전기전자 장치 내부의 PCB에 존재하는 전력공급/접지판은 RF 공진잡음을 발생시켜 디지틀 신호 품질 저하 및 불요방사의 문제를 일으킨다. 본 논문에서는, 전력공급/접지판의 RF 잡음을 제거하기 위한 방법으로 Mush-room EBG 구조를 사용할 때 이 구조가 가지는 전자기 및 전기적 특성을 모드해석법과 회로이론의 하이브리드화를 통해 예측을 수행한다. 예측을 통해 잡음을 억제할 수 있는 유용한 정보를 얻는다.
IGZO transparent conductive thin films were widely used as transparent electrode of optoelectronic devices. We have studied the optical and electrical properties of IGZO thin films. The IGZO thin films were deposited on the corning 1737 glass by RF magnetron sputtering method. The RF power in sputtering process was varied as 25, 50, 75and 100 W, respectively. All of the thin films transmittance in the visible range was above 85%. XRD analysis showed that amorphous structure of the thin films without any peak. The thin films were electrically characterized by high mobility above $13.4cm^2/V{\cdot}s$, $7.0{\times}10^{19}cm^{-3}$ high carrier concentration and $6{\times}10^{-3}{\Omega}-cm$ low resistivity. By the studies we found that IGZO transparent thin film can be used as transparent electrodes in electronic devices.
본 논문에서는 입력 매칭(input matching) BIST(Built-In Self-Test) 회로를 이용한 RF font end의 새로운 결함 검사방법을 제안한다. BIST 회로를 가진 RF front end는 1.8GHz LNA(Low Noise Amplifier: 저 잡음 증폭기)와 이중 대칭 구조의 Gilbert 셀 믹서로 구성되어 있으며, TSMC 0.25$\mu\textrm{m}$ CMOS 기술을 이용하여 설계되었다. catastrophic 결함 및 parametric 변동을 가진 RF front end와 결함을 갖지 않은 RF front end를 판별하기 위해 RF front end의 입력 전압 특성을 조사하였다. 본 방법에서는 DUT(Device Under Test: 검사대상이 되는 소자)와 BIST 회로가 동일한 칩 상에 설계되어 있기 때문에 측정할 때 단지 디지털 전자계와 고주파 전압 발생기만이 필요하며, 측정이 간단하고 비용이 저렴하다는 장점이 있다. BIST 회로가 차지하는 면적은 RF front end가 차지하는 전체면적의 약 10%에 불과하다. 본 논문에서 제안하는 검사기술을 이용하여 시뮬레이션해 본 결과 catastrophic 결함에 대해서는 100%, parametric 변동에 대해서는 약 79%의 결함을 검출할 수 있었다.
In this paper, the emission properties of electrodeless fluorescent lamp were discussed using the inductively coupled plasma. To transmit the electromagnetic energy into the chamber, a RF power of 13.56 [MHz] was applied to the antenna and considering the Ar gas pressure and the RF electric power change, the emission spectrum, Ar I line, luminance were investigated. At this time, the input parameter for ICP RF plasma, Ar gas pressure and RF power were applied in the range of 10∼60 [mTorr], 10∼300 [W], respectively. From emission intensity and lumnance intensity results, the mode transition from E-mode to H-mode was observed. This implies that this method can be used to find an optimal RF power for efficient light illumination in an electrodeless fluorescent lamp.
To investigate the effect of RF power on the structural, optical and electrical properties of amorphous InGaZnO (a-IGZO), its thin films and TFTs were prepared by RF magnetron sputtering method with different RF power conditions of 40, 80 and 120 W at room temperature. In this study, as RF power during the deposition process increases, the RMS roughness of a-IGZO films increased from 0.26 nm to 1.09 nm, while the optical band-gap decreased from 3.28 eV to 3.04 eV. In the case of the electrical characteristics of a-IGZO TFTs, the saturation mobility increased from $7.3cm^2/Vs$ to $17.0cm^2/Vs$, but the threshold voltage decreased from 5.9 V to 3.9 V with increasing RF power. It is regarded that the increment of RF power increases the carrier concentration of the a-IGZO semiconductor layer due to the higher generation of oxygen vacancies.
Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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제38권1호
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pp.70-77
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2014
본 논문에서는 실리콘 RFIC(radio frequency integrated circuit) 상에서 초소형 수동소자에의 응용을 위하여 다양한 형태의 주기적 스트립 구조(PSS, periodic strip structure)를 이용한 전송선로의 기본 특성을 연구하였다. 그 결과에 의하면, 본 논문에서 제안한 다양한 형태의 PSS 구조를 가지는 전송선로는 종래의 코프레너 선로(CPW, coplanar wave guide)에 비해 강한 slow-wave 특성에 의해 단파장 특성을 보여주었으며, 특히, PSS와 접지면 사이에 contact가 존재하고 PSS에 slot이 존재하지 않는 with-contact 구조가 RF 소자의 소형화에 가장 효과적임을 알 수 있었다. 구체적으로 with-contact 형태의 전송선로에 대한 실리콘 박막상의 점유면적은 종래의 코프레너 선로에 비해 4.39%로 점유면적이 대폭 축소되었다. 대역폭 계산결과에 의하면 모든 형태의 PSS 구조는 적어도 차단주파수가 384 GHz이상의 광대역 특성을 보여주었다. 상기 결과들로부터 본 논문에서 제안한 다양한 형태의 PSS 구조를 가지는 전송선로는 광대역 및 초소형 RF 수동소자로써 유용하게 사용될 수 있음을 알 수 있으며, 특히, with-contact 구조가 RF 소자의 소형화에 가장 효과적임을 알 수 있었다.
고분자 압전 필름인 PVDF를 이용하여 단일막과 이층막의 초음파 변환기를 제작하 여 임펄스 응답특성을 이론식에서 계산하여 실험적으로 확인하여 보았다. 또한 RF 펄스를 이용하여 초음파 변환기의 다층막에 따른 주파수 특성을 조사하였다. 그 결과 임펄스 응답 특성은 이론식과 잘 일치하였으며, 단일막의 변환기가 이층막에 비하여 지속시간이 짧은 펄 스를 나타내었다. RF펄스에 대한 주파수특성은 이층막의 변환기가 단일막에 비하여 광대역 의 특성을 나타냄을 알 수 있었다.
본 연구에서는 ATO 박막의 전도 특성향상을 위하여 RF 마그네트론 스퍼터링을 이용하여, 6 wt%의 Sb가 첨가된 $SnO_2$ 박막을 합성을 진행하였으며, 박막합성시 스퍼터링 가스인 아르곤(Ar)과 반응가스인 산소($O_2$)의 분압 비율의 증가에 따른 ATO 박막의 구조적, 전기적, 광학적 특성들의 고찰하였다. 결과적으로 산소/아르곤의 비율이 0.11에서 $8{\times}10^{-3}[{\Omega}{\cdot}cm]$의 비저항과 85.17%, 그리고 retile 구조의 이상적인 전도특성과 투과특성, 그리고 결정화를 이룬 ATO 박막 얻었다.
본 논문은 저잡음 특성을 갖는 구조의 부성저항을 이용하여 공진부의 손실을 보상하는 새로운 구조의 공진회로를 제안하고 있다. 또한 여파기 설계시, noise해석을 통하여 최적의 noise 특성을 갖도록 능동 대역통과 여파기의 설계방법을 제시하고 있다. FET에 의해 만들어진 능동 커패시터는 부성저항과 커패시턴스 성분을 가지고 있으며, 부성저항에 의해 공진회로를 구성하는 인덕터 소자의 손실을 보상해 준다. 기존의 능동 여파기는 대개 높은 잡음지수를 가지는데 반하여 제안된 능동 여파기는 능동소자의 잡음특성을 최소화하는 구조로 설계되었다. 잡음지수를 최소화함으로서 RFIC나 MMIC와 같은 집적회로로서 수신단 Front-end설계에 응용할 수 있다. 제작된 2단 능동대역통과 여파기는 1.9 GHz 대역에서 설계되었으며, 측정된 삽입손실은 0 dB, 잡음지수는 2.6 dB, 그리고 OIP3는 8 dBm의 특성을 얻었다
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[게시일 2004년 10월 1일]
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