Artemisia princes var. orientalis의 수용성 추출물이 식품, 화장품, 의약품 등의 항균제로 이용될 수 있는지에 대해 연구 하였다. 순수한 물을 이용한 추출물에서는 항균성을 찾기 힘들었고, 쑥의 줄기와 잎 부분에서 메탄올로 추출한 후 물로 추출한 물이 Staphylococcus aureus에 대해서 항균성을 크게 나타냈으며, 잎이 줄기 부분보다 더 큰 항균성을 나타냄을 확인했다. 항균성을 갖는 물질을 밝혀내기 위해 쑥의 주된 항균 성분이라 알려진 caffeic acid와 비교 실험을 하였다. UV 특성곡선에서 caffeic acid와 유사한 phenolic compound의 profiling은 확인할 수 있었으나 caffeic acid의 disc diffusion method를 이용한 실험에서는 항균능력을 나타내지 않았다. 물질규명을 위해 추출물을 세 부분으로 분획 하였고, 이 중에서 Staphylococcus aureus에 대해 항균성은 UK 2에서 크게 나타났다. 본 연구는 Artemisia princeps var. orientalis 의 메탄올 후 물 추출물이 항균제로써의 가능성을 알아봄으로써 식품 또는 화장품의 보존료나 항균제의 이용성이 있음을 충분히 확인하였다.
An optical method to measure the size and number density of soot aggregates in diesel exhaust has been proposed in this study. Two laser beams in co-axial alignment transmit a soot loaded exhaust gas flow, and the transmittance at each wavelength is detected by a photo diode simultaneously. The volume equivalent diameter and number density of soot aggregates in the optical path can be theoretically given by the transmittance values measured at two wavelengths. A test conducted by a single cylinder, 4 cycle, small and DI diesel engine shows that the temporal variations of the size and number density of soot aggregates in the diesel exhaust can be measured by the proposed method at a transient mode operation. It is found that the volume equivalent diameter varied temporally from 70 to 110 nm during the period that high soot concentration is observed. One can also conclude that the optical length longer than 1 m in the dynamic range regarding this method is preferable for measuring soot concentration at the level of $1\;mg/m^3$.
The system design and the system performance analysis of 3D imaging laser radar system for the mapping purpose is addressed in this article. For the mapping, a push-bloom scanning method is utilized. The pulsed fiber laser with high pulse energy and high pulse repetition rate is used for the light source of laser radar system. The high sensitive linear mode InGaAs avalanche photo-diode is used for the laser receiver module. The time-of-flight of laser pulse from the laser to the receiver is calculated by using high speed FPGA based signal processing board. To reduce the walk error of laser pulse regardless of the intensity differences between pulses, the time of flight is measured from peak to peak of laser pulses. To get 3D image with a single pixel detector, Risley scanner which stirs the laser beam in an ellipsoidal pattern is used. The system laser energy budget characteristics is modeled using LADAR equation, from which the system performances such as the pulse detection probability, false alarm and etc. are analyzed and predicted. The test results of the system performances are acquired and compared with the predicted system performance. According to test results, all the system requirements are satisfied. The 3D image which was acquired by using the laser radar system is also presented in this article.
Gallium Nitride(GaN) attracts great attention due to their wide band gap energy (3.4eV), high thermal stability to the solid state lighting devices like LED, Laser diode, UV photo detector, spintronic devices, solar cells, sensors etc. Recently, researchers are interested in synthesis of polycrystalline and amorphous GaN which has also attracted towards optoelectronic device applications significantly. One of the alternatives to deposit GaN at low temperature is to use Single Source Molecular Percursor (SSP) which provides preformed Ga-N bonding. Moreover, our group succeeds in hybridization of SSP synthesized GaN with Single wall carbon nanotube which could be applicable in field emitting devices, hybrid LEDs and sensors. In this work, the GaN thin films were deposited on c-axis oriented sapphire substrate by MBE (Molecular Beam Epitaxy) using novel single source precursor of dimethyl gallium azido-tert-butylamine($Me_2Ga(N_3)NH_2C(CH_3)_3$) with additional source of ammonia. The surface morphology, structural and optical properties of GaN thin films were analyzed for the deposition in the temperature range of $600^{\circ}C$ to $750^{\circ}C$. Electrical properties of deposited thin films were carried out by four point probe technique and home made Hall effect measurement. The effect of ammonia on the crystallinity, microstructure and optical properties of as-deposited thin films are discussed briefly. The crystalline quality of GaN thin film was improved with substrate temperature as indicated by XRD rocking curve measurement. Photoluminescence measurement shows broad emission around 350nm-650nm which could be related to impurities or defects.
We have generated Ar plasma in dense plasma focus device with coaxial electrodes for extreme ultraviolet (EUV) lithography and investigated an emitted visible light for electro-optical plasma diagnostics. We have applied an input voltage 4.5 kV to the capacitor bank of 1.53 uF and the diode chamber has been filled with Ar gas of pressure 8 mTorr. The inner surface of the cylindrical cathode has been attatched by an acetal insulator. Also, the anode made of tin metal. If we assumed that the focused plasma regions satisfy the local thermodynamic equilibrium (LTE) conditions, the electron temperature and density of the coaxial plasma focus could be obtained by Stark broadening of optical emission spectroscopy (OES). The Lorentzian profile for emission lines of Ar I of 426.629 nm and Ar II of 487.99 nm were measured with a visible monochromator. And the electron density has been estimated by FWHM (Full Width Half Maximum) of its profile. To find the exact value of FWHM, we observed the instrument line broadening of the monochromator with a Hg-Ar reference lamp. The electron temperature has been calculated using the two relative electron density ratios of the Stark profiles. In case of electron density, it has been observed by the Stark broadening method. This experiment result shows the temporal behavior of the electron temperature and density characteristics for the focused plasma. The EUV emission signal whose wavelength is about 6 ~ 16 nm has been detected by using a photo-detector (AXUV-100 Zr/C, IRD). The result compared the electron temperature and density with the temporal EUV signal. The electron density and temperature were observed to be $10^{16}\;cm^{-3}$ and 20 ~ 30 eV, respectively.
We measured grating pitch standards using optical diffractometry and analyzed measurement uncertainty. Grating pitch standards have been used widely as a magnification standard for a scanning electron microscope (SEM) and a scanning probe microscope (SPM). Thus, to establish the meter-traceability in nano-metrology using SPM and SEM, it is important to certify grating pitch standards accurately. The optical diffractometer consists of two laser sources, argon ion laser (488 nm) and He-Cd laser (325 nm), optics to make an incident beam, a precision rotary table and a quadrant photo-diode to detect the position of diffraction beam. The precision rotary table incorporates a calibrated angle encoder, enabling the precise and accurate measurement of diffraction angle. Applying the measured diffraction angle to the grating equation, the mean pitch of grating specimen can be obtained very accurately. The pitch and orthogonality of two-dimensional grating pitch standards were measured, and the measurement uncertainty was analyzed according to the Guide to the Expression of Uncertainty in Measurement. The expanded uncertainties (k = 2) in pitch measurement were less than 0.015 nm and 0.03 nm for the specimen with the nominal pitch of 300 nm and 1000 nm. In the case of orthogonality measurement, the expanded uncertainties were less than $0.006^{\circ}$. In the pitch measurement, the main uncertainty source was the variation of measured pitch values according to the diffraction order. The measurement results show that the optical diffractometry can be used as an effective calibration tool for grating pitch standards.
Park, Hee-Won;In, Gyo;Han, Sung-Tai;Lee, Myoung-Woo;Kim, So-Young;Kim, Kyung-Tack;Cho, Byung-Goo;Han, Gyeong-Ho;Chang, Il-Moo
Journal of Ginseng Research
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제37권4호
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pp.457-467
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2013
A quick and simple method for simultaneous determination of the 30 ginsenosides (ginsenoside Ro, Rb1, Rb2, Rc, Rd, Re, Rf, Rg1, 20(S)-Rg2, 20(R)-Rg2, 20(S)-Rg3, 20(R)-Rg3, 20(S)-Rh1, 20(S)-Rh2, 20(R)-Rh2, F1, F2, F4, Ra1, Rg6, Rh4, Rk3, Rg5, Rk1, Rb3, Rk2, Rh3, compound Y, compound K, and notoginsenoside R1) in Panax ginseng preparations was developed and validated by an ultra performance liquid chromatography photo diode array detector. The separation of the 30 ginsenosides was efficiently undertaken on the Acquity BEH C-18 column with gradient elution with phosphoric acids. Especially the chromatogram of the ginsenoside Ro was dramatically enhanced by adding phosphoric acid. Under optimized conditions, the detection limits were 0.4 to 1.7 mg/L and the calibration curves of the peak areas for the 30 ginsenosides were linear over three orders of magnitude with a correlation coefficients greater than 0.999. The accuracy of the method was tested by a recovery measurement of the spiked samples which yielded good results of 89% to 118%. From these overall results, the proposed method may be helpful in the development and quality of P. ginseng preparations because of its wide range of applications due to the simultaneous analysis of many kinds of ginsenosides.
This study was to assessment of quality assurance (QA) and noise characteristics of Noise Power Spectrum (NPS) according to the time of by using electronic portal imaging device (EPID) for LINAC (Linear Accelerator). LINAC device was (Varian ClinacR iX LINAC, USA) used and the were 40 × 30 cm2 of detector size were 1024 × 768 photo-electric diode array size. Signal could be obtained the K-space image of white noise images for NPS and we used to Overlap, Non-Overlap, Out of Penumbra, Flatness, Symmetry, Symmetry Rt, Lt methods. The 2013s NPS image Out of Penumbra quantitatively value more than 2013s NPS image Symmetry Rt, Lt methods quantitatively NPS based on the frequency of 1.0 mm-1. Thus, the 2022s NPS image Out of Penumbra quantitatively value more than 2022s NPS image Symmetry Rt, Lt methods quantitatively NPS based on the frequency of 1.0 mm-1. The assessment of comparison of white noise for NPS image noise and intensity of this study were to that should be used efficiently of the LINAC EPID detector system for Overlap method for International Electro-technical Commission (IEC).
본 논문에서는 축산물 중 닭고기 내 마크로라이드계(MLs) 항생물질(spiramycin, josamycin, tilmicosin, 그리고 tylosin) 4종을 분석하기 위하여, 액-액 추출 과정을 거쳐서 PDA 검출기가 장착된 액체크로마토그래피를 이용하여 MLs를 효율적으로 동시분석하는 방법을 확립하였다. 컬럼은 Unison UK-C18 ($150mm{\times}3mm$ id, $3{\mu}m$), 이동상 용매는 0.1% TFA와 0.1% TFA in ACN로 기울기 용리를 사용하였으며, 유속은 0.7 mL/min, 그리고, 주입량은 $10{\mu}L$로 설정하여 분석하였다. 확립된 분석조건으로, 표준검정 곡선은 $50-1000{\mu}g/kg$의 농도범위에서 상관계수가 0.9975 이상의 양호한 직선성을 나타내었으며, 회수율은 저, 중, 고농도로 첨가하여 분석한 결과, 80.4-99.1%를 나타내었다. 검출한계는 $8.8-19.6{\mu}g/kg$이었고, 정량한계는 $26.6-59.4{\mu}g/kg$이었으며, 일내(intra-day)와 일간(inter-day) 정밀도(CV%)는 0.9-13.2%, 2.4-13.1%이었다. 따라서, 확립된 분석방법은 축산물 중 닭고기 시료 내 MLs를 효과적으로 분석하는데 이용될 수 있을 것으로 사료된다.
p-형 실리콘 기판 위에 수 ${\AA}$ 두께의 어븀 금속을 증착하고, 후열처리 과정을 통하여 어븀-실리사이드/p-형 실리콘 접합을 형성하였다. 초고진공 자외선 광전자 분광 실험을 통하여 증착한 어븀의 두께에 따라 어븀-실리사이드의 일함수가 4.1 eV까지 급하게 감소하는 것을 관찰하였으며, X-ray 회절 실험에 의하여 형성된 어븀 실리사이드가 주로 $Er_5Si_3$상으로 구성되어 있음을 밝혔다. 또한, 어븀-실리사이드/p-형 실리콘 접합에 알루미늄 전극을 부착하여 쇼트키 다이오드를 제작하고, 전류전압 곡선을 측정하여 쇼트키 장벽의 높이를 산출하였다. 산출된 쇼트키 장벽의 높이는 $0.44{\sim}0.78eV$이었으며 어븀 두께 변화에 따른 상관 관계를 찾기 어려웠다. 그리고 이상적인 쇼트키 접합을 가정하고 이미 측정한 일함수로부터 산출한 쇼트키 장벽의 높이는 전류-전압 곡선으로부터 산출한 값에 크게 벗어났으며, 이는 어븀-실리사이드가 주로 $Er_5Si_3$ 상으로 구성되어 있고, $Er_5Si_3/p-$형 실리콘 계면에 존재하는 고밀도의 계면 상태에 기인한 것으로 사료된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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