• 제목/요약/키워드: Planar Array

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다이폴형 방사 패턴을 갖는 4소자 L-슬롯 배열 모노폴 안테나 (Four-Elements L-Shaped Slot Array Monopole Antenna with Dipole-like Radiation Pattern)

  • 남성수;이홍민
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제20권3호
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    • pp.273-279
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    • 2009
  • 본 논문에서는 다이폴형 방사 패턴을 나타내며, 저자세를 갖는 안테나를 제안하였다. 제안된 안테나는 0.43 $\lambda_g$ 길이의 L형 슬롯 소자를 기본으로 하여 4개의 슬롯 소자 배열로 평면형 모노폴 안테나의 기저단이 정합 구성되었다. 제안된 안테나는 수평면 내에서 무지향성 방사 패턴을 나타내며, 브로드 사이드 방향에서는 영점을 갖는다. 설계에서 커패시턴스 소자로 동작되는 소형 모노폴 안테나를 4개의 L형 슬롯에 의하여 일부분이 제거되어진 접지 면과 결합시켰다. 그 결과 이들 구조들은 방사를 위한 LC 공진기로 동작하게 된다. 제안된 안테나의 실제 측정 결과, 임피던스 대역폭(VSWR$\leq$2)은 60 MHz(2.35$\sim$2.41 GHz)로 나타났으며, 동작 중심 주파수 2.38 GHz에서 최대 이득과 방사 효율은 각각 0.02 dBi, 56.7 %로 나타났다. 제안된 안테나는 무선 랜 액세스 포인트 시스템에 적용될 수 있을 것으로 사료된다.

원통 구조에서 공간 콘볼루션을 이용한 상호 방사 임피던스 계산 (Calculation of the Mutual Radiation Impedance by the Spatial Convolution in the Cylindrical Structure)

  • 복태훈;이잉;팽동국;이종길;신구균;조치영
    • 한국음향학회지
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    • 제29권1호
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    • pp.1-9
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    • 2010
  • 공간 콘볼루션을 이용하여 원통형 구조에서 진동체 사이의 상호 방사 임피던스를 계산하였다. 본 계산 방식은 평면 배열을 공간 콘볼루션에 의해 원통 구조로 변환하고 이에 대한 상호 방사 임피던스를 계산하는 것으로서 정확한 형태의 원통형 배플을 고려하지는 못하지만 계산 시간을 단축할 수 있는 효과가 있다. 본 논문에서 제안하는 공간 콘볼루션 방식에 의한 계산 결과를 기존의 4중 적분 방식에 의한 계산 결과와 비교하여 계산 방식에 대한 오차를 분석하였고, 또한 배열 구조에서 발생하는 오차를 분석하기 위해 평면 배열에서의 결과와 비교하였다. 앞의 두 가지 형태의 비교를 통하여 본 계산 방식에 대한 오차를 확인하였고, 아울러 오차 범위 내에 있는 구간에서는 공간 콘볼루션에 의한 원통 구조라 할 지라도 제한적으로 사용할 수 있음을 확인하였다.

Experiments of a Novel Magnetic Levitation Stage for Wide Area Movements

  • Jeon, Jeong-Woo;Caraiani, Mitica;Oh, Hyeon-Seok;Kim, Sung-Shin
    • Journal of Electrical Engineering and Technology
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    • 제7권4호
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    • pp.558-563
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    • 2012
  • In this paper, a novel planar type magnetic levitation system without other assistant devices is proposed and it can move with 6 degree of freedom (X, Y, Z, ${\theta}_X$, ${\theta}_Y$, ${\theta}_Z$) in wafer size as well as in nano scale positioning.The mover is composed with 2-D Halbach permanent magnet array and the stator is composed with $10{\times}10$ coil arrays.It was composed in laboratory and tested with short stroke (4 [mm]) and long stroke (160 [mm])movements. The errors of short movement test is [X, Y, Z, ${\theta}_X$, ${\theta}_Y$, ${\theta}_Z$]${\leq}$ [${\pm}200nm$, ${\pm}200nm$, ${\pm}250nm$, ${\pm}3urad$, ${\pm}2urad$, ${\pm}1urad$]The errors of long stroke movement test is [X, Y, Z, ${\theta}_X$, ${\theta}_Y$, ${\theta}_Z$]${\leq}$ [${\pm}200nm$, ${\pm}200nm$, ${\pm}250nm$, ${\pm}1.5urad$, ${\pm}2urad$, ${\pm}0.5urad$].

Fabrication of Electrochemical Sensor with Tunable Electrode Distance

  • Yi, Yu-Heon;Park, Je-Kyun
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제5권1호
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    • pp.30-37
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    • 2005
  • We present an air bridge type electrode system with tunable electrode distance for detecting electroactive biomolecules. It is known that the narrower gap between electrode fingers, the higher sensitivity in IDA (interdigitated array) electrode. In previous researches on IDA electrode, narrower patterning required much precise and expensive equipment as the gap goes down to nanometer scale. In this paper, an improved method is suggested to replace nano gap pattering with downsizing electrode distance and showed that the patterning can be replaced by thickness control using metal deposition methods, such as electroplating or metal sputtering. The air bridge type electrode was completed by the following procedures: gold patterning for lower electrode, copper electroplating, gold deposition for upper electrode, photoresist patterning for gold film support, and copper etching for space formation. The thickness of copper electroplating is the distance between upper and lower electrodes. Because the growth rate of electroplating is $0.5{\mu}m\;min^{-1}$, the distance is tunable up to hundreds of nanometers. Completed electrodes on the same wafer had $5{\mu}m$ electrode distance. The gaps between fingers are 10, 20, 30, and $40{\mu}m$ and the widths of fingers are 10, 20, 30, 40, and $50{\mu}m$. The air bridge type electrode system showed better sensitivity than planar electrode.

Spatial DLC를 기반으로 한 적응적 SLB 채널 합성에 대한 연구 (Synthesis Method for the Adaptive SLB Channel Based on the Spatial DLC)

  • 장윤희;김환우
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제29권8호
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    • pp.608-614
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    • 2018
  • 본 논문은 1차원 배열안테나를 이용한 레이다 시스템에서 간섭 환경에 강인한 적응적 SLB 채널을 합성하는 연구에 대해 기술한 내용이다. 기존에 연구된 spatial DLC를 이용한 SLB 채널 합성은 매우 간단히 구현 가능하면서도 효과적으로 각도 방향의 부엽 신호를 blanking시킨다. 이 방식을 기반으로 correlation 행렬을 이용하여 간섭 신호를 제거하는 적응적 빔형성 기법을 추가로 적용하였다. 적응적 SLB 채널은 강한 간섭 신호를 잡음 레벨 이하로 억제시키므로, 간섭 환경에서도 좋은 SLB 성능을 보장할 수 있다. 해당 연구는 추후 평면배열안테나의 레이다 시스템으로 확장할 계획이다.

참조패턴 기반의 2차원 변위 측정 방법론 (Measuring Methods for Two-dimensional Position Referring to the Target Pattern)

  • 정광석;이상헌;박성준
    • 한국생산제조학회지
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    • 제22권1호
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    • pp.77-84
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    • 2013
  • In this paper, we review two-dimensional measuring methods referring to target patterns. The patterns consist of two linearly-repeated patterns or is designed repeatedly in two-dimension. The repeated properties are reflectivity, refractivity, air-gapping distance, capacitance, magnetic reluctance, electrical resistance and sloping gradient, etc. However, the optical methods are generally used for high speed processing and density, and their encoding principles are treated here. In case of two-dimensional pattern, as there is not inherently error between single units encoding the pattern except for the metrology frame errors, the end-effector position of an object accompanying the pattern can be measured with respect of the global frame without via error. Therefore, it is regarded as a substitute for laser interferometer with severe environmental constraints and has been applied to the high-accurate planar actuator.

유전박막이 도포된 나노원뿔 패턴된 단결정 Si 기판의 광특성 (Optical Characteristics of Nanocone-patterned c-Si Wafers Coated with Dielectric Thin Films)

  • 김은아;박지민;고은지;김동욱
    • Current Photovoltaic Research
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    • 제5권2호
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    • pp.55-58
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    • 2017
  • We investigated the influences of dielectric thin film coating on the optical characteristics of c-Si wafers with nanocone (NC) arrays using finite-difference time-domain (FDTD) simulations. Dielectric thin films on high-refractive-index surface can lower optical reflection and reflection dips appear at the wavelengths where destructive interference occurs. The optical reflection of the NC arrays was lower than that of the dielectric-coated planar wafer in broad wavelength range. Remarkable antireflection effects of the NC array could be attributed to beneficial roles of the NCs, including the graded refractive index, multiple reflection, diffraction, and Mie resonance. Dielectric thin films modified the optical reflection spectra of the NC arrays, which could not be explained by the interference alone. The optical properties of the dielectric-coated NC arrays were determined by the inherent optical characteristics of the NC arrays.

음장의 공간적 변환기법을 이용한 타이어 구조 진동 소음 측정 (Measurement of Tire Structural Vibration Noise Using Spatial Transformation of Sound Field Technique)

  • 김병삼
    • 한국음향학회지
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    • 제14권5호
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    • pp.11-19
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    • 1995
  • 본 논문에서는 불규칙한 노면이 설치된 섀시 동력계(chassis dynamometer)로 부터 가진된 타이어의 구조 진동 소음을 음장의 공간적 변환기법을 이용하여 측정하였다. 음장의 공간적 변환기법은 소음원으로 부터 원거리까지의 전파를 계산하는 기법이다. 즉, 한평면의 음향 측정으로 부터 측정 평면에서 멀리 떨어지거나 더 가까운 평면에서의 음장을 표현하는 변수들인 음압, 음향 인텐시티, 입자속도 등을 계산한다. 측정 평면에서 음원쪽으로 가까운 평면의 계산은 관접음장 홀로그래피를 적용하여 계산하고 먼 쪽은 헬름흘쓰 적분식을 적용한다 측정결과로 부터 타이어 구조 진동 소음의 방사형태와 소음원의 위치를 예측하였다.

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Photonic 안테나에서 광섬유와 마이크로스트립 안테나사이의 새로운 결합조건 (Novel Coupling Condition between Optical Fiber and Microstrip Antenna in Photonic Antenna)

  • 호광춘
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제43권4호
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    • pp.31-37
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    • 2006
  • 광 신호 제어 시스템에서 사용되는 광/안테나 연결회로의 제작 간소화에 대한 중요성이 지속적으로 대두되고 있다. 이를 위하여, 본 논문에서는 광섬유로 제작된 새로운 형태의 photonic 안테나 설계에서 광 도전 효과에 기인한 광섬유와 슬롯 결합형 마이크로 스트립 안테나 사이의 광 결합효율을 수치 해석적으로 분석하였다. 결합특성을 정확하게 분석하기 위하여 원통형, 평면형 전송구조들이 결합할 때 발생하는 불연속 특성을 포함한 새로운 모드 전송선로 이론을 정의하였다 분석결과, 서로 다른 두 전송구조에서의 최대 전력전송은 그 결합영역에서 전파하는 정확한 두 모드들의 전송전력이 균등하게 분배되는 새로운 지점에서 발생함을 보였다.

Partially-insulated MOSFET (PiFET) and Its Application to DRAM Cell Transistor

  • Oh, Chang-Woo;Kim, Sung-Hwan;Yeo, Kyoung-Hwan;Kim, Sung-Min;Kim, Min-Sang;Choe, Jeong-Dong;Kim, Dong-Won;Park, Dong-Gun
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제6권1호
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    • pp.30-37
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    • 2006
  • In this article, we evaluated the structural merits and the validity of a partially insulated MOSFET (PiFET) through the fabrication of prototype transistors and an 80 nm 512M DDR DRAM with partially-insulated cell array transistors (PiCATs). The PiFETs showed the outstanding short channel effect immunity and off-current characteristics over the conventional MOSFET, resulting from self-induced halo region, self-limiting SID shallow junction, and reduced junction area due to PiOX layer formation. The DRAM with PiCATs also showed excellent data retention time. Thus, the PiFET can be a promising alternative for ultimate scaling of planar MOSFET.