We reported on a high performance InGaAs/InAlAs metamorphic HEMT with 50 nm gate length on a GaAs substrate. The fabricated $50nm{\times}60{\mu}m$ MHEMT showed good DC and RF characteristics. Typical drain current density of 740 mA/mm and extrinsic transconductance(gm) of 1.02 S/mm were obtained with our devices. The current gain cut-off frequency(fT) and maximum oscillation frequency(fmax) obtained for the fabricated MHEMT device were 430 GHz and 406 GHz, respectively.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.41
no.12
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pp.7-12
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2004
In this paper, CPW wideband distributed amplifier was designed and fabricated using 0.1 $\mum$ InGaAs/InAlAs/GaAs Metamorphic HEMT(High Electron Mobility Transistor). The DC characteristics of MHEMT are 442 mA/mm of drain current density, 409 mS/mm of maximum transconductance. The current gain cut-off frequency(fT) is 140 GHz and the maximum oscillation frequency(fmax) is 447 GHz. The distributed amplifier was designed using 0.1 $\mum$ MHEMT and CPW technology. We designed the structure of CPW curve, tee and cross to analyze the discontinuity characteristics of the CPW line. The MIMIC circuit patterns were optimized electromagnetic field through momentum. The designed distributed amplifier was fabricated using our MIMIC standard process. The measured results show S21 gain of above 6 dB from DC to 45 GHz. Input reflection coefficient S11 of -10 dB, and output reflection coefficient S22 of -7 dB at 45 GHz, respectively. The chip size of the fabricated CPW distributed amplifier is 2.0 mm$\times$l.2 mm.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
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v.48
no.11
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pp.89-94
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2011
In this paper, we developed the W-band MMIC low noise amplifier for the millimeter-wave seeker using the tuner system. The MHEMT devices for MMIC LNA exhibited DC characteristics with a drain current density of 692mA/mm, an extrinsic transconductance of 726mS/mm. The current gain cutoff frequency(fT) and maximum oscillation frequency($f_{max}$) were 195GHz and 305GHz, respectively. The fabricated W-band low noise amplifier represented S21 gain of 7.42dB at 94 GHz and noise figure of 2.8dB at 94.2 GHz.
Journal of the Institute of Convergence Signal Processing
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v.18
no.1
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pp.21-24
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2017
Passive millimeter wave (MMW) imaging penetrates clothing to detect concealed objects. The distances extraction to the concealed objects is critical for the security and defense. In this paper, we address a passive stereo 3 mm MMW imaging system to extract the longitudinal distance to the concealed object. The concealed object area is segmented and extracted by the k-means clustering algorithm with splitting initialization. The distance to the concealed object is estimated by the corresponding centers of the segmented objects. In the experimental two pairs (each pair for horizontal and vertical polarization) of stereo MMW images are obtained to estimate distances to concealed objects.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.44
no.9
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pp.25-33
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2007
In this paper, the high isolation and wideband 94 GHz MIMIC(Millimeter-wave Monolithic Integrated Circuit) single balanced cascode mixer was designed and fabricated. Also, we designed and fabricated a 3 dB tandem coupler which has a high isolation and wideband characteristic. The single balanced resistive mixer which does not require an external IF balun was designed using the 0.1 ${\mu}m$ InGaAs/InAlAs/GaAs metamorphic HEMT(High Electron Mobility Transistor). The DC characteristics of MHEMT's are 665 mA/mm of drain current density, 691 mS/mm of maximum transconductance. The current gain cut-off frequency($f_T$) is 189 GHz and the maximum oscillation frequency($f_{max}$) is 334 GHz. A 94 GHz single balanced cascode mixer was fabricated using our 0.1 ${\mu}m$ MHEMT MIMIC process. From the measurements, the fabricated couplers showed wideband characteristics. The conversion loss of single balanced cascode mixer was 9.8 dB at an LO power of 10.9 dBm. The LO to RF isolation of single balanced cascode mixer was 29.5 dB at 94 GHz. We obtained in this study a higher LO-RF isolation compared to some other single balanced mixers.
Woo, Dong Sik;Kim, Sung Kyun;Kim, Kang Wook;Choi, Hyun-Chul
Journal of Sensor Science and Technology
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v.25
no.1
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pp.46-50
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2016
During KSTAR plasma experiments, torsional $Alfv\acute{e}n$ waves in the frequency of few GHz or below were detected. To understand this plasma waves during the crash of MHD instabilities, an RF spectrometer has been developed for detection of the radiated RF signals in the KSTAR Tokamak. It has the capability of broadband RF spectral measurement (50 ~ 400 MHz). To detect the broadband RF signals which are radiated from the KSTAR systems, a broadband antenna is the key feature of the RF spectrometer. In this paper, a broadband bowtie antenna for detection of $Alfv\acute{e}n$-waves in the KSTAR Tokamak is presented. Planar-type bowtie antenna is designed and fabricated on an FR4 substrate with thickness of 1.6 mm. The antenna consists of bowtie shaped balanced radiators and broadband planar balun. The antenna is designed to have an input impedance of 50 Ohm, and a taper-shaped balun is adopted for field and impedance matching between 50 Ohm transmission line to 110 Ohm feeding network of balanced radiators. The implemented antenna provides around -3 to 3 dBi of gain for the whole frequency band. The VSWR of the bowtie antenna is less than 12:1 over the frequency bandwidth of 50 to 2000 MHz.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.38
no.6
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pp.383-389
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2001
We report on the design, fabrication, and characterization of 0.35${\mu}{\textrm}{m}$-gate AIGaAs/InGaAs PHEMTs for millimeter-wane applications. The epi-wafer structures were designed using ATLAS for optimum DC and AC characteristics, 0.351m-gate AIGaAs/rnGaAs PHEMTs having different gate widths and number of fingers were fabricated using electron beam lithography Dependence of RF characteristics of PHEMT on gate finger with and number of gate fingers have been investigated. PHEMT haying two 0.35$\times$60${\mu}{\textrm}{m}$$^2$ gate fingers showed the knee voltage, pinch-off voltage, drain saturation current density, and maximum transconductance of 1.2V, -1.5V, 275㎃/mm, and 260.17㎳/mm, respectively. The PHEMT showed fT(equation omitted)(current gain cut-off frequency) of 45㎓ and fmax(maximum oscillation frequency) of 100㎓. S$_{21}$ and MAG of the PHEMT were 3.6dB and 11.15dB, respectively, at 35㎓
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.40
no.8
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pp.580-587
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2003
In this paper, we introduce a novel model to analyze the linearity of a TW-EAM (traveling-wave electroabsorption modulator). The device length, microwave loss (ML), and internal reflection (IR) due to impedance mismatch have effect on the linearity of a TW-EAM. The longer devices have characteristics of lower biases with minimum IMDS (intermodulation distortions). ML decreases the output power as well as the IMD value. Internal reflection has different nonlinear characteristics according to the wavelength of the input frequency and the device length. There is little change in SFDR (spurious-free dynamic range) due to ML or IR. As a result, for a 50 GHz band RF-optical communication system, a 0.8 mm-long TW-EAM with the lowest ML would have better properties by using n, which is caused by impedance, mismatch at the output port.
Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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v.40
no.9
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pp.818-823
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2016
Millimeter wave (mm-wave) communication systems provide high data rates owing to the large bandwidths available at mm-wave frequencies. Recently, analogue and digital combined beamforming, namely "hybrid beamforming" has drawn attentions owing to its ability to realize the required link margins in mm-wave systems. Taking into account the radio frequency (RF) hardware limitations, such as the analogue phase shifter gain constraint and the low resolution of the phase controller, we introduce an uplink hybrid beamforming system that includes discrete Fourier transform (DFT) based "fixed" analogue beamforming. We adopt a zero-forcing (ZF) multiple-input multiple-output (MIMO) equalizer to eliminate the uplink inter-user interferences. Moreover, to improve the sum-rate performances, we propose a transmit beam selection algorithm which makes the uplink effective channels, i.e., the beamformed channels, become near orthogonal. The effectiveness of the proposed beam selection algorithm was verified through numerical simulations.
Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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v.31
no.8
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pp.970-974
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2007
A mixer is a key component in the wireless communication systems. In this paper, we design a mixer which is used in a frequency modulated continuous wave(FMCW) radar system. The frequency sweep range of the radar is from 10 GHz to 11 GHz. The transmitted and received signals of the FMCW radar are applied to LO and RF ports of the mixer, respectively, but the frequency difference between the two signals, which is called "a beat frequency" is under a few KHz and depending on the distance to target. Thus the isolation between the LO and RF ports is very important factor to design this mixer. In this paper we propose a single balanced resistive mixer using GaAs MESFET for this application. We first design a single-ended type resistive mixer using a simulation tool, then design a balanced type to increase the LO-to-RF isolation of the mixer. We fabricated the mixer on the substrate of dielectric constant 10 and thickness 0.635 mm. The measured results show that the isolation and conversion loss of the mixer over the frequency band is 20dB and 10.5dB, respectively. The LO input power for operating the proposed mixer is +3dBm, which is lower than a general conventional mixer's LO power. The 1 dB compression point is 6dBm.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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