• 한국축산식품학회지
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• 제35권6호
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• pp.800-806
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• 2015

We investigated the effects of a pulsed electric field (PEF) treatment on microbial inactivation and the physical properties of low-fat milk. Milk inoculated with Escherichia coli, Saccharomyces cerevisiae, or Lactobacillus brevis was supplied to a pilot-scale PEF treatment system at a flow rate of 30 L/h. Pulses with an electric field strength of 10 kV/cm and a pulse width of 30 µs were applied to the milk with total pulse energies of 50-250 kJ/L achieved by varying the pulse frequency. The inactivation curves of the test microorganisms were biphasic with an initial lag phase (or shoulder) followed by a phase of rapid inactivation. PEF treatments with a total pulse energy of 200 kJ/L resulted in a 4.5-log reduction in E. coli, a 4.4-log reduction in L. brevis, and a 6.0-log reduction in S. cerevisiae. Total pulse energies of 200 and 250 kJ/L resulted in greater than 5-log reductions in microbial counts in stored PEF-treated milk, and the growth of surviving microorganisms was slow during storage for 15 d at 4℃. PEF treatment did not change milk physical properties such as pH, color, or particle-size distribution (p<0.05). These results indicate that a relatively low electric-field strength of 10 kV/cm can be used to pasteurize low-fat milk.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제13권4호
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• pp.45-50
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• 2006

3D package의 SiP에서 구리의 via filling은 매우 중요한 사항으로 package밀도가 높아짐에 따라 via의 크기가 줄어들며 전기도금법을 이용한 via filling이 연구되어왔다. Via filling시 via 내부에 결함이 발생하기 쉬운데 전해액 내에 억제제, 가속제등 첨가제를 첨가하고 펄스-역펄스(PRC)의 전류파형을 인가하여 결함이 없는 via의 filling이 가능하다. 본 연구에서는 건식 식각 방법 중 하나인 DRIE법을 이용하여 깊이 $100{\sim}190\;{\mu}m$, 직경이 각각 $50{\mu}m,\;20{\mu}m$인 2가지 형태의 via을 형성하였다. DRIE로 via가 형성된 Si wafer위에 IMP System으로 Cu의 Si으로 확산을 막기 위한 Ta층과 전해도금의 씨앗층인 Cu층을 형성하였다. Via시편은 직류, 펄스-역펄스의 전류 파형과 억제제, 가속제, 억제제의 첨가제를 모두 사용하여 filling을 시도하였고, 공정 후 via의 단면을 경면 가공하여 SEM으로 관찰하였다.

• 한국추진공학회지
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• 제19권6호
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• pp.1-9
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• 2015

본 연구에서는 전열포의 플라즈마 발생장치에서 외부회로로부터 가해지는 펄스형 전기에너지에 의한 플라즈마 발생현상을 대상으로 영차원적 모델링 및 전산해석을 수행하였다. 전극 사이의 보어 내 플라즈마의 균일 온도 가정을 채용하여 질량 및 에너지 방정식을 간소화하였으며, 보어 및 전극 표면 상의 용발 모델 및 플라즈마 물성치 계산모델과 연계하였다. 해석결과는 1차원적 해석모델과 비교하여 상당히 일치함을 보여 영차원적 해석결과의 유효성을 확인할 수 있다.

• 진공이야기
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• 제4권1호
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• pp.12-15
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• 2017

The Pohang Accelerator Laboratory X-ray Free Electron Laser (PAL-XFEL) is a 0.1 nm hard X-ray FEL which aims at providing photon flux higher than $1{\times}10^{12}$ photons/pulse using a 10-GeV electron linac. The vacuum system of the machine consists of an injector section including an S-band photocathode RF gun, 10-GeV electron linac section based on S-band normal conducting accelerating structures and a 150-m long out-vacuum undulator system. We introduce the present status of PAL-XFEL vacuum systems.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2014년도 전력전자학술대회 논문집
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• pp.285-286
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• 2014

Recently, the unipolar gate power source is preferred in inverter system because of cost reduction reason. In this case, designer uses 0V source for turning-off the switching devices instead of negative voltage at Vee source. If the gate driver circuit has some stray inductance, the gate voltage would happen a surge voltage. This paper analyzes that of stray inductance effect during the switching behavior in the circuit and the proposed solutions were verified by pulse test.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.155.2-155.2
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• 2013

Strain-relaxed SiGe layer on Si substrate has numerous potential applications for electronic and opto- electronic devices. SiGe layer must have a high degree of strain relaxation and a low dislocation density. Conventionally, strain-relaxed SiGe on Si has been manufactured using compositionally graded buffers, in which very thick SiGe buffers of several micrometers are grown on a Si substrate with Ge composition increasing from the Si substrate to the surface. In this study, a new plasma process, i.e., the combination of PIII&D and HiPIMS, was adopted to implant Ge ions into Si wafer for direct formation of SiGe layer on Si substrate. Due to the high peak power density applied the Ge sputtering target during HiPIMS operation, a large fraction of sputtered Ge atoms is ionized. If the negative high voltage pulse applied to the sample stage in PIII&D system is synchronized with the pulsed Ge plasma, the ion implantation of Ge ions can be successfully accomplished. The PIII&D system for Ge ion implantation on Si (100) substrate was equipped with 3'-magnetron sputtering guns with Ge and Si target, which were operated with a HiPIMS pulsed-DC power supply. The sample stage with Si substrate was pulse-biased using a separate hard-tube pulser. During the implantation operation, HiPIMS pulse and substrate's negative bias pulse were synchronized at the same frequency of 50 Hz. The pulse voltage applied to the Ge sputtering target was -1200 V and the pulse width was 80 usec. While operating the Ge sputtering gun in HiPIMS mode, a pulse bias of -50 kV was applied to the Si substrate. The pulse width was 50 usec with a 30 usec delay time with respect to the HiPIMS pulse. Ge ion implantation process was performed for 30 min. to achieve approximately 20 % of Ge concentration in Si substrate. Right after Ge ion implantation, ~50 nm thick Si capping layer was deposited to prevent oxidation during subsequent RTA process at $1000^{\circ}C$ in N2 environment. The Ge-implanted Si samples were analyzed using Auger electron spectroscopy, High-resolution X-ray diffractometer, Raman spectroscopy, and Transmission electron microscopy to investigate the depth distribution, the degree of strain relaxation, and the crystalline structure, respectively. The analysis results showed that a strain-relaxed SiGe layer of ~100 nm thickness could be effectively formed on Si substrate by direct Ge ion implantation using the newly-developed PIII&D process for non-gaseous elements.

• 한국산림과학회지
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• 제85권3호
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• pp.396-408
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• 1996

본 연구는 우리나라 간벌림 벌채작업에서 작업강도를 구명하여 산림작업을 성력화하며, 아울러 작업방법의 개선과 생산성 향상을 도모하는데 그 목적이 있다. 이를 구명하기 위하여 침엽수 간벌림에서 벌채작업을 요소작업으로 구분하여 순수작업시간과 맥박수를 측정 분석하였으며, 그 결과는 다음과 같다. 1. 맥박수 측정 분석에서 전체 순수작업시간에서의 1분당 평균맥박수는 작업원 A의 경우 108로 나타났으며, 작업원 B의 경우 130, 작업원 C는 119, 그리고 작업원 D는 125로 나타났다. 2. 요소작업 구분별로 맥박수를 분석한 결과에서는 1분당 맥박수가 가장 높을 때는 작업원 A의 경우 주위정리에서 115였고, 작업원 B는 이동에서 131, 작업원 C는 지타작업에서 122, 작업원 D는 현목처리에서 128로 나타났다. 3. 작업원별로 기준맥박을 100%로 보았을 때 작업강도는 작업원 A(기본맥박 61=100%)가 전체 작업강도 160%, 요소작업 구분중에서는 주위정리가 188%로 가장 높게 나타났다. 작업원 B(기본맥박 57=100%)의 전체 작업강도는 220%, 요소작업중에서는 이동이 229%로 가장 높았으며, 작업원 C(기본맥박 73=100%)의 경우에는 전체 강도는 159%, 요소작업중에서는 지타작업이 168%로 가장 높았고, 작업원 D(기본맥박 70=100%)는 전체 작업강도 156%, 요소작업중에서는 현목처리가 182%로 가장 높게 나타났다. 4. 전체 작업강도를 나다내는 작업원에 따른 노동이행능력 한계점에서의 1분당 초과맥박수는 작업원 A의 경우 30, 작업원 B의 경우 207, 작업원 C는 14이며, 작업원 D는 67로 작업원 B가 가장 작업강도가 높아 신체적인 부담을 크게 받는 것으로 나타났다.

• Journal of Acupuncture Research
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• 제25권4호
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• pp.51-58
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• 2008

Objectives : Sypsun-points are located at the tips of all fingers, 0.1 chon(寸) from the finger nails, totaling 10 points on both hands. These points have been used for emergency care, fainting, epilepsy, cerebrovascular accidents, hypertension, unconsciousness, high fever etc. in oriental medicine. The most common technique is bleeding with a needle at these points. We investigated whether Venesection at the Sybsun-points has effects on blood pressure and body temperature and pulse rate in humans aged from 20 to 30 who had no specific past history and whose vital signs are in normal range. Methods : 67 persons were studied from March to June 2008. They were composed of Sample group(n=36) and Normal group(n=31). Both two groups kept a steady state an hour before venesection. In both group, we checked blood pressure and body temperature and pulse rates 6 times( 30min. before and just before treatment, and just after, 30, 60, 90min after treatment). All study environments were same between sample and normal group. But only, normal group didn't carry out venesection at the Sybsun-points. Results : In a comparison of before and after venesection at the Sybsun-points, any Statistical significance was not evaluated. Though pulse rate in sample group was significantly decreased after venesection(p<0.05), it has no statistical significance because normal group's pulse rate was also significantly decreased and between two groups had no statistical difference. Conclusions : Though further study is needed, our findings suggest that venesection at the Sybsun-points has no significant effect on blood pressure and body temperature, and pulse rate in humans who had no specific past history and whose vital signs are in normal range. Also in that case, we may know that pain and tension result from venesection at the Sybsun-points have no significant effect on blood pressure and body temperature and pulse rate.

• 한국항공우주학회지
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• 제33권1호
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• pp.69-77
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• 2005

KSR-III 개발과정에서 배플을 장착하여 연소 불안정 현상을 해결한 바 있으나, 추력 및 냉각과 관련된 축방향 길이에 대한 최적화 과정을 거치지는 않았다. 이에 수동제어기구로서 사용되는 배플의 축방향 길이의 최적화 및 한계를 평가하기 위하여, 축방향 길이를 작동인자로 하여 연소 안정성 여분을 평가하였다. 외부 교란 발생 장치로서 2번의 기폭이 가능한 펄스건을 사용하였다. 외부 교란에 대한 연소실에서의 응답 특성을, 감쇠 시간과 진폭비와 같은 인자를 도입하여 정량화하였다. 설계점과 탈설계점에서 시험을 수행하였으며, 분사기의 충돌점으로 생각할 수 있는 화염 영역을 감싸지 못하는 경우에는 배플의 충분한 감쇠 능력을 보장할 수 없음을 확인하였다. 따라서 연소 안정성의 여분의 경계는 KSR-III에서의 작동조건 하에서 50 mm 정도의 배플인 것으로 판단되었다.

• 전기전자학회논문지
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• 제15권2호
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• pp.134-142
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• 2011

본 논문에서는 3중 모드 고효율 DC-DC 벅 변환기를 설계하였다. 설계된 벅 변환기는 부하 전류가 큰 경우(100mA~500mA)에는 PWM(Pulse Width Modulation) 제어 방식을 사용하고, 부하 전류가 작은 경우(1mA~100mA)에는 PFM(Pulse Frequency Modulation) 제어 방식을 사용하며, 부하 전류가 1mA 이하인 대기모드(sleep mode)에서는 LDO(Low Drop Out)를 사용한다. 또한, PFM 모드에서 부하 전류가 작은 경우 효율을 증가시키기 위해 DPSS(Dynamic Partial Shutdown Strategy) 기법을 사용하였다. 그 결과 설계된 변환기는 넓은 부하 전류 범위에서 높은 효율을 얻을 수 있다. 제안된 벅 변환기는 CMOS 0.18um공정을 이용하여 설계되었다. 최대 효율은 96.4% 이고, 최대 부하 전류는 500mA이다. 입력과 출력 전압은 각각 3.3V와 2.5V이며, 칩 크기는 PAD를 포함하여 1.15mm ${\times}$ 1.10mm이다.