• Proceedings of the KWS Conference
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• 2010.05a
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• pp.78-78
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• 2010

모바일 정보통신기기를 중심으로 패키지의 초소형화, 고집적화를 위해 플립칩 공법의 적용이 증가되고 있고 있으며 접속피치의 미세화에 따라 솔더 및 언더필을 사용하는 C4 공법보다 ACA(Anisotropic Conductive Adhesive), NCA (Non-conductive Adhesive) 등의 접착제를 이용하는 칩본딩 공법에 대한 요구가 증가하고 있다. 특히, NCA 공법의 경우 산업 현장의 대량생산에 대응하기 위해서는 접착제의 속경화 특성이 요구되어 진다. 일반적으로 접착제의 경화거동은 DSC(Differential Scanning Calorimeter)를 사용해 확인하지만, 수초 이내에 경화되는 접착제의 경우는 적용되기 어렵다. 본 연구에서는 이러한 전자패키지용 접착제의 속경화 거동을 효과적으로 평가할 수 있는 방법을 조사 하였다. 실험에서 사용된 접착제는 에폭시계 레진 기반에 이미다졸계 경화제를 사용한 기본적인 포뮬레이션을 사용하였고, 경화시간은 160^{\circ}C에서 1분 이내에 경화되는 특성을 가지고 있다. 경화 거동을 확인하기 위해서 isothermal DSC와 DEA(Dielectric Analysis)의 두가지 방법을 사용해 비교하였다. 두 실험 방법 모두 $160^{\circ}C$를 유지하며 경화 거동을 확인하였고, DoC(Degree of Cure)의 측정오차를 비교 분석하였다. DEA는 이온 모빌리티 변화에 따른 유전손실율을 측정하는 방법으로 80~90% 이후의 경화도는 측정되지 않았지만, 수초 이내에 경화되는 속경화 특성을 평가하기에 적합한 것으로 확인되었다.

• Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
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• 2016.10a
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• pp.702-704
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• 2016

1995년부터 2014년까지 약 20년간의 기상청의 대기오염 자료를 바탕으로 이를 3가지의 다른 방법으로 시각화 하였다. 첫 번째는 2014년 주요 광역시의 연중 월별로 대기 오염 물질들을 시각화 하였고, 두 번째는 1995년부터 2014년까지 주요 광역시의 연도별로 대기 오염 물질들을 시각화하였다. 마지막으로 대한민국 지도 위에 2014년 주요 광역시의 대기 오염 물질들을 점 모양으로 시각화하였다. 자료 시각화에는 R의 기본 내장 시각화 함수 plot()과 시각화 패키지 ggplot2, ggmap를 사용하였다.

• Proceedings of the Korean Society of Computer Information Conference
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• 2016.01a
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• pp.143-146
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• 2016

본 연구에서는 대용량의 야구 데이터를 R 패키지인 googleVis를 이용하여 시각화하는 웹페이지를 구축하고, 버블 차트로 시각화하여 표현하였다. 웹페이지에서는 시각화하는 객체를 버블로 나타내며, 객체는 타자, 투수, 팀 3가지이다. 각 객체의 속성들을 버블 색상, 버블 사이즈, X-Y좌표, 연도에 설정함으로써 5차원으로 시각화하여 표현할 수 있게 한다. 웹페이지 기능 중 타임슬립 애니메이션을 사용하여 시간의 흐름에 따른 기록 변화를 한 눈에 관찰할 수 있으며, 선수 검색 기능을 통해 특정 선수들을 선택하여 비교 및 분석하는 것이 가능하다.

• 한국정보통신설비학회:학술대회논문집
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• 2005.08a
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• pp.16-21
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• 2005

SK텔레콤은 1984년 차량전화서비스를 개시한 이래로 무선호출서비스, 아날로그 이동전화 서비스, CDMA 이동전화서비스, CDMA2000 1X/EV-DO 및 WCDMA서비스를 위한 이동통신망들을 연이어 구축해 왔다. 이러한 다양한 서비스 통신망을 구성하는 많은 망장비들을 관리하기 위해 통신망에 대한 망관리시스템 구축은 필수적이었고, 다양한 방식으로 망관리시스템 구축이 시도되었다. 비교적 짧은 기간내 통신망을 구축, 확대하고, 새로운 이동통신망을 도입하면서 기존망과 연동시키는 일들은 망장비에 대한 빈번한 패키지 변경을 낳았고, 이는 특히 망장비로부터 망관리 정보를 수집하고 망관리시스템으로의 보고를 담당하는 망관리대행자(Agent)의 안정성 및 유지보수 문제를 야기시켰다. 이에 본 논문에서는 기존에 개발되었던 망관리대행자들이 가지고 있던 다양한 문제점들을 제시하고 이를 해결하기 위한 망관리대행자에 대한 새로운 구축방안을 제시한다

• Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference
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• 2001.11a
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• pp.119-123
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• 2001

In this paper, a new structure and fabrication method for the wafer level package(WLP) is presented. A packaged VLSI chip is encapsulated by a parylene(which is a low k material) layer as a dielectric layer and is molded by SUB photo-epoxy with dielectric constant of 3.0 at 100 MHz. The electrical parameters (R, L, C) of package traces are extracted by using the Maxwell 3-D simulator. Based on HSPICE simulation results, the proposed wafer level package can operate for frequencies up to 20GHz.

• The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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• v.54 no.7
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• pp.339-342
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• 2005

We present a new high-frequency equivalent circuit model for 52pin QFP used in typical IC's and extract R, L, and C values of this circuit model using a 3-D E & M field simulator. Futhermore, L and C value variations as a function of Pin number due to the shape differences of the leads have been fitted to 2nd order polynomials in order to extend the applicability of this model.

• Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
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• 2012.04a
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• pp.1200-1203
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• 2012

남북한이 평화적인 통일을 하려면 북한이 자력에 의하여 대한민국 수준으로 국민소득을 높여야 한다. 어느 일방에 의한 통일은 "대재앙"으로 표현 할 수 있다. 북한의 경제력을 대한민국 수준으로 올리려면 김정일 국방위원장의 교시대로 "담박도약"을 위해서는 개방과 더불어 IT산업으로 국가산업 발전에 역량을 모아야 한다. 북한도 IT산업을 통한 개방으로 유럽의 아일랜드와 같이 IT산업에 집중 할 것을 권유한다. 본 논문에서는 북한 SW개발자들이 개발한 부문을 분석하고 대한민국의 개발자들과 공동노력하여 발전 할 부문의 SW제품에 대하여 조사분석하였다.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.24 no.11
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• pp.1081-1090
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• 2013

In this paper, a C-band 10 W power amplifier with internally matched input and output matching circuit is designed and fabricated. The used power transistor for the power amplifier is GaAs pHEMT bare-chip. The wire bonding analysis considering the size of the capacitor and the position of transistor pad improves the accurate design. The matching circuit design with the package effect using EM simulation is performed. To reduce the unsymmetry of IMD3 in 2-tone measurement due to the memory effect, the bias circuit minimizing the memory effect is proposed and employed. The measured $P_{1dB}$, power gain, and power added efficiency are 39.8~40.4 dBm, 9.7~10.4 dB, and 33.4~38.0 %, respectively. Adopting the proposed bias circuit, the difference between the upper and lower IMD3 is less than 0.76 dB.

• Proceedings of the KWS Conference
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• 2010.05a
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• pp.82-82
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• 2010

표면실장 공법을 통해 CSP 패키지를 보드에 실장 하는데 있어 무연솔더 접합부의 신뢰성에 영향을 미치는 인자 중 가장 중요한 것은 접합부에 형성되는 IMC (Intermetallic compound, 금속간화합물)인 것으로 알려져 있다. 접합부의 칩 부분에는 솔더와 칩의 UBM (Under bump metalization)이 접합하여 IMC가 형성되나, 보드 부분에는 솔더와 보드의 UBM 뿐만 아니라 그 사이에 솔더 페이스트가 함께 접합되어 IMC가 형성된다. 본 연구에서는 패키지의 신뢰성 연구를 위해 솔더 페이스트의 유무 및 두께에 따른 무연 솔더 접합부의 미세조직의 변화를 분석하였다. 본 실험에서는 Sn-3.0(Wt.%)Ag-0.5Cu 조성과 본 연구진에 의해 개발된 Sn-Ag-Cu-In 조성의 직경 $450{\mu}m$ 솔더 볼을 사용하였으며, 솔더 페이스트는 상용 Sn-3.0Ag-0.5Cu (ALPHA OM-325)를 사용하였다. 칩은 ENIG (Electroless nickel immersion gold) finish pad가 형성된 CSP (Chip scale package)를, 보드는 OSP (Organic solderability preservative)/Cu finish pad가 형성된 것을 사용하였다. 실험 방법은 보드를 솔더 페이스트 없이 플라즈마 처리 한 것, 솔더 페이스트를 $30{\mu}m$ 두께로 인쇄한 것, $120{\mu}m$의 두께로 인쇄한 것, 이렇게 3가지 조건으로 준비한 후, 솔더 볼이 bumping된 칩을 mounting하여, $242^{\circ}C$의 peak 온도 조건의 oven(1809UL, Heller)에서 reflow를 실시하여 패키지를 형성하였다. 이후 시편은 정밀 연마한 후, OM(Optical Microscopic)과 SEM(scanning electron microscope) 및 EDS(energy dispersive spectroscope)를 사용하여 솔더 접합부 IMC의 미세조직을 관찰, 분석하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.06a
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• pp.158-158
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• 2008

모바일 정보통신기기를 중심으로 실장모듈의 초소형화, 고집적화로 인해 접속단자의 피치가 점점 미세화 됨에 따라 플립칩 본딩용 접착제에 함유되는 무기충전제인 실리카 필러의 크기도 미세화되고 있다. 본 연구에서는 NCP (non-conductive paste)의 실리카 필러의 크기가 COB(chip-on-board) 플립칩 패키지의 신뢰성에 미치는 영향을 조사하였다. 실험에 사용된 실리카 필러는 Fused silica 3 종과 Fumed silica 3종이며 response surface 실험계획법에 따라 혼합하여 최적의 혼합비를 정하였다. 테스트베드로 사용된 실리콘 다이는 투께 $700{\mu}m$, 면적 5.2$\times$7.2mm로 $50\times50{\mu}m$ 크기의 Au 도금범프를 $100{\mu}m$ 피치, peripheral 방식으로 형성시켰으며, 기판은 패드를 Sn으로 finish 하였다. 기판을 플라즈마 전처리 후 Panasonic FCB-3 플립칩 본더를 이용하여 플립칩 본딩을 수행하였다. 패키지의 신뢰성 평가를 위해 $-40^{\circ}C{\sim}80^{\circ}C$의 열충격시험과 $85^{\circ}C$/85%R.H.의 고온고습시험을 수행하였으며 Die shear를 통한 접합 강도와 4-point probe를 통한 접속저항을 측정하였다.