The purpose of this study was to discern the critical point in skeletal muscle fatty acid oxidation by changing plasma free fatty acids (FFA) level in rat. In the study, 3 key steps in lipid oxidation were examined after changing plasma FFA level by acipimox. The rates of both palmitate and palmitoylcarnitine oxidation were decreased by decrease of plasma FFA level, however, carnitine palmitoyl transferase (CPT) 1 activity was not changed, suggesting CPT1 activity may not be involved in the fatty acid oxidation at the early phase of plasma FFA change. In the fasted rats, ${\beta}-hydroxy$ acyl-CoA dehydrogenase (${\beta}$-HAD) activity was depressed to a similar extent as palmitate oxidation by a decrease of plasma FFA level. This suggested that ${\beta}-oxidation$ might be an important process to regulate fatty acid oxidation at the early period of plasma FFA change. Citrate synthase activity was not altered by the change of plasma FFA level. In conclusion, the critical step in fatty acids oxidation of skeletal muscles by the change of plasma FFA level by acipimox in fasting rats might be the ${\beta}-oxidation$ step rather than CPT1 and TCA cycle pathways.
Plasma nitrocarburising and post oxidation were performed on SCM435 steel by a pulsed plasma ion nitriding system. Plasma oxidation resulted in the formation of a very thin ferritic oxide layer 1-2 $\mu\textrm{m}$ thick on top of a 15~25 $\mu\textrm{m}$$\varepsilon$-F $e_{2-3}$(N,C) nitrocarburized compound layer. The growth rate of oxide layer increased with the treatment temperature and time. However, the oxide layer was easily spalled from the compound layer either for both oxidation temperatures above $450^{\circ}C$, or for oxidation time more than 2 hrs at oxidation temperature $400^{\circ}C$. It was confirmed that the relative amount of $Fe_2$$O_3$, compared with $e_3$$O_4$, increased rapidly with the oxidation temperature. The amounts of ${\gamma}$'-$Fe_4$(N,C) and $\theta$-$Fe_3$C, generated from dissociation from $\varepsilon$-$Fe_{2-3}$ /(N,C) phase during $O_2$ plasma sputtering, were also increased with the oxidation temperature.e.
Plasma nitrocarburising and plasma post oxidation were performed to improve the wear and corrosion resistance of S45C and SCM440 steel by a plasma ion nitriding system. Plasma nitrocarburizing was conducted for 3h at $570^{\circ}C$ in the nitrogen, hydrogen and methane atmosphere to produce the ${\varepsilon}-Fe_{2-3}$(N, C) phase. Plasma post oxidation was performed on the nitrocarburized samples with various oxygen/hydrogen ratio at constant temperature of $500^{\circ}C$ for 1 hour. The very thin magnetite ($Fe_3O_4$) layer $1-2{\mu}m$ in thickness on top of the $15{\sim}25{\mu}m$${\varepsilon}-Fe_{2-3}$(N, C) compound layer was obtained by plasma post oxidation. A salt spray test and electrochemical testing revealed that in the tested 5% NaCl solution, the corrosion characteristics of the nitrocarburized compound layer could be further improved by the application of the superficial magnetite layer. Throttle valve shafts were treated under optimum plasma processing conditions. Accelerated life time test results, using throttle body assembled with shaft treated by plasma nitrocarburising and post oxidation, showed that plasma nitrocarburizing and plasma post oxidation processes could be a viable technology in the very near future which can replace $Cr^{6+}$ plating.
We investigated the interface defect engineering and reaction mechanism of reduced transition layer and nitride layer in the active plasma process on 4H-SiC by the plasma reaction with the rapid processing time at the room temperature. Through the combination of experiment and theoretical studies, we clearly observed that advanced active plasma process on 4H-SiC of oxidation and nitridation have improved electrical properties by the stable bond structure and decrease of the interfacial defects. In the plasma oxidation system, we showed that plasma oxide on SiC has enhanced electrical characteristics than the thermally oxidation and suppressed generation of the interface trap density. The decrease of the defect states in transition layer and stress induced leakage current (SILC) clearly showed that plasma process enhances quality of $SiO_2$ by the reduction of transition layer due to the controlled interstitial C atoms. And in another processes, the Plasma Nitridation (PN) system, we investigated the modification in bond structure in the nitride SiC surface by the rapid PN process. We observed that converted N reacted through spontaneous incorporation the SiC sub-surface, resulting in N atoms converted to C-site by the low bond energy. In particular, electrical properties exhibited that the generated trap states was suppressed with the nitrided layer. The results of active plasma oxidation and nitridation system suggest plasma processes on SiC of rapid and low temperature process, compare with the traditional gas annealing process with high temperature and long process time.
Plasma-photocatalytic oxidation process was applied in the decomposition of Triethylamine(TEA) and Methyl ethyl ketone(MEK). Plasma reactor was made entirely of pyrex glass and consists of 24mm inner diameter, 1,800mm length and discharge electrode of 0.4mm stainless steel. And initial concentrations of TEA and MEK for plasma-photocatalytic oxidation are 100 ppm. Odor gas samples were taken by gas-tight syringe from a glass sampling bulb which was located at reactor inlet and outlet, and TEA and MEK were determined by GC-FID. For plasma process, the decomposition efficiency of TEA and MEK were evaluated by varying different flowrates and decomposition efficiency of TEA and MEK increased considerably with decreasing treatment flowrates. For photocatalytic oxidation process, also the decomposition efficiency of TEA and MEK increased considerably with decreasing treatment flowrates. The decomposition efficiency of MEK was 57.8%, 34.2%, 18.8% respectively and the decomposition efficiency of TEA was reached all 100%. This result is higher than that of plasma process only, From this study, the results indicate that plasma-photocatalytic oxidation process is ideal for treatment of TEA and MEK.
목적: 이 연구 목적은 가공한 마그네슘 합금 AZ31 안경테를 plasma electrolytic oxidation(PEO) 표면 처리 후 표면특성에 대하여 조사하는 것이다. 방법: Plasma electrolytic oxidation(PEO) 표면 처리는 DC 전압을 변화시키며 처리하였고, 피막의 상 분석은 X-ray 회절기로 측정하였고, 형태학적 미세구조는 주사전자현미경로 관찰하였다. 그리고 피막층에 존재하는 원소의 농도를 에너지 분산 X-선 스펙트럼으로 조사하였다. 결과: PEO 처리시 전압이 증가함에 따라 XRD 측정 결과 MgO 피크가 증가하였으며, SEM 사진에서는 표면의 산화피막이 조밀하게 생기는 것을 확인 할 수 있었다. 그리고 EDS에서 성분의 변화도 일치함을 보여주었다. 결론: PEO 산화피막층은 전압이 증가 할수록 MgO 화합물의 형성이 점점 증가하기 때문에 산화막의 결정화가 진행되며, 65V에 60초 처리 시 표면상태, 접촉각, 내식성 시험에서 가장 좋은 결과를 보여 주었다.
Titanium dioxide ($TiO_2$) is a promising dielectric material in the semiconductor industry for its high dielectric constant. However, for utilization on Si substrate, $TiO_2$ film meets with a difficulty due to the large leakage currents caused by its small conduction band energy offset from Si substrate. In this study, we propose an in-situ plasma oxidation process in plasma-enhanced atomic layer deposition (PE-ALD) system to form an oxide barrier layer which can reduce the leakage currents from Si substrate to $TiO_2$ film. $TiO_2$ film depositions were followed by the plasma oxidation process using tetrakis(dimethylamino)titanium (TDMAT) as a Ti precursor. In our result, $SiO_2$ layer was successfully introduced by the plasma oxidation process and was used as a barrier layer between the Si substrate and $TiO_2$ film. Metal-oxide-semiconductor ($TiN/TiO_2/P-type$ Si substrate) capacitor with plasma oxidation barrier layer showed improved C-V and I-V characteristics compared to that without the plasma oxidation barrier layer.
One known effect of long chain n-3 polyunsaturated fatty acids is their ability to decrease plasma triglycerides. However, identification of the specific n-3 fatty acids and the underlying mechanisms responsible for this change remains uncertain. This present study was designed to evaluate the effects of moderate levels of dietary docosahexaenoic acid (22 :6(n-3)) on modulating plasma triglyderides. Male CD-1 mice were maintained for 15 days on identical diets containing either docosahexahexaenoic acid ethyl ester(1.5%, w/w) or linoleic acid(18 : 2(n-6)) ethyl ester (1.5%, w/w) . Plasma triglycerides were 40% lower in the docosahexaenoic acid group than in the linoleic acid group. Hepatic carnitine palmitoyltransferase activity (a key regulatory enzyme for mitocondria $\beta$-oxidation) was not significantly different between the dietary groups. However, plasma acid soluble acylcarnitine levels (which increase with increasing $\beta$-oxidation )were significantly higher in the decosahexaenoic acid group. This data suggests that plasma triglyceride levels are lower in mice fed diets containing moderate levels of docosahexaenoic acid compared to linoleic acid, but this effect on plasma triglycerides is not modulated through an augmentation of mitochondrial $\beta$-oxidation.
Plasma nitrocarburizing and plasma oxidizing treatments were performed to improve the wear and corrosion resistance of SKD 11 steel. Plasma nitrocarburizing was conducted for 12 h at $520^{\circ}C$ in the nitrogen, hydrogen and methane atmosphere to produce the $\varepsilon-Fe_{2-3}(N,C)$ phase. It was found that the compound layer produced by plasma nitrocarburising was predominantly composed of $\varepsilon-phase$, with a small proportion of $\gamma'-Fe_4(N,C)$ phase. The thickness of the compound layer was about $5{\mu}m$ and the diffusion layer was about $150{\mu}m$ in thickness, respectively. Plasma post oxidation was performed on the nitrocarburized samples with various oxygen/hydrogen ratio at constant temperature of $500^{\circ}C$ for 1 hour. The very thin magnetite($Fe_3O_4$) layer $1-2{\mu}m$ in thickness on top of the compound layer was obtained by plasma post oxidation. It was confirmed that the corrosion characteristics of the nitrocarburized compound layer could be further improved by the application of the superficial magnetite layer.
Plasma electrolyte oxidation (PEO) 표면처리된 Mg 합금을 scanning electron microscopy (SEM) 방법으로 표면에 형성된 산화 막을 조사 분석하였다. 측정은 상온에서 수행하였다. Burning 및 PEO 방식의 표면처리 방법을 통해 제작 된 시료의 산화막을 SEM, EDS 및 I-V 측정을 통해 분석하였다. 그 결과 burning 방식의 표면처리가 PEO보다 내식성이 떨어지는 단점이 있지만, 전도성이 부여되는 결과를 나타낸다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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