Molavi-Choobini, Ali Asghar;Naghidokht, Ahmad;Karami, Zahra
Nuclear Engineering and Technology
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v.48
no.3
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pp.711-718
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2016
Steady-state operation of a fusion power plant requires external current drive to minimize the power requirements, and a high fraction of bootstrap current is required. One of the external sources for current drive is lower hybrid current drive, which has been widely applied in many tokamaks. Here, using lower hybrid simulation code, we calculate electron distribution function, electron currents and phase velocity changes for two options of demonstration reactor at the launched lower hybrid wave frequency 5 GHz. Two plasma scenarios pertaining to two different demonstration reactor options, known as pulsed (Option 1) and steady-state (Option 2) models, have been analyzed. We perceive that electron currents have major peaks near the edge of plasma for both options but with higher efficiency for Option 1, although we have access to wider, more peripheral regions for Option 2. Regarding the electron distribution function, major perturbations are at positive velocities for both options for flux surface 16 and at negative velocities for both options for flux surface 64.
The non-thermal pasteurization of foods using High Voltage High Current Pulsed Electric Fields (HVHC-PEF) is a promising technology and a sound complement or replacement to traditional thermal pasteurization. The conventional thermal method also inactivates bacteria and other microorganisms harmful to humans, but degrades natural color, flavor, texture and nutrients. At this point, a nonthermal pasteurization technique, HVPEF is thought to be a new processing technique which is able to produce a good quality foods nutritional as well as sensuous. In this paper, the system for HVHC-PEF pasteurization is presented. It use square wave pulse instead of exponential ones. So, power rating of system is reduced considerably. Design considerations for 20kV 500A class equipment are analyzed and experimental results are discussed.
Based on the extended nonlinear Schr$\ddot{o}$dinger equation, the influences of the filter effect on pulse splitting in a passively mode-locked erbium-doped fiber laser with positive dispersion cavity are investigated theoretically. Numerical results show that, as the bandwidth of the spectral filter decreases, the nonlinear chirp appended to the pulse increases under the combined action of the filter effect of the super-Gaussian spectral filter and the self-phase modulation effect. On further decreasing the bandwidth, the wave breaking of the pulse takes place. In addition, by varying the pump power of the laser or the profile of the spectral filter, the influences of the filter effect on pulse splitting also change accordingly.
MgO thin films were deposited by internal ICP-assisted reactive-magnetron sputtering with bipolar pulse bias on a substrate to suppress random arcs. Mg is reactively sputtered by a bipolar pulsed DC power of 100 kHz into ICP generated by a dielectrically shielded internal antenna. At a mass flow ratio of $Ar/O_2$ = 10 : 2 and an ICP/sputter power ratio of 1 : 1, optimal film properties were obtained (a powder-like crystal orientation distribution and a RMS surface roughness of approximately 0.42 nm). A bipolar pulse substrate bias at a proper frequency (~a few kHz) prevented random arc events. The crystalline preferred orientations varied between the (111), (200) and (220) orientations. By optimizing the plasma conditions, films having similar bulk crystallinity characteristics (JCPDS data) were successfully obtained.
In this paper, highly-efficient optical gating in a junction device based on vanadium dioxide($VO_2$) thin film grown by a sol-gel method was investigated as a gate terminal of a three-terminal device using infrared light with a wavelength of ~1554.6 nm. Due to the photoinduced phase transition, the threshold voltage of the $VO_2$ junction device, at which the device current abruptly jumps, could be tuned with a sensitivity of ~96.5 V/W by adjusting the optical power of the infrared light directly illuminating the device. Compared with the tuning efficiency of the previous device fabricated using $VO_2$ thin film deposited by a pulsed laser deposition method, the threshold voltage of this device could be tuned by ~76.8 % at an illumination power of ~39.8 mW resulting in a tuning efficiency of ~1.930 %/mW, which is ~4.9 times larger than the previous device.
The nuclear steam generators are subjected to corrosion environmental condition during operation that can result in stress corrosion in the tube wall. If any tube wall degradation is recognized, the tube must be repaired by plugging or sleeving. For the sleeving repair, Nd : YAG laser welded sleeving technology is one of the most promising when considering radioactive working conditions in the nuclear power plant. In this paper, the laser welding characteristics of steam generator tube and sleeve materials are investigated. The effects of average laser power, laser energy, welding speed, pulse duration and frequency are evaluated. Based on these results, Nd : YAG laser welded sleeving repair was applied to the degraded steam generator tubes in real environment.
Bae, Ji Eun;Choi, Sun Young;Krankel, Christian;Hasse, Kore;Rotermund, Fabian
Current Optics and Photonics
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v.5
no.2
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pp.180-185
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2021
A femtosecond-laser inscribed Yb:YAG surface channel waveguide (WG) laser with single-walled carbon nanotubes deposited on the top surface of the WG was passively Q-switched by evanescent field interaction. Q-switched operation of the 14-mm-long compact Yb:YAG WG laser was achieved near 1031 nm with two different pumping schemes (single- and double-pass pumping) with an output coupling transmission of 91%. The Q-switched pulse characteristics depending on the absorbed pump power were investigated for both pumping geometries and analyzed in detail based on theoretical modeling. The best performances (energy/pulse duration) for each configuration were 204.4 nJ/75 ns at a repetition rate of 1.87 MHz, and 201.1 nJ/81 ns at 1.75 MHz for single- and double-pass pumping, respectively.
Oil-impregnated paper is a major type of insulation used in oil-filled converter transformers for both traditional and new energy systems. This paper presents and analyzes the results of the experiment conducted on the electrical aging of oil-impregnated paper under AC-DC combined voltages using the pulsed electro-acoustic (PEA) technique. The formation and dynamics of space charge affected the performance of insulation material. The electrical aged oil-paper insulation was obtained through electrical aged experiments under the voltages. Based on the PEA technique, measurements were carried out when the oil-paper insulation system was subjected to different stressing and aging times. The space charge dynamics in the bulk of the oil-paper insulation system with different aging times were measured and analyzed. Characteristic parameters such as the total charge injection amount, the total charges of fast moving and slow moving, and the distortion factor of electric field were calculated and discussed. Results show that the longer electrical aging time, the more charges trapped in the bulk of aging sample. It leads to larger distortion factor of electric field in the bulk of aging samples and accelerate degradation of oil-paper insulation under AC-DC combined voltages.
Apple juices were sterilized by continuous pulsed electric field (PEF) treatments of pulse width of 25 ${\mu}s$ at electric field intensity of 20.0 kV/cm, and with the varied pulse frequencies of 35 Hz (40 kJ/L), 55 Hz (70 kJ/L), 72 Hz (100 kJ/L) and 85 Hz (130 kJ/L). The PEF treatments of apple juice reduced the microbial counts from 5.3 log CFU/mL of initial state to 3.0 log CFU/mL after PEF treatment at energy density of 130 kJ/L. Also yeast and fungi after PEF treatments were reduced from 5.3 log CFU/mL to 3.0 log CFU/mL and Escherichia coli were from 5.3 log CFU/mL of initial state to 4.7 log CFU/mL to < $10^1$ CFU/mL. The soluble solids and free sugars did not significantly differ (p<0.05) depending on conditions of PEF treatment. The total phenolic contents and antioxidant activity such as the DPPH and ferric reducing antioxidant power (FRAP) by PEF treatments were significantly partly reduced, but the PEF-reduced value came in smaller quantities than the heat treatment at $65^{\circ}C$. The iterative PEF treatments with pulse width of 25 ${\mu}s$ and pulse frequency of 85 Hz at electric field intensity of 20.0 kV/cm showed limited in microbial reduction. Also, total phenolic contents and antioxidant activity such as DPPH and FRAP, significantly decreased depending on treatment numbers of PEF (p<0.05).
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.02a
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pp.204-205
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2011
In thin film silicon solar cells, p-i-n structure is adopted instead of p/n junction structure as in wafer-based Si solar cells. PECVD is a most widely used thin film deposition process for a-Si:H or ${\mu}c$-Si:H solar cells. For best performance of thin film silicon solar cell, the dopant profiles at p/i and i/n interfaces need to be as sharp as possible. The sharpness of dopant profiles can easily achieved when using multi-chamber PECVD equipment, in which each layer is deposited in separate chamber. However, in a single-chamber PECVD system, doped and intrinsic layers are deposited in one plasma chamber, which inevitably impedes sharp dopant profiles at the interfaces due to the contamination from previous deposition process. The cross-contamination between layers is a serious drawback of a single-chamber PECVD system in spite of the advantage of lower initial investment cost for the equipment. In order to resolve the cross-contamination problem in single-chamber PECVD systems, flushing method of the chamber with NH3 gas or water vapor after doped layer deposition process has been used. In this study, a new plasma process to solve the cross-contamination problem in a single-chamber PECVD system was suggested. A single-chamber VHF-PECVD system was used for superstrate type p-i-n a-Si:H solar cell manufacturing on Asahi-type U FTO glass. A 80 MHz and 20 watts of pulsed RF power was applied to the parallel plate RF cathode at the frequency of 10 kHz and 80% duty ratio. A mixture gas of Ar, H2 and SiH4 was used for i-layer deposition and the deposition pressure was 0.4 Torr. For p and n layer deposition, B2H6 and PH3 was used as doping gas, respectively. The deposition temperature was $250^{\circ}C$ and the total p-i-n layer thickness was about $3500{\AA}$. In order to remove the deposited B inside of the vacuum chamber during p-layer deposition, a high pulsed RF power of about 80 W was applied right after p-layer deposition without SiH4 gas, which is followed by i-layer and n-layer deposition. Finally, Ag was deposited as top electrode. The best initial solar cell efficiency of 9.5 % for test cell area of 0.2 $cm^2$ could be achieved by applying the in-situ plasma cleaning method. The dependence on RF power and treatment time was investigated along with the SIMS analysis of the p-i interface for boron profiles.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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