• 한국태양에너지학회 논문집
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• 제33권2호
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• pp.11-17
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• 2013

Silicon nitride($SiN_x:H$) deposited by radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition(RF-PECVD) is commonly used for anti-reflection coating and passivation in crystalline silicon solar cell fabrication. In this paper, characteristics of the deposited silicon nitride was studied with change of working pressure, deposition temperature, gas ratio of $NH_3$ and $SiH_4$, and RF power during deposition. The deposition rate, refractive index and effective lifetime were analyzed. The (100) p-type silicon wafers with one-side polished, $660-690{\mu}m$, and resistivity $1-10{\Omega}{\cdot}cm$ were used. As a result, when the working pressure increased, the deposition rate of SiNx was increased while the effective life time for the $SiN_x$-deposited wafer was decreased. The result regarding deposition temperature, gas ratio and RF power changes would be explained in detail below. In this paper, the optimized condition in silicon nitride deposition for silicon solar cell was obtained as 1.0 Torr for the working pressure, $400^{\circ}C$ for deposition temperature, 500 W for RF power and 0.88 for $NH_3/SiH_4$ gas ratio. The silicon nitride layer deposited in this condition showed the effective life time of > $1400{\mu}s$ and the surface recombination rate of 25 cm/s. The crystalline silicon solar cell fabricated with this SiNx coating showed 18.1% conversion efficiency.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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• pp.148-148
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• 2008

Low-k dielectric materials are an alternative plan to improve the signal propagation delay, crosstalk, dynamic power consumption due to resistance and parasitic capacitance generated the decrease of device size. Now, various materials is studied for the next generation. Diethoxymethlysiliane (DEMS) precursor using this study has two ethoxy groups along with one methyl group attached to the silicon atoms. SiCOH thin films were deposited on p-type Si(100) substrate by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) using DEMS. In this study, we studied the effect of oxygen($O_2$) flow rate for DEMS to characteristics of thin films. The characteristics of thin films deposited using DEMS and $O_2$ evaluated through refractive index, dielectric constant(k), surface roughness, I-V(MIM:Al / SiCOH / Ag), C-V(MIM), deposition rate.

• Current Optics and Photonics
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• 제7권3호
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• pp.263-272
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• 2023

A collimator refers to an optical system that images a collimated beam at a desired point. A resolution target located at a near distance can be converted into a virtual image located at a long distance. To test the resolution for mobile cameras, a large target is placed at a long distance. If a collimator system is used, the target can be placed at a near distance. The space required for a resolution inspection can thus be drastically reduced. However, to inspect a mobile camera, the exit pupil of the collimator system and the entrance pupil of the mobile camera must match, and the stop of the collimator system must be located on the last surface. Because a collimator system cannot be symmetrical with respect to the stop, the distortion becomes extremely large, which can be corrected by combining the collimator symmetrically with respect to the object plane. A novel system was designed to inspect an optical lens on a mobile phone. After arranging the refractive power, lenses were added using the equivalent lens design method. The distortion was reduced to less than 1%. This optical system satisfies a half-field angle of 45° and an optical performance sufficient for inspection.

• 한국안광학회지
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• 제9권2호
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• pp.397-415
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• 2004

본 연구는 시력보정용 안경렌즈와 관련된 KS규격과 ISO, JIS 및 ANSI 규격을 비교하고 시중에 유통되고 있는 안경렌즈를 각 규격에 합당한지 여부를 판단하여 현 KS규격의 문제점과 개선책을 검토하였다. KS규격은 ISO규격을 대응으로 하고 있고 단초점과 다초점 및 누진을 통합한 규격인 ANSI 규격의 구조를 가지나 용어의 정의와 누진렌즈에 관한 내용이 없다. 검사항목은 ISO규격에 준하고 있지만 ANSI 규격과 비교시 광학적 요건이나 기하학적 요건이 없는 사항도 있었다. 유통되고 있는 안경렌즈의 주요 항목 평가에서 굴절력, 렌즈의 치수, 외관 및 품질 등에 관한 것은 명시된 것과 큰 차이점은 없었으나 렌즈의 두께나 베이스 커브 및 가시광선 또는 자외선의 투과율에 관한 기준이 없고 제품 간의 차이가 있어 이에 대한 기준이 필요하다.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제12권6호
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• pp.1019-1026
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• 2017

$HfO_2$ 박막은 공정압력을 조정함으로써 박막의 질을 향상시켜 그 구조적 특성을 개선시킬 수 있다. 본 연구에서는 RF 마그네트론 스퍼터링 방법을 이용하여 유리 기판 위에 $HfO_2$ 박막을 증착하였으며, 이때의 기저 진공 압력은 $4.5{\times}10^{-6}Pa$ 이하였으며 RF 파워는 100 W, 기판의 온도는 $300^{\circ}C$ 이었다. 해당 박막 증착 공정의 공정 압력은 1 mTorr 에서 15 mTorr 로 변화되었다. 그 후, 해당 박막의 구조적 및 광학적 특성들을 조사하였다. 특히, 1 mTorr 의 공정 압력으로 증착된 $HfO_2$ 박막이 다른 박막들과 비교하여 가장 우수한 특성을 가진 것으로 나타났으며, 이때의 결정립의 크기는 10.27 nm, 표면 거칠기는 1.173 nm, 550 nm 파장에서의 굴절률은 2.0937, 그리고 550 nm 파장에서의 투과율은 84.85 % 의 우수한 특성을 나타내었다. 이러한 결과들을 통해 1 mTorr 의 공정 압력으로 증착된 $HfO_2$ 박막은 투명 전자 소자에 적용하기에 적합함을 알 수 있다.

• 한국정보컨버전스학회논문지
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• 제6권1호
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• pp.37-41
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• 2013

본 연구에서는 Oculus Pentacam을 사용하여 20대~40대의 각막 전, 후면 곡률반경 및 각막 난시도의 상호관계를 분석하여 다음과 같은 결과를 얻었다. 전체 대상자의 각막전면 수평곡률반경의 평균값은 남자 7.94mm(${\pm}0.22$), 여자 7.87mm(${\pm}0.21$)이었고 수직곡률반경은 남자 7.69mm(${\pm}0.27$), 여자 7.63mm(${\pm}0.23$)로 나타났고, 각막후면 곡률반경은 수평의 경우 남자가 6.55mm(${\pm}0.22$), 여자가 6.52mm(${\pm}0.23$), 수직의 경우 남자 6.06mm(${\pm}0.24$), 여자 6.08mm(${\pm}0.24$)로 나타났다. 각막전면과 각막후면의 곡률반경 상관관계를 분석해 본 결과 유의한 상관관계가 있는 것으로 나타났다. 본 연구에서 나타난 결과는 각막 전후면 곡률반경, 굴절력, 난시도 등에서 지금까지 보고된 여러 논문들과 유사한 결과를 얻었으나 각막두께에서는 지금까지 보고된 다른 논문에 비해 각막두께가 두껍게 나타났다.

• 문화기술의 융합
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• 제6권4호
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• pp.727-732
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• 2020

본 연구에서는 1.55um의 파장을 갖는 DFB 레이저에서 굴절률 격자와 이득 격자가 동시에 존재할 때, 오른쪽 거울 면에 반사가 일어나지 않도록 유전막 코팅을 하여 𝜌_r=0 이 되도록 하였다. δL > 0인 경우일 때, 문턱에서 발진 모드에 대하여, 발진 이득과 종 방향으로의 발진 모드의 빔 분포와 방사전력비 P_l/P_r를 𝜌_l의 위상=π인 경우와 𝜌_l의 위상=π/2인 경우에 대하여 비교했다. 𝜌_l의 위상=π인 경우, 낮은 문턱 전류와 높은 주파수 안정성을 얻기 위해서는, κL이 8보다 커야 한다. 𝜌_l의 위상=π/2인 경우, κL = 4보다 커지면서 𝜌_l의 위상=π인 경우보다 발진 이득이 낮아지기 시작함을 볼 수 있고, 발진 모드의 문턱 전류를 낮추고 주파수 안정성을 높이기 위해서는, κL이 8보다 커야한다.

• 한국진공학회지
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• 제9권4호
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• pp.341-345
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• 2000

p형 Si (100)기판 위에 reactive DC magnetron sputtering으로 증착한 $ZrO_2$박막에 대하여 증착 조건과 열처리 조건에 따른 미세구조의 변화 및 전기적 특성 변화를 관찰하였다. 증착 및 열처리 온도가 증가하고 power 증가할수록 $ZrO_2$의 굴절율은 증가되어 이상적인 2.0~2.2에 근접하였다. 상온에서 증착된 $ZrO_2$ 박막은 비정질이며 $300^{\circ}C$에서 증착한 경우 $ZrO_2$박막은 다결정이었다. 산소 분위기에서 열처리를 수행한 박막의 RMS 값은 증착직후보다 높아지고 계면 산화막은 산소의 확산에 의해 두께가 증가하였다. A1/$ZrO_2$/p-type Si(100)의 C-V과 I-V 특성을 관찰하였고, 그 결과 산소분위기에서 열처리하는 경우 계면 산화막의 두께증가로 Cmax 및 누설전류가 감소함을 알 수 있었다.

• 문화기술의 융합
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• 제6권3호
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• pp.419-425
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• 2020

본 연구에서는 무반사 코팅을 하지 않은, 두 개의 거울 면을 갖는 1.55um 파장용 DFB(Distributed Feedback) 레이저에서 굴절률 격자와 이득 격자가 동시에 존재할 때, 해석 프로그램을 개발하여 종 방향으로 발진 모드의 빔 분포를 해석하였다. 굴절률 격자와 이득 격자가 거울 면에서 갖는 위상 값의 변화에 따라서, δL<0인 경우에 대하여, DFB 레이저의 발진 모드에 대한 발진 이득, 빔 분포 |R(z)|와 |S(z)|, 그리고 방사전력비 P_l/P_r를 비교 분석하였다. 거울 면에서의 격자 위상 값에 관계없이 발진 모드의 문턱 전류를 낮추고 주파수 안정성을 높이기 위해서는, κL이 8보다 커야한다.

• 한국광학회지
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• 제14권6호
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• pp.669-673
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• 2003

본 연구에서는 기존의 ridge waveguide laser diode(RWG LD)보다 ridge폭에 따른 측방향 단일모드 특성이 우수하고 planar 화에 유리하며 측방향의 유효 굴절률차를 ridge 구조에 추가로 성장된 InGaAsP층의 두께로 조절이 가능한 Buried RWG LD를제작하였다. 본 연구에서는 Buried RWG LD를 CBE장치로 InGaAs/InGaAsP multiple quantum well(MQW) 에피 웨이퍼를 성장하고, LPE로 재성장하여 B-RWG LD를 제작하였다. 또한 ridge 폭을 5 $\mu\textrm{m}$와 7 $\mu\textrm{m}$로 하여 B-RWG LD를 제작하고 특성을 비교하여 보았다. 제작된 7 $\mu\textrm{m}$ B-RWG LD에서 광출력이 20㎽에 이를 때까지 고차모드 발진에 의한 kink현상이 일어나지 않았으며, 포화 광출력이 80 ㎽ 이상임을 확인하였다. 제작된 B-RWG LD가 측방향 단일모드로 동작함을 확인하기 위해 FFP을 측정한 결과, ridge 폭이 5 $\mu\textrm{m}$일 때는 2.7I$_{th}$ , ridge 폭이 7 $\mu\textrm{m}$일 때는 2.4I$_{th}$ 까지 단일모드로 동작함을 확인할 수 있다.