• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.2
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• pp.1176-1179
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• 2003

Low-Pressure inductively coupled RF discharge sources have important industrial applications mainly because they can provide a high-density electrodeless plasma source with low ion energy and low power loss. In an inductive discharge, the RF power is coupled to the plasma by an electromagnetic interaction with the current flowing in a coil. In this paper, the experiments have been focussed on the electric characteristic and carried out using a single Langmuir probe. The internal electric characteristics of inductively coupled Ar RF discharge at 13.56 [MHz] have been measured over a wide range of power at gas pressure ranging from $1{\sim}70$ [mTorr].

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.257-257
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• 2011

The amorphous indium-gallium-zinc-oxide (a-IGZO) materials for use in high performance display research fields are strongly investigated due to its good performance, such as high mobility and better transparency. However, the stability of a-IGZO materials is increasingly becoming one of critical issues due to the sub-gap electron trap sites induced by rough interfaces during deposition processing. It is well-known that the threshold voltage shift is related to interface roughness and oxygen vacancy formed by breaking weak chemical bonds. Here, we report the better properties of transparent oxide transistors by reducing the threshold voltage shift with an external rf plasma supported magnetron sputtering system. Mainly, our sputtering method causes the surface of sample to be sleek, so that it prevents the formation of various defects, such as shallow electron trap sites in the interface. External rf power was applied from 0 to 50W during RF sputtering process to enhance the stability of our oxide transistor without having a large voltage shift. To observe the effects of external rf-plasma source on the properties of our devices, Scanning Electron Microscopy (SEM), Atomic Force Microscopy (AFM), Transmission Electron Microscopy (TEM) are carried out to observe surface roughness and morphology of sputtered thin film. In addition, typical electrical properties, such as I-V characteristics are analyzed.

• 열처리공학회지
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• 제13권2호
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• pp.91-97
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• 2000

The structure and mechanical properties of TiN and TiCN thin films deposited on STD61 steel substrates by the RF-sputtering methods has been studied by using XPS, XRD, micro-hardness tester, scratch tester, and wear-resistance tester. XPS results showed that the TiCN thin film formed with chemical bonding state. The TiN thin films grew with (111) orientation having the lowest strain energy by compressive stress, whereas the TiCN thin films grew with both (111) and (200) orientation, but (200) orientation having the lowest surface energy becomes dominant as carbon contents increase. The pre-etching treatment of substrate did not affect on the preferred orientation of thin films, but it played an important role in improving mechanical properties of thin films such as the hardness, adhesion and wear- resistance. Especially, the TiCN thin films showed the superior wear resistances due to high hardness and low friction coefficient compared with TiN thin films.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제25권11호
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• pp.103-112
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• 2011

This paper is tried to analysis the optical emission spectroscopy related to the position of inductive load coil and flow rates of methane and oxygen in the RF inductive plasma process. According to the position of load coil, peak of $H_{\alpha}$, $H_{\beta}$, and CH were appeared strongly at the middle position of the coil and it decreased both direction. The electron temperature was approximately 0.9[eV] at that position. Emission intensities of $H_{\alpha}$, $H_{\beta}$, and CH increased linearly by increasing input power. In addition, intensities of $H_{\alpha}$ and $H_{\beta}$ increased by increasing the flow rate of oxygen. It might be ascribed that the oxygen species were bonded with $C_nH_m$ by suppressing the combination with hydrogen atoms. Consequently, the optimal position of the inductive coil is decided to the intermediate position between 4th and 5th turns, the wanted carbon thin-film is possible to deposit by controlling flow rates of methane and oxygen.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제19권3호
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• pp.699-706
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• 2018

플라즈마 고분자의 영구기체(He, $H_2$, $O_2$, $N_2$, $CH_4$) 및 응축성 증기($CO_2$, $C_2H_4$, $C_3H_8$)에 대한 투과 특성을 조사하였다. 플라즈마 고분자는 마이크로파 방전과 라디오파 방전을 이용하여 제조하였으며 플라즈마 중합의 단량체(monomer)로는 hexamethyldisiloxane(HMDS)을 사용하였다. 마이크로파를 이용하여 제조한 HMDS 플라즈마 고분자막의 투과도계수는 투과 기체의 분자지름에 의존하는 경향을 나타내었으며 라디오파를 이용하여 제조한 플라즈마 고분자막보다 높은 산소/질소 투과선택도를 나타내었다. 반면에 라디오파를 이용하여 제조한 HMDS 플라즈마 고분자막의 투과도계수는 투과기체의 임계온도에 의존하는 경향을 나타내었으며 질소에 대한 에틸렌 및 프로판의 투과선택도가 우수한 특성을 나타내었다. 마이크로파로 중합시킨 고분자막은 가교결합도가 높기 때문에 기체의 투과도계수가 주로 확산계수(또는 분자지름)에 의존하게 된다. 그러나 라디오파의 에너지 밀도는 마이크로파의 에너지 밀도보다 낮기 때문에 라디오파로 중합시킨 플라즈마 고분자막의 구조는 마이크로파로 중합시킨 고분자 막에 비하여 가교결합도가 떨어지게 되며 이 막을 통한 투과도계수는 분자크기 보다는 기체의 임계온도에 의존하는 경향을 나타내었다. 따라서 라디오파를 이용하여 중합시킨 HMDS 플라즈마 고분자막은 영구기체 보다는 공기 중의 유기물질을 제거하는데 보다 효과적으로 이용될 수 있을 것으로 생각된다.

• 한국결정성장학회지
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• 제23권6호
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• pp.309-313
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• 2013

실리콘카바이드(SiC)는 높은융점과 내마모성 및 열전도 특성으로 산업적으로 널리 활용되고 있다. 특히 고순도 SiC는 고효율 전력 변환용 SiC 반도체 및 LED 공정에 적용되는 미래소재로 각광받고 있다. 본 연구에서는 고순도 SiC를 합성하기 위한 원료인 고순도 카본(C)을 유도 열플라즈마(RF Inductively thermal plasma)를 이용하여 합성하였으며, 출발원료로서 탄화수소계 액상물질인 도데칸이 사용되었다. 유도 열플라즈마 합성된 고순도 카본은 반응관과 필터에서 포집되며, 필터에서 포집된 카본 분말은 반응관에서 포집된 카본 분말보다 작은 입도(10~20 nm)와 낮은 결정성을 갖는 것으로 확인하였다. 반응관과 필터부에서 포집된 카본 분말의 순도는 각각 99.9997 %(5N7)와 99.9993 %(5N3)로 측정되었으며, 카본 분말에서 검출되는 불순물은 열플라즈마 합성장비에서 기인한 것으로 확인되었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제33권6호
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• pp.454-459
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• 2020

In this study, a TiO₂/TiO_2-x-based resistance variable memory was fabricated using a DC/RF magnetron sputtering system and ALD. In order to analyze the effect of oxygen plasma treatment on the performance of resistance random access memory (ReRAM), the TiO₂/TiO_2-x-based ReRAM was evaluated by applying RF power to the TiO_2-x oxygen-holding layer at 30, 60, 90, 120, and 150 W, respectively. The ReRAM was fabricated, and the electrical and surface area performances were compared and analyzed. In the case of ReRAM without oxygen plasma treatment, the I-V curve had a hysteresis curve shape, but the width was very small, with a relatively high surface roughness of the oxygen-retaining layer. However, in the case of oxygen plasma treatment, the HRS/LRS ratio for the I-V curve improved as the applied RF power increased; stable improvement was also noted in the surface roughness of the oxygen-retaining layer. It was confirmed that the low voltage drive was not smooth due to charge trapping in the oxygen diffusion barrier layer owing to the high intensity ReRAM applied with an RF power of approximately 150 W.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2008년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.949-950
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• 2008

• 한국진공학회지
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• 제6권1호
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• pp.44-49
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• 1997

반응성 RF 스퍼터링 장치에 반응성 질소와 작업가스 아르곤을 동시에 주입하면서 Al을 스퍼터링하여 AIN박막을 형성하였다. polycarbonate기판이나 이 디스크 표면 위의 micron크기의 pregroove형태의 손상이 일어나지 않을 정도의 저온의 저온을 유지키 위하여 플라즈마(plasma) 자체 온도($100^{\circ}C$이하)로 가열하면서 silicon과 glass기판 위에 AIN박막을 증착시켰다. 여러 증착변수 변화에 따른 박막의 결정성, 단면형상 및 굴절율 변화 등을 분석 하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.486-486
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• 2012

반도체 식각 공정에서 이온의 플럭스와 충돌 에너지를 각각 조절하고자 Dual frequency RF source가 사용된다. 듀얼 freuqnecy RF가 인가된 Capacitively coupled plasma (CCP) 의 경우, 기판에 걸린 Low freuqency (LF) RF 소스에 의하여 이온의 에너지를 조절하고, High frequency (HF) 소스를 조절하여 이온의 플럭스를 조절하는 것이 일반적이다. 그러나 LF의 세기가 증가함에 따라서, 플라즈마의 밀도가 오히려 감소하는 문제점이 있었다. 이 경우, 약한 자장을 플라즈마에 걸어줌으로써 밀도가 감소되는 문제를 해결할 수 있다고 알려져 왔다. Inductively coupled plasma (ICP) 에서는 HF를 안테나에 가하여 이온의 플럭스를 조절하고, LF를 기판에 가하여 이온의 충돌 에너지를 조절하는 것이 일반적인데, 위와 동일한 문제가 이 경우에도 발생하는 것을 확인 하였다. CCP와 마찬가지로, 바이어스에 걸린 파워의 세기가 증가함에 따라서 플라즈마의 밀도가 감소하고 전자의 온도가 증가하는 현상을 확인하였다. 또한 이때에도, 약한 자장을 걸어줌으로써 플라즈마의 밀도가 감소하지 않고 유지될 수 있으며, 전자의 온도 또한 유지될 수 있음을 발견하였다.