Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.08a
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pp.284-284
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2013
중 에너지 이온 산란 분석법(Medium Energy Ion Scattering Spectrometer, MEIS)은 50~500 keV로 이온을 가속 후 시료에 입사시켜 시료의 원자와 핵간 충돌로 산란되는 일차이온의 에너지를 측정하여 시료를 분석하는 기법으로, 원자층의 깊이 분해능으로 초박막의 표면 계면의 조성과 구조를 분석 할수 있는 유용한 미세 분석기술이다. 본 실험에서 에너지 70~100 keV의 He+ 이온을 사용하여 Pulse Width 1 ns의 Pulsed ion beam을 만들어 Start 신호로 사용하고 Delay-line-detector에 검출된 신호를 End 신호를 이용한 TOF-MEIS System을 개발하였다. 활용 가능한 분석시편으로 Ultra thin film 시편으로 1, 1.5, 2, 2.5, 3, 4 nm의 HfO2, 1.8, 4nm의 SiO2 시편을 분석 하였으며 Ultra Shallow Junction 시편으로 As Doped Si, Cs Doped Si 시편 및 Composition, Core/shell 구조의 Q-dot 시편으로 CdSe, CdSe/ZnS등 다양한 분석 실험을 진행 하였다. Composition, Core/shell 구조의 Q-dot 시편은 Diamond Like Carbon(DLC)의 Substrate에 Mono-layer로 형성하여 분석하였다.
A new and simple calibration technique that greatly enhances the measurement sensitivity of conventional fiber-optic reflectometry based on Fresnel reflection from the tip of a fiber is used for demonstrating the feasibility of measuring solute concentrations and index changes in fluids to very high precision. The amplitude of pulses originating from reflection from the fiber-fluid interface is compared in real-time with the amplitude of reference pulses from a fiber-air interface such that errors caused by pulse amplitude fluctuations and slightly varying detector responses are corrected. Using solutions of salt and water, it is demonstrated that the technique is capable of measuring index changes of about $1 {\times} 10^{-5}$ corresponding to a salt concentrations of 0.01 %.
In this paper, we develop a measurement system that uses 3D Scintillator and NaI(TI) Detector to 3-dimensionally identify the location of multiple radiation sources in moving vehicle loads. The radiation measurement system consists of radiation measurement (plastic scintillator), 2-channel Pulse Counter Board, nuclide analysis (NaI(TI) detector) and 1 channel MCA Board. The source locator algorithm calculates the coordinate value of the ratio of the CPS value($1/r^2$) of the source according to the angle(${\theta}$) in inverse proportion to the square of the distance(X, Y) through the SVM classification. The coordinate values are input every predetermined period of the spectrum, and after analyzing the spectrum per unit cycle, the position of the nuclide at the time is calculated by determining whether or not the nuclide is present in the remaining part except for the background area. As a result of the position discrimination test, the error within the international standard of ${\pm}1m$ was shown. Thus, the utility of the proposed system has been demonstrated.
An, Joonghyun;Youn, Jiae;Cho, Jeonghun;Park, Daejin
Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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v.52
no.12
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pp.99-108
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2015
The embedded microcontroller which is operated by the logic gates synchronized on the clock pulse, is gradually used as main controller of mission-critical systems. Severe electrical situations such as high voltage/frequency surge may cause malfunctioning of the clock source. The tolerant system operation is required against the various external electric noise and means the robust design technique is becoming more important issue in system clock failure problems. In this paper, we propose on-chip backup clock change architecture for the automatic clock failure detection. For the this, we adopt the edge detector, noise canceller logic and glitch-free clock changer circuit. The implemented edge detector unit detects the abnormal low-frequency of the clock source and the delay chain circuit of the clock pulse by the noise canceller can cancel out the glitch clock. The externally invalid clock source by detecting the emergency status will be switched to back-up clock source by glitch-free clock changer circuit. The proposed circuits are evaluated by Verilog simulation and the fabricated IC is validated by using test equipment electrical field radiation noise
An objection of this study is to develop a measuring circuit of a gauge using radioisotope for compaction control. The gauge developed in this study makes use of radioisotope with the activity exempted from domestic atomic law and consists of measuring circuits for gamma-rays and thermal neutrons, a high voltage supply unit, and a microprocessor. To obtain meaningful numbers of pulse counts, parallel five and two circuits are provided for gamma-rays and thermal neutrons, respectively. Being simple in electrical characteristics of G-M detector for gamma-rays, pulses are counted through only a shaping circuit. Very small pulses generated from He- 3 proportional detector for thermal neutrons are amplified to the maximum of 50 [dB] and a window comparator accepts only pulses with meaning. To minimize effects of natural environmental radiation and electrical noise, circuits are electrostatically shielded and pulses made by ripples are eliminated by taking frequency of high voltage supplied to the circuit and pulse height of ripples into consideration. One-chip microprocessor is applied to process various counts, results are stored and the gauage is made capable to communicate with PC. Enough and meaningful numbers of pulses are counted with the prototype gauage for compaction control.
Adsorption characteristics of 1,2-dichlorobenzene on the surface of heat treated silica gel were determined by the moment analysis. The heat treatment of the silica gel was performed at temperatures of 150, 500, and $800^{\circ}C$ and pulse-response of 1,2-dichlorobenzene was measured in a gas chromatograph equipped with thermal conductivity detector (TCD) using the packed column. Equilibrium adsorption constants and isosteric heat of adsorption were recorded the highest value at $500^{\circ}C$. This might be due to the increase of interaction between silica surface and 1,2-dichlorobenzene as the decrease of OH concentration and moisture by increase of heating temperature. Axial dispersion coefficient calculated by the moment method was about $0.046{\times}10^{-4}{\sim}1.033{\times}10^{-4}m^2/sec$ and pore diffusivity of heat treated silica gel at $500^{\circ}C$ measured the lowest value. Because heat treating at $800^{\circ}C$ caused the specific surface area to reduce, equilibrium adsorption constants and isosteric heat of adsorption were decreased.
The optical characteristics of a terahertz (THz) antenna-coupled bolometer (ACB) detector were evaluated using a pulsed quantum cascade laser (QCL) and radiation blackbody sources. We investigated a method for measuring the responsivity and noise-equivalent power (NEP) of the THz detector using two different types of light sources. When using a QCL source with a frequency of 3 THz, the average responsivity of 24 devices was $1.44{\times}10^3V/W$ and the average NEP of those devices was $3.33{\times}10^{-9}W/{\surd}Hz$. The average responsivity and NEP as measured by blackbody source were $1.79{\times}10^5V/W$ and $6.51{\times}10^{-11}W/{\surd}Hz$, respectively, with the measured values varying depending on the light source. This was because the output power of each light source was different, with the laser source being driven by a pulse type wave and the blackbody source being driven by a continuous wave. The power input to the THz sensor was also different. Futhermore, the responsivity and NEP values measured using band pass filter (BPF) were similar to those measured when using only THz windows. It was found that ACB sensor responds normally in the THz region to both the laser and the blackbody source, and the method was confirmed to effectively evaluate the characteristics of the THz sensor.
This paper describes a ultrasonic signal processing front-end IC for distance range meter and body detector. The burst shaped ultrasonic signal is generated by a self oscillator and its frequency range is about 40[kHz]-300[kHz]. The generated ultrasonic signal transmit through piezo resonator. The another piezo device transduce from received ultrasonic signal to electrical signals. This front-end IC contained low noise amplifier, band pass filter, busrt detector and time pulse generator and so on. This IC has two type of new idea for improve function and performance, which are self frequency control (SFC) and Variable Gain Control amplifier (VGC) scheme. The dimensions and number of external parts are minimized in order to get a smaller hardware size. This device has been fabricated in a O.6[um] double poly, double metal 40[V] High Voltage CMOS process.
This paper presents the design of dual mode boost converter for energy harvesting. The designed converter boosts low voltage from energy harvester through a startup circuit. When the voltage goes above predefined value, supplied voltage to startup circuit is blocked by voltage detector. Boost controller makes the boosted voltage into $V_{OUT}$. The proposed circuit consists of oscillator for charge pump, charge pump, pulse generator, voltage detector, and boost controller. The proposed converter is designed and fabricated using a $0.18{\mu}m$ CMOS process. The designed circuit shows that minimum input voltage is 600mV, output is 3V and startup time is 20ms. The boost converter achieves 47% efficiency at a load current of 3mA.
In this paper, the characteristics of therapy radiation diode sensors have been studied by using therapy radiation from the MM22 microtron accelerator. The linearity, reproducibility and error ratio were measured for feasibility as a radiation detector. Energy dependence, sensitivity change after a amount of irradiation and output value according to a number of diodes were also measured for same purpose. We have formed pulse shaping of diode signal with nuclear instruments for portal image reconstruction. The percent depth dose ratio according to field size and depth was compared with that of the detector of a ion chamber. Using thirteen silicon diodes, we can directly read diode outputs on a computer monitor after A/D conversion with 16 channels analog to digital conversion board with 12 bit resolution. The possibility for portal image with diodes has been suggested from output comparison between output value with a human phantom and that without a human phantom.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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