• 한국컴퓨터정보학회논문지
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• 제9권4호
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• pp.185-189
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• 2004

본 논문에서는 이동통신 장치에 사용되는 다이오드 검파기와 로그 칩형 검파기를 설계하고 이를 서로 비교하여 그들의 용도를 명확히 제시하였다. 다이오드 검파기는 입력 신호의 세기 $-40dBm{\sim}-10dBm$의 변화에 대하여 $0{\sim}0.7V$의 검출 전압이 측정되었으며, 이것은 미세한 신호변화를 검출하기에 적합한 특성을 갖는다. 그리고 로그 칩형 검파기는 입력전력 $-65dBm{\sim}0dBm$의 변화에 대하여 $1.5V{\sim}4.5V$의 출력 전압을 얻었으며, 대체로 넓은 동작범위를 나타내고 있다. 따라서 로그 칩형 검파기는 넓은 입력 신호전력에 대하여 좁은 검출 전압이 측정되어, 그것의 감도가 둔감하게 나타나므로 피크전력 측정에 적합함을 알 수 있다.

• 한국재료학회지
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• 제16권4호
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• pp.264-271
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• 2006

RF sputtering process was applied to produce thin hydroxyapatite(HAp) films on Ti-6Al-4V alloy substrates. The effects of different heat treatment conditions on the chemical composites between HAp thin films and Ti-6Al-4V alloy substrates were studied. After deposition, the HAp thin films were heat treated for 1h at $400^{\circ}C,\;600^{\circ}C\;and\;800^{\circ}C$ under the atmosphere, and analyzed O/M, FESEM-EDX and ESCA, respectively. Experimental results represented that interface of HAp thin films and Ti-6Al-4V alloy substrates was composed Ti-OH, TiO, TiN, $Al_2O_3,\;V_2O_3,\;VO_2$. pyrophosphate and decreased carbide followed by the increase of heat treatment temperature.

• Archives of Metallurgy and Materials
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• 제65권4호
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• pp.1357-1360
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• 2020

The low adherence of diamond-like carbon (DLC) films on titanium (Ti) alloys can be improved by using interlayer coatings. In this study, DLC (a-C:H) films were deposited using radio-frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition (rf-PECVD), and a TiCN interlayer was applied between the extra low interstitial (ELI) grade of Ti-6Al-4V alloy and a-C:H film. The characteristics of the a-C:H-coated Ti-6Al-4V ELI alloy were investigated using field emission scanning electron microscopy, Vickers hardness, and scratch and wear tests. The DLC (a-C:H) films deposited by rf-PECVD had a thickness of 1.7 ㎛, and the TiCN interlayer had a thickness of 1.1 ㎛. Vickers hardness of the DLC (a-C:H) films were increased as a result of the influence of the TiCN interlayer. The resulting friction coefficient of the a-C:H-coated Ti-6Al-4V with the TiCN interlayer had an extremely low value of 0.07.

• 한국진공학회지
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• 제15권3호
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• pp.259-265
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• 2006

[ $RF-O_2$ ] plasma 처리한 MgO 박막의 스퍼터링 수율을 집속이온빔 장치를 이용하여 측정하였다. 가속 전압 10 kV의 Ga 이온빔을 주사했을 때 plasma 처리하지 않은 MgO 박막의 스퍼터링 수율은 0.33 atoms/ion, $RF-O_2$ plasma 처리한 MgO 박막의 스퍼터링 수율은 0.20 atoms/ion 으로 $RF-O_2$ plasma 처리한 경우 스퍼터링 수율이 낮아졌다. 또한 XPS, AFM을 통해 plasma 처리로 인한 MgO 표면의 변화를 관찰하였다. MgO 박막에 $RF-O_2$ plasma 처리한 후 XPS O 1s spectra의 binding energy와 FWHM 값이 각각 2.36 eV와 0.6167 eV 작아졌고 표면거칠기의 RMS 값 또한 0 32 nm 작아졌다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2005년도 추계종합학술대회
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• pp.675-678
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• 2005

An improved BSIM3v3 RF Macro model with RC parallel substrate circuit has been developed to simulate RF characteristics of the output admittance in MOSFET accurately. This improved model shows better agreements with measured $Y_{22}-parameter$ up to 10 GHz than conventional one with a single substrate resistance, verifying the accuracy of the improved one.

• 한국전자파학회:학술대회논문집
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• 한국전자파학회 2002년도 종합학술발표회 논문집 Vol.12 No.1
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• pp.132-135
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• 2002

A RF amplitude equalizer is designed to improve in-band flatness of Rf filters and/or systems using two dielectric resonators and a 90$^{\circ}$ hybrid. The equalizer has good return loss characteristics and V shaped S$_{21}$ response in passband which is suitable to compensate the ripple degradation due to insufficient quality factors of used resonators or narrow band width of filters or systems. After being connected to the equalizer, a 5-pole BPF at 1957MHz, which has 10 MHz bandwidth and 6㏈ ripple, shows only 1.8㏈ in-band ripple and good in- and out- band matched responses within used hybrid bandwidth without additional matching networks.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1999년도 추계학술대회 논문집
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• pp.406-408
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• 1999

Amorphous carbon nitride thin films were prepared on pretreated silicon(100) substrate in sputtering graphite target by activated gas phase using RF reactively sputtering. We measured the FT-IR spectrum to identify C=N(nitrile)stretching mode(2200cm$\^$-1/), C-H stretching mode(2800cm$\^$-1/), C-H bending mode, C=C stretching mode C=N(imino) mode(1680cm$\^$-1/ ), and the XPS to investigate chemical structure of surface. By the results of FT-H and XPS spectrum, We confirmed that amorphous carbon nitride films with typel (C(1s): 285.9[eV], N(1s): 398.5[ev]) and type 2(C1s): 287.5[eV, N(1s): 400.2[eV]) successfully were synthesized by RF reactively sputtering

• 전자공학회논문지S
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• 제35S권9호
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• pp.19-27
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• 1998

본 연구에서는 E-GSM 단말기용 RF Transceiver 칩의 송신부에 대한 회로설계 및 시뮬레이션, 공정 및 제작, 평가를 수행하였다. AMS社의 0.8${\mu}m$ BiCMOS 공정으로 제작된 RF-IC 칩은 $10 {\times} 10mm$ 크기의 80 pin TQFP로 제작되었으며, 3.3V에서 동작하고 양호한 RF 특성을 보였다. 본 논문에서는 IF/RF 상향변조 주파수 혼합기, IF/RF polyphase, 전치증폭기 등을 포함하는 송신부의 개발 결과를 서술하고자 한다. 송산단의 측정결과 E-GSM RF 송신단 주파수인 880~915MHz에서 양호하게 동작하며, 소비전류는 71mA이고 총출력은 8.2dBm으로 측정되었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제17권5호
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• pp.560-566
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• 2004

In this paper, the electrical and emission properties of electrodeless fluorescent lamp were discussed using the inductively coupled plasma (ICP) with the variation of argon gas pressure and RF power. The RF output was applied to the antenna in the range of 5∼50 W at 13.56 MHz. The internal plasma voltage of the chamber and the probe current were measured while varying the supply voltage to the Langmuir probe in the range of －100V∼＋100V. When the pressure of argon gas was increased, electric current was decreased. There was a significant electric current increase from 10 to 30 W. Also, when the RF power was increased, electron density was increased. Also, the emission spectrum, Ar- I lins, luminance were investigated. At this time, the input parameter for ICP RF plasma, Ar gas pressure and RF power were applied in the range of 10∼60 mTorr, 10∼300 W, respectively. This implies that this method can be used to find an optimal RF power for efficient light illumination in an electrodeless fluorescent lamp.

• 한국세라믹학회지
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• 제34권2호
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• pp.202-208
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• 1997

Bi층 SrBi2Ta2O9(SBT)박막을 상온에서 rf magnetron sputtering에 의해 Pt/Ti/SiO2/Si기판위에 증착한 다음 산소 분위기 하에서 1시간동안 75$0^{\circ}C$, 80$0^{\circ}C$, 85$0^{\circ}C$로 열처리하였다. 타겟은 박막내의 Bi와 Sr의 부족을 보상하기 위해 20mole%의 Bi2O3와 30mole%의 SrCO3를 과잉으로 넣어 사용하였으며, 80$0^{\circ}C$로 열처리한 박막의 조성은 Sr0.7Bi2.0Ta2.0O9.0이었다. 200nm의 두께를 갖는 이 SBT박막은 치밀한 미세구조와, 1MHz의 주파수에서 210의 유전상수, 0.05의 유전손실을 나타내었고, 또한 100 kMz에서 32$0^{\circ}C$의 큐리온도를 나타냈으며 그 온도에서의 유전상수는 314이었다. 이 SBT박막의 잔류분극(2Pr)과 항전계(2Ec)값은 각각 인가전압 3V에서 9.1$\mu$C/$\textrm{cm}^2$과 85kV/cm이었고, 5V의 bipolar pulse 하에서 1010 cycle까지 피로현상이 나타나지 않았으며, 누설전류 밀도는 150kV/cm에서 7$\times$10-7A/$\textrm{cm}^2$의 값을 보였다. rf magnetron sputtering 으로 제조된 SBT박막은 비휘발성 메모리 소자에의 응용이 가능하다.