• 대한화학회지
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• 제22권3호
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• pp.150-157
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• 1978

N-(p-nitrophenyl)-benzohydrazonyl azide (p-$CH_3,\;p-CH_3O,\;p-NO_2$, p-Cl, p-Br) 유도체들의 가수분해 반응 속도상수를 $25^{\cicr}C$의 50% dioxane 수용액속에서 자외선 분광광도법으로 측정하여 넓은 pH 범위에서 잘맞는 반응속도식을 구하였다. 위 반응속도식과 가수분해 반응속도에 미치는 치환기 효과를 검토하기 위하여 Hammet의 식에 도시한 결과 pH 5.0 이하에서는 $\rho$ = -0.47을, pH 7.0 이상에서는 $\rho$ = 0.68을 얻었다. 또한 반응속도에 미치는 염의 효과, 용매효과, 그리고 azide ion 효과로부터 이 가수분해 반응은 pH 5.0 이하에서는 $S_N1$ 반응, pH 7.0 이상에서는 hydrazonyl azide에 hydroxide 이온이 직접 반응하는 $S_N2$ 반응이 일어나며 pH 5.0와 pH 7.0 사이에서는 이 두반응이 서로 경쟁적으로 반응함을 알 수 있었다.

• 한국재료학회지
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• 제11권4호
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• pp.312-318
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• 2001

다발체 형성과 인발 공정으로 제조된 Cu-Nb 필라멘트 미세복합재료의 기계적 전기적 특성에 대하여 연구하였다. Nb의 함량이 증가함에 따라 강도는 점차 증가하였으나 연성은 Nb의 함량에 무관하였다. 293K와 75K에서의 항복강도의 비율은 Cu-Nb 미세복합재료의 Young의 계수 비율과 비슷하게 관찰되었다. 이러한 사실은 주로 장범위 방해물(athermal obstacles)들이 Cu-Nb 마세복합재료의 강도에 영향을 미친다는 것을 의미한다. 파면 조직관찰 결과는 Cu-Nb 미세복합재료는 Nb의 함량에 판관계없이 연성파괴의 특성을 나타내었으며, 부전선재 (subelematal wires)사이의 계면을 따라 발생하는 2차크랙 (secondary crack) 의 양은 Nb 함량이 증가함에 따라 증가하였다. 전기 전도도와 비저항비 (${\rho}_{293k}/{rho}_{75k}$)는 Nb 함량이 증가할수록 감소하였다. 이와 같은 Nb함량에 따른 전기전도도와 비저항비의 감소는 계면산란의 기여도가 증가하였기 때문이다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집 Vol.14 No.1
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• pp.197-200
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• 2001

In this letter, we report on the investigation of Ni/Si/Ni Ohmic contacts to n-type 4H-SiC. Ohmic contacts have been formed by a vacuum annealing and $N_2$ gas ambient annealing method at $950^{\circ}C$ for 10 min. The specific contact resistivity ( $\rho_{c}$ ), sheet resistance($R_s$), contact resistance($R_c$), transfer length($L_T$) were calculated from resistance($R_T$) versus contact spacing(d) measurements obtained from 10 TLM(transmission line method) structures. The resulting average values of vacuum annealing sample were $\rho_{c}=3.8{\times}10^{-5}\Omega cm^{3}$, $R_{c}=4.9{\Omega}$, $R_{T}=9.8{\Omega}$ and $L_{T}=15.5{\mu}m$, resulting average values of another sample were $\rho_{c}=2.29{\times}10^{-4}\Omega cm^{3}$, $R_{c}=12.9{\Omega}$ and $R_{T}=25.8{\Omega}$. The physical properties of contacts were examined using X-Ray Diffraction and Auger analysis, there was a uniform intermixing of the Si and Ni, migration of Ni into the SiC.

• 한국도로학회논문집
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• 제12권2호
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• pp.43-49
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• 2010

본 연구는 청주시의 가로구간 교통사고를 다루고 있다. 연구의 목적은 가로구간의 사고모형을 개발하는 데 있다. 이를 위해서 이 연구에서는 전체 322개 세부구간으로 분리된 간선도로의 사고 자료를 이용하여 ZAM 모형을 개발하는데 중점을 두고 있다. ZAM 모형의 일종인 ZIP(zero inflated Poisson model)과 ZINB(zero inflated negative binomial model)를 중심으로 분석한 연구의 주요결과는 다음과 같다. 첫째, 모형의 적합성을 결정하는 Vuong 통계 값과 과분산계수 ${\alpha}$의 t 통계 값을 바탕으로 개발된 다양한 모형을 평가한 결과, 포아송, 음이항, ZIP 및 ZINB 회귀모형 중 ZINB 모형이 최적인 것으로 나타난다. 둘째, ZINB 모형은 t, ${\rho}$ 및 ${\rho}^2$값 (0.63)의 관점에서 보면, 다른 모형에 비해서 통계적으로 매우 의미 있는 모형으로 평가된다. 마지막으로, 개발된 ZINB 모형의 사고 요인은 교통량, 진출입구 수 그리고 중앙분리대 길이로 분석된다. 교통량과 진출입구 수는 사고발생에 '+'요인, 그리고 중앙분리대 길이는 '-'요인으로 평가된다.

• Progress in Superconductivity
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• 제7권2호
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• pp.103-108
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• 2006

We have measured the Hall resistivity (${\rho}_{xy}$) and the longitudinal resistivity (${\rho}_{xy}$) on superconducting $MgB_2$ thin films in extended fields up to 18 T. We found a universal scaling behavior between the Hall resistivity and the longitudinal resistivity, which is independent of the temperature and the magnetic field. At a wide magnetic field region from 1 to 18T, a universal power law of ${\beta}=2.0{\pm}0.1$ in a scaling relation, ${\rho}_{xy}={A{\rho}_{xx}}^{\beta}$, was observed in c-axis-oriented $MgB_2$ thin films. These results can be well interpreted by using recent models.

• 한국방사선학회논문지
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• 제9권6호
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• pp.375-379
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• 2015

이 연구의 목적은 다종에너지 X선 빔의 유효에너지를 결정하는데 있다. 80 kVp X선 빔에 대한 알루미늄의 반가층은 광자극형광나노닷선량계들(OSLnDs)을 사용하여 측정하였다. 선감쇠계수(${\mu}$)는 측정된 반가층을 사용하여 계산하였다. 그리고 질량감쇠계수(${\mu}/{\rho}$)는 알루미늄의 밀도로 선감쇠계수를 나누어 얻었다. 얻어진 질량감쇠계수의 유효에너지($E_{eff}$)는 미국표준기술연구소(NIST)에서 주어진 알루미늄의 광자에너지들에 대한 X선질량감쇠계수들의 자료를 사용하여 결정하였다. 결과로서, 반가층, 선감쇠계수 및 질량감쇠계수는 각각 2.262 mmAl, $3.06cm^{-1}$, $1.114cm^2/g$이다. 그리고 유효에너지는 29.79 keV에서 결정되었다.

• Biomolecules & Therapeutics
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• 제26권2호
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• pp.139-145
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• 2018

The present study was undertaken to investigate the influence of hypothermia on endothelium-independent vascular smooth muscle contractility and to determine the mechanism underlying the relaxation. Denuded aortic rings from male rats were used and isometric contractions were recorded and combined with molecular experiments. Hypothermia significantly inhibited fluoride-, thromboxane $A_{2-}$, phenylephrine-, and phorbol ester-induced vascular contractions regardless of endothelial nitric oxide synthesis, suggesting that another pathway had a direct effect on vascular smooth muscle. Hypothermia significantly inhibited the fluoride-induced increase in pMYPT1 level and phorbol ester-induced increase in pERK1/2 level, suggesting inhibition of Rho-kinase and MEK activity and subsequent phosphorylation of MYPT1 and ERK1/2. These results suggest that the relaxing effect of moderate hypothermia on agonist-induced vascular contraction regardless of endothelial function involves inhibition of Rho-kinase and MEK activities.

• 한국전자파학회논문지
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• 제10권2호
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• pp.157-168
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• 1999

본 논문에서는 이동 무선 시스템 설계시 중요한 채널 할당에 대한 TFS(Time-Frequency Slice)할당 방법 을 제시하였다. 시간-주파수-코드영역을 슬라이스화 하고 요구할당 다중접속(DAMA) 스케줄러를 이용하여 채널을 할당하는 경우 TA (Traditional Assignment) 방식에 비해서 호 차단 확률을 낮추게 된다. 통화량 부 하 $\rho$=0.8이고 요구되는 호 차단 확률이 2%일 때 TA (Traditional Assignment)방식에서는 사용자들에게 11 개의 슬라이스를 할당할 수 있지만. TFS방식에서는 36개의 슬라이스를 할당할 수 있다. 통화량 부하 $\rho$=0.9 일 때 TA방식에서 1%의 호 차단 확률을 기준으로 13개 이상의 슬라이스를 할당할 수 없지만, TFS(TimeF Frequency-Code sliced)방식에서는 40개의 슬라이스를 할당함으로써 TA방식보다 3.07배 향상되었다. 이러한 T TFS방식은 다중속도 사용자들이 많은 시스템구현에 적합한 방법이다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제9권9호
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• pp.885-890
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• 1996

Undoped p-type and Te doped n-type GaSb crystals were grown by the vertical Bridgman method. The lattice constant of the GaSb crystals was 6.096.+-.000373.angs.. The carrier concentration, the resistivity, and the carrier mobility measured by the van der Pauw method were p.iden.8*10$^{16}$ c $m^{-3}$ , .rho..iden.0.20 .ohm.-cm, .mu.$_{p}$ .iden.400c $m^{2}$ $V^{-1}$ se $c^{-1}$ for p-type, n.iden.1*10$^{17}$ c $m^{-3}$ , .rho..iden.0.15 .ohm.-cm, .mu.$_{n}$ .iden.500c $m^{2}$ $V^{-1}$ se $c^{-1}$ for n-type at 300K. In case of treatment with metal ion of R $u^{+3}$, P $t^{+4}$, the carrier concentration, resistivity and carrier mobility of the GaSb crystals were p.iden.2*10$^{17}$ c $m^{-3}$ , .rho..iden.0.08.ohm.-cm, .mu.$_{p}$ .iden.420c $m^{2}$ $V^{-1}$ se $c^{-1}$ for p-type, n.iden.2.5*10$^{17}$ c $m^{-3}$ , .rho..iden.0.07.ohm.-cm, .mu.$_{n}$ .iden.520c $m^{2}$ $V^{-1}$ se $c^{-1}$ for n-type respectively. GaSb crystals had a tendency to lower resistivity and higher mobility, for surface treatment with metal ion effectively diminished surface recombination centers.s.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.458-458
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• 2013

We investigated a study on the thermal degradation of boron doped zinc-oxide (BZO) layer which used as a transparent conducting layer on the Cu (In1-xGax) Se2 (CIGS) based thin film solar cells. Devices were annealed under the temperature of $100^{\circ}C$ or 100 hours and then Hall measurement was carried out to characterize the parameters of mobility (${\mu}Hall$), resistivity (${\rho}$), conductivity (${\sigma}$) and sheet resistance (Rsh). The initial values of ${\mu}Hall$, ${\rho}$, ${\sigma}$ and Rsh were $29.3cm^2$/$V{\cdot}s$, $2.1{\times}10^{-3}{\Omega}{\cdot}cm$, $476.4{\Omega}^{-1}{\cdot}cm^{-1}$ and $19.1{\Omega}$/${\Box}$ respectively. After the annealing process, the values were $4.5cm^2$/$V{\cdot}s$, $12.8{\times}10^{-3}{\Omega}{\cdot}cm$, $77.9{\Omega}^{-1}{\cdot}cm^{-1}$ and $116.6{\Omega}$/${\Box}$ respectively. We observed that ${\mu}Hall$ and ${\sigma}$ were decreased, and ${\rho}$ and Rsh were increased. In this study, BZO layer plays an important role of conducting path for electrons generated by incident light onthe CIGS absorption layer. Therefore, the degradation of BZO layer characterized by the parameters of ${\mu}Hall$, ${\rho}$, ${\sigma}$ and Rsh, affect to the cell efficiency.