• Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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• 제35권4호
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• pp.483-490
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• 2011

본 논문에서는 주기적 접지구조(PAGS)를 이용하여 실리콘 RFIC 반도체 기판상에 다단 임피던 스변환기를 제작 평가하였다. 제작된 임피던스변환기의 면적은 종래의 약 8.7 %인 0.026 $mm^2$이며, 8 ~ 49.5 GHz의 범위에서 양호한 RF특성을 보여주었다.

• Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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• 제33권4호
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• pp.562-568
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• 2009

In this paper, using the periodic ground structure (PGS), highly miniaturized branch-line coupler and impedance transformer were realized on Si radio frequency integrated circuit (RFIC). The branch-line couple exhibited good RF performance from 41.75 to 50 GHz, and its size was $0.46{\times}0.55mm^2$, which is 37 % of conventional one. The impedance transformer exhibited good RF performance from 1 to 40GHz, and its size was $0.01mm^2$, which is 6.99 % of conventional one.

• Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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• 제39권1호
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• pp.45-51
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• 2015

본 논문에서는 실리콘 RFIC 상에서 무선 통신 시스템의 소형화에의 응용을 위하여 마이크로스트립/코프레너 복합구조를 가지는 단파장 박막필름 전송선로의 RF특성에 관하여 연구하였다. 마이크로스트립/코프레너 복합구조를 가지는 박막필름 전송선로의 파장은 종래의 코프레너 선로에 비하여 단파장특성을 보여주고 있으며, 특히 10 GHz에서 파장이 6.26 mm로 종래의 코프레너 선로의 60.5 %이다. 또한 본 논문에서는 마이크로스트립/코프레너 복합구조를 가지는 박막필름 전송선로의 등가회로와 대역폭에 관하여 연구를 진행하였다. 등가회로는 단위 셀로 나타냈으며, 상기 등가회로의 각 소자들은 closed-form 수식을 통하여 이론적으로 계산하였다. 측정 결과 0 ~ 30 GHz 범위에서 계산수치와 측정수치가 유사하게 나온 것을 확인 할 수 있었다. 대역폭 계산결과 마이크로스트립/코프레너 복합구조를 가지는 박막필름 전송선로는 차단주파수가 377 GHz 이상의 광대역 특성을 보여주고 있다. 상기 결과들로부터 본 논문에서 제안한 전송선로를 이용하여 광대역 및 초소형 RF 수동소자로써 유용하게 사용될 수 있다는 것을 알 수 있었다.

• 한국마린엔지니어링학회:학술대회논문집
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• 한국마린엔지니어링학회 2005년도 전기학술대회논문집
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• pp.401-405
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• 2005

This paper proposed a miniaturization passive element employing the multiple microstrip line. As a result of this method, we realized the transmission line miniaturized. The applying structure designed and evaluated a power divider on GaAS MMIC circuit. It draws a plan in a center Frequency as the observation could do good characteristic.

• 정보와 통신
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• 제17권12호
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• pp.74-81
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• 2000

• 전자공학회논문지
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• 제50권5호
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• pp.128-133
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• 2013

본 논문에서는 RFIC 설계에 응용 가능한 인덕터의 Quality factor 및 Effective inductance를 비교 분석하기 위해 Octagonal 인덕터를 90nm CMOS 공정을 이용하여 제작하였다. 내부반경을 설계변수로 갖는 인덕터의 경우 내부반경이 증가함에 따라 Quality factor가 감소하고 Effective inductance의 값이 증가하였다. 회전수를 설계변수로 갖는 인덕터의 경우 금속의 회전수가 증가함에 따라 Quality factor의 값이 감소하고 Effective inductance의 값이 증가하는 것을 확인하였다. 따라서 RFIC 회로 설계에 있어서 인덕터의 구조는 Q-factor 및 inductance 각각의 상대적 중요도에 따라 선택 되어져야 된다고 할 수 있다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제22권2호
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• pp.199-207
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• 2011

0.25 um SiGe BiCMOS 공정을 이용하여 Ku-대역 저잡음 증폭기가 설계 및 제작되었다. 개발된 Ku-대역 저잡음 증폭기는 BiCMOS 공정의 HBT 소자를 이용하여 설계되었으며, 9~14 GHz 대역에서 2.05 dB 이하의 잡음 지수 특성과 19 dB 이상의 이득 특성을 가지고 있다. 제조 공정과 관련되어 제공된 PDK의 부정확성 및 부족한 인덕터 라이브러리를 보완하기 위하여 p-tap 값 최적화와 인덕터의 EM 시뮬레이션 기법 등을 활용하였다. 총 2회의 제작 공정을 수행하였으며, 최종 제작된 Ku-대역 저잡음 증폭기는 $0.65\;mm{\times}0.55\;mm$의 크기로 구현되었다. 특히 최종 제작된 저잡음 증폭기의 레이아웃에서 입/출력 RF Pad와 Bias Pad 등을 제외하고 약 $0.4\;mm{\times}0.4\;mm$ 정도의 크기를 갖도록 조정되어 다기능 RFIC의 증폭단으로 활용되었다.

• 전자공학회논문지
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• 제49권9호
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• pp.145-154
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• 2012

본 논문에서는 새로운 해석을 통해서 RFIC에서 사용하는 범용 I/Q 부정합 보상기를 사용하여 다중 접합 기반 수신기에서 I 채널과 Q 채널 정보 신호를 생성할 수 있음을 증명한다. 이 증명으로 다중 접합 기반 수신기를 기존의 RFIC 기반 시스템에 추가적인 디지털 신호 처리 기능 없이 집적할 수 있다. 이 논문에서는 다중 접합기의 I/Q 재생성 파라미터의 정확도와 I/Q 부정합 사이의 관계를 분석하고, 추정 결과와 모의 실험 결과가 거의 일치함을 보인다.

• 한국전자파학회:학술대회논문집
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• 한국전자파학회 2003년도 종합학술발표회 논문집 Vol.13 No.1
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• pp.155-159
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• 2003

This paper presents fully integrated 5 GHz band low phase noise LC tank VCO. The implemented VCO is tuned by integrated PN diode and tuning rage is $5.01{\sim}5.30$ GHz under $0{\sim}3 V$ control voltage. For good phase noise performance, LC filtering technique, common in Si CMOS process, is used, and to prevent degradation of phase noise performance by collector shot-noise and to reduce power dissipation the HBT is biased at low collector current density bias point. The measured phase noise is -87.8 dBc/Hz at 100 kHz offset frequency and -111.4 dBc/Hz at 1 MHz offset frequency which is good performance. Moreover phase noise is improved by roughly 5 dEc by LC filter. It is the first experimental result in InGaP/GaAs HBT process. The figure of merit of the fabricated VCO with LC filter is -172.1 dBc/Hz. It is the best result among 5 GHz InGaP HBT VCOs. Moreover this work shows lower DC power consumption, higher output power and more fixed output power compared with previous 4, 5 GHz band InGaP HBT VCOs.

• Journal of Electrical Engineering and Technology
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• 제3권4호
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• pp.566-570
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• 2008

Vertical nanowire SGFETs(Surrounding Gate Field Effect Transistors) provide full gate control over the channel to eliminate short channel effects. This paper presents design and characterization of a differential pair amplifier using NMOS and PMOS SGFETs with a 10nm channel length and a 2nm channel radius. The amplifier dissipates $5{\mu}W$ power and provides 5THz bandwidth with a voltage gain of 16, a linear output voltage swing of 0.5V, and a distortion better than 3% from a 1.8V power supply and a 20aF capacitive load. The 2nd and 3rd order harmonic distortions of the amplifier are -40dBm and -52dBm, respectively, and the 3rd order intermodulation is -24dBm for a two-tone input signal with 10mV amplitude and 10GHz frequency spacing. All these parameters indicate that vertical nanowire surrounding gate transistors are promising candidates for the next generation high speed analog and VLSI technologies.