 반사손실과 $1.14{\sim}3.66\;dBi$의 이득을 얻을 수 있었다.

• Journal of information and communication convergence engineering
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• 제3권3호
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• pp.137-141
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• 2005

The paper presents some methods to improve characteristics of film bulk acoustic resonator (FBAR) devices. The FBAR devices were fabricated on Bragg reflectors. Thermal treatments were done by sintering and/or annealing processes. The measurement showed a considerable improvement of return loss $(S_{11})$ and quality factor $(Q_{s/p}).$ These thermal treatment techniques seem very promising for enhancing FBAR resonance performance.

• Journal of information and communication convergence engineering
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• 제4권3호
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• pp.111-113
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• 2006

A new thin film deposition technique of piezoelectric ZnO film and its successful application for film bulk: acoustic resonator (FBAR) devices are presented. The two-step deposition used seems to be able to deposit ZnO film with a highly preferred orientation. The FBAR devices with the ZnO films show an excellent return loss of $35{\sim}50$ dB at $1.5{\sim}2$ GHz.

• 한국통신학회논문지
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• 제32권12A호
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• pp.1346-1353
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• 2007

본 논문에서는 필터함수의 감쇄극점(poles)과 반사손실(Return Loss)로부터 전송계수($S_{21}$)와 반사계수($S_{11}$)를 도출하고, 이 값들로부터 대역통과필터 설계를 위한 결합계수행렬 계산법을 제시하였다. 계산된 결합계수행렬에 유사변환을 적용하여서 결합계수행렬을 접힌 표준형 필터 구조의 커플링계수 행렬로 변환하였다. 그 결과를 이용하여 접힌 표준형 필터를 설계하였다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제20권2호
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• pp.107-114
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• 2009

본 논문에서는 저출력에서의 효율을 높이기 위한 전력 증폭기 시스템과 이 시스템에 필요한 재구성성이 있는 전력 분배기를 제안한다. 저출력에서의 효율을 높이게 되면, 무선 통신용 선형 전력 증폭기의 평균 효율을 높일 수 있다. 제안한 전력 분배기는 출력의 크기에 따라 고출력 모드와 저출력 모드로 동작한다. 각 모드에서 신호의 경로가 재구성되고 임피던스 정합도 이루어진다. 이러한 재구성성이 있는 전력 분배기는 두 개의 $\lambda/4$ 결합 선로(coupled line)와 두 개의 스위치로 구성된다. 제작된 전력 분배기는 중심주파수 0.9 GHz에서 고출력 모드일 때 반사손실($S_{11}$)과 삽입손실($S_{21}$)이 각각 -16.49 dB와 -0.83 dB, 저출력 모드일 때 반사 손실($S_{11}$)과 삽입손실($S_{31}$)이 각각 -16.28 dB와 -0.73 dB였다. 이 결과를 통해 각 모드에서 신호의 경로가 재구성되며 임피던스 정합이 이루어지는 것을 확인하였다.

• 한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집
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• 한국마이크로전자및패키징학회 2001년도 추계 기술심포지움
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• pp.124-128
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• 2001

We apply for the first time a low cost and loss wafer level packaging technology for RF-MEMS device. The proposed structure was simulated by finite element method (FEM) tool (HFSS of Ansoft). S-parameter measured of the package shows the return loss (S11) of 20dB and the insertion loss (S21) of 0.05dB.

• 전자공학회논문지A
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• 제33A권3호
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• pp.65-81
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• 1996

In this study forty-five X-bnd rectangular microstrip patch antennas fed by microstrip line using ${\lambda}$/4 transformer were fabricated on teflon substrates with low high permittivities and varous thickness (substrate thickness : 0.6 ~ 2.4 mm, permittivities : 2.15 ~ 10.0), and effects of permittivity and electrical thickness on antenna characteristics were studied with measured return loss (1/S$_{11}$) and resonant frequencies. When substrate electrical thickness was greater than 0.060 ${\lambda}_{0}$return loss was very good and genrally more than 20 dB, but resonance characteristics was somewhat unstable. The more than 0.088 ${\lambda}_{0}$ the thickness was, the more unstable it was. As a result, in the rest range except 12, 13 GHz we had very good mesured return loss iwth greater than 20 dB, and in the range 7 to 9 GHz resonant frequencies were within $\pm$2 % error, on ${\epsilon}_{r}$=5.0, height = 2.4 mm substrate.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2005년도 춘계종합학술대회
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• pp.376-380
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• 2005

The paper presents some methods to improve characteristics of film bulk acoustic resonator (FBAR) devices. The FBAR devices were fabricated on Bragg reflectors. Thermal treatments were done by sintering and/or annealing processes. The measurement showed a considerable improvement of return loss (S$_{11}$) and quality factor (Q$_{s/p}$). These thermal techniques seem very promising for enhancing FBAR resonance performance.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2005년도 추계종합학술대회
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• pp.311-315
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• 2005

In this paper, we emphasize the advantage of thermal annealing treatments for improvement characteristics of film bulk acoustic resonator (FBAR) devices. The FBAR devices were fabricated on multi-layer thin films, namely, Bragg reflectors. Sintering and/or annealing processes were applied in our experiments. The measurements confirm once again a considerable improvement of return loss $(S_{11})$ and quality factor $(Q_{s/p})$. these thermal treatment techniques are really promising for enhancing performance of FBAR resonators in industry fabrication of RF devices.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2007년도 춘계종합학술대회
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• pp.437-440
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• 2007

This paper presents the improvement of the resonance characteristics of film bulk acoustic-wave resonator (FBAR) devices fabricated on multilayer Bragg reflectors (BRs) based on inserting ultra-thin chromium (Cr) adhesion layers into BRs and post-annealing processes. The measurements show excellent improvement of return loss $(S_{11})$ and Q-factor by the combined use of Cr adhesion layers and thermal treatments particularly for 120 minutes at $200^{\circ}C$.