• 공업화학
• /
• 제20권6호
• /
• pp.622-627
• /
• 2009

알칼리 수용액에 현상이 가능한 감광성 수지재료와 전도성 카본블랙 필러를 이용하여 포토 패터닝이 가능한 폴리머 후막 저항 페이스트를 제조하고 평가하였다. 감광성 수지로는 인쇄회로기판의 보호층으로 주로 사용되는 photo solder resist(PSR)를 사용하여 자외선에 의한 노광 및 알칼리 수용액에의 현상이 가능하게 하였다. 감광성 폴리머 저항 페이스트를 제작한 후, PCB 테스트 보드를 이용하여 후막저항체의 전기적 특성을 평가하였다. 카본블랙의 첨가량에 따라 시트저항은 감소하였으나, 과량 첨가시에는 현상성에 한계를 나타내었다. 재경화에 따라서 시트저항이 감소하였으며, 카본블랙의 첨가량이 많을수록 그 변화율은 작게 나타났다. 포토공정을 적용하여, 미세 패터닝된 meander형 후막저항체를 제조할 수 있었고, 이 방법을 통하여 적은 면적에도 시트저항의 수십 배에 달하는 큰 저항값을 구현할 수 있었다.

• Journal of Magnetics
• /
• 제12권2호
• /
• pp.81-83
• /
• 2007

Etching of NiFe films covered with an organic photo-resist or Ti was successfully performed by an inductively coupled plasma-reactive ion etching (ICP-RIE) system using $CHF_3/O_2/NH_3$ discharges exchanging $CHF_3$ for $CH_4$ gas gradually. Experimental results showed that the organic photo-resist mask can be applied to the NiFe etching. In the case of the Ti metal mask, it was found that the etching-selectivity Ti against NiFe was significantly varied from 7.3 to ${\sim}0$ by changing $CHF_3/CH_4/O_2/NH_3$ to $CH_4/O_2/NH_3$ discharges used in the ICP-RIE system. These results show that the present RIE of NiFe was dominated by a chemical reaction rather than a physical sputtering.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 1994년도 춘계학술대회 논문집
• /
• pp.113-115
• /
• 1994

We considered the ion and photo-induced properties as a function of wavelength by exposing the light over the band gap of a-Ag/a-$Se_{75}$$Ge_{25}$ and the low-energy defocused $Ga^{+}$ ion beam on Ag/a-$Se_{75}$$Ge_{25}$ thin film. This film acts as a negative resist for photo or ion beam lithography. We observed that the absorbance coefficient decreased with increasing the photo-exposing time and exposing the ion beam. The bandgap shifts toward longer wavelength called a "darkening effect" are observed in the films exposed to both photons and ions. We suggest that a primary step in the Ag layer and a secondary step is in a-$Se_{75}$$Ge_{25}$ film layer.

• 한국정밀공학회지
• /
• 제24권12호
• /
• pp.128-135
• /
• 2007

Micro-channels for a wave micropump have been fabricated using the Stereolithography and UV Photolithography. The micro-channel with a channel height of $500\;{\mu}m$ was fabricated with stereolithography. UV photolithography was used for producing micro-channels with a channel length less than $100\;{\mu}m$. The fabrication process data including spinning rpm, pre-bake and post-bake time, and develop time for single layer and multiple layer 3D micro-structures using SU-8 photo resist are experimentally found. A film mask printed with a 40,000 dpi laser printer was used for UV lithography and micro-structures in the order of tens of micrometers in dimension were successfully fabricated.

• 한국결정성장학회지
• /
• 제9권1호
• /
• pp.60-63
• /
• 1999

Ta-Al 합금 박막의 건식식각에 대하여 조사하였다. $CF_{4}$ 기체를 이용한 반응성 이온 식각(Reactive Ion Etching, RIE)이 1:1 조성의 Ta-Al 합금 박막의 식각에 적용될 수 있음을 확인하였으며, 식각속도는 $67{\AA}/min$으로 측정되었다. 그리고 $CF_{4}$ 기체는 Ta-Al 합금 박막과 $SiO_{2}$ 층간에 선택성이 없다는 것이 확인되었으며, $SiO_{2}$ 층의 식각속도는 Ta-Al 박막의 경우보다 약 12배 빠른 $800{\AA}/min$으로 측정되었다. 그 외에 $CF_{4}$ 기체를 이용한 반응성 이온 식각에서는 Shiepley 1400-27 Photo Resist 보다 AZ 5214 Photo Resist가 더 안정적이라는 것이 조사되었다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
• /
• 한국표면공학회 2016년도 추계학술대회 논문집
• /
• pp.116.1-116.1
• /
• 2016

반도체 가스센서에서는 가연성 및 탄화수소계 가스를 감지 하기 위해서 $100{\sim}500^{\circ}C$ 이상의 동작온도를 필요로 한며, 이에 따라 반도체식 가스센서의 마이크로 히터 소재는 고온에서 열적 안정성이 있는 소재가 요구된다. 현재 상용화되고 있는 반도체식 가스센서는 실리콘(Silicon) 기반의 MEMS 기술을 이용한 가스센서이며, 구조적으로나 성능적 한계가 드러남에 따라 실리콘 이외의 다양한 재료의 MEMS 응용기술 개발이 필요한 실정이다. 본 연구에서는 이러한 실리콘의 재료적 한계를 극복하기 위해 다공성 알루미늄 산화물(AAO)을 기판으로 사용하여 마이크로 히터를 제작하였다. AAO의 제작에 앞서 CMP, 화학연마, 전해연마를 이용하여 적합한 전처리 공정을 선정하였고, AAO 제작 시 온도, 시간, 전압의 변수를 주어 마이크로 히터 기판에 적합한 공정을 탐색하였다. 마이크로 플랫폼은 MEMS 공정으로 제작되었으며, PR(Photo Resist)을 LPR(Liquid Photo Resist)과 DFR(Dry Film Resist)로 각각 2종 씩 선택하여 AAO에 적합한 제품을 선정하였다. 제작된 마이크로 히터는 $1.8mm{\times}1,8mm$로 소형화 하였고, 열손실의 제어를 위해 열확산 방지층을 추가하였다. 구동 온도, 소비전력, 장시간 구동시 안정성의 측정 및 평가는 적외선 열화상 카메라와 kiethly 2420 source meter를 이용하여 측정하였으며, 열확산 방지층의 유 무에 따른 온도 분포 및 소비전력을 비교평가 하였다. 최종적으로는 현재 사용화 되어있는 가스센서들의 소비전력과 비교 평가 하여 논의 하였다.

• 공업화학
• /
• 제24권6호
• /
• pp.593-598
• /
• 2013

본 연구에서는 ATR-FTIR (Attenuated Total Reflectance-Fourier Transfer Infrared)기법을 이용하여 PCB 회로형성에 사용하는 아크릴레이트 계열의 포토레지스트 드라이필름(Dry film)의 흡습 특성을 평가하였다. 또한 습도 변화에 따른 드라이필름의 파단면을 관찰하여 습도에 따라 고분자의 파단특성이 달라지는 것으로 확인하였으며, 정량적인 분석방법으로써 흡습에 따른 무게 변화 및 ATR-FTIR을 이용한 흡광도 변화를 통하여 확산계수를 계산하였다. 실험 결과 주변환경의 온도와 습도가 높아질수록 상온에서 취성과 연성의 중간 정도의 특성을 나타내던 드라이필름이 연성으로 전이되는 사실을 확인할 수 있었고, 온도와 습도가 낮을 경우엔 취성의 특성을 나타냄을 알 수 있었다. 이를 통해 PCB 회로형성 공정의 온 습도 환경 조건을 항상 일정하게 유지해야 일정한 품질을 유지할 수 있다는 사실을 알 수 있었다. 본 연구에서 사용된 흡습특성 평가법인 ATR-FTIR방법의 타당성을 확보하기 위해, 기존에 많이 사용하는 무게 변화법을 통한 고분자-물 확산계수와 ATR-FTIR을 이용한 값을 상호 비교하였다. ATR-FTIR을 이용한 방법은 무게변화법과 동일한 수준의 정확도를 가질 뿐만 아니라 흡습 및 탈습 과정에서 고분자 구조가 어떻게 변화하는지를 평가할 수 있어 가장 적합한 방법으로 판단된다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
• /
• 한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.II
• /
• pp.948-951
• /
• 2005

New technology that reduces photolithography process steps from 4 to 3 in fabrication of TFT LCD is introduced. The core technology for 3mask-TFTs is the lift-off process [1], by which the PAS and PXL layer are formed simultaneously. To evaluate the stability of this lift-off process, outgases from photo resist on a substrate during ITO deposition and the quality of ITO film were analyzed and the conventional photo resist stripper machine which operates lift-off process was examined to see its ability to reduce particle problems of the machine. Through the development of total process and design for TFTs using this 3mask technology, panels in TN and IPS modes which exhibit same performances of a display using a conventional process were achieved. In addition, this process was already verified in the mass production line and now some products are being produced by the 3mask technology.

• 대한기계학회:학술대회논문집
• /
• 대한기계학회 2005년도 창립60주년 기념 추계 학술대회
• /
• pp.42.1-42.1
• /
• 2005

• 한국산학기술학회논문지
• /
• 제12권4호
• /
• pp.1993-1998
• /
• 2011

반도체 산업은 지속적으로 비약적인 발전을 이루어내면서 점점 고집적회로를 제작하기 위하여 패턴의 미세화가 이루어지게 되었다. 현재 미세 나노패턴의 형성을 위하여 여러층의 하드마스크가 사용되고 있으며, 화학증기증착(CVD)공정을 이용하여 형성한다. 이에 본 연구에서는 스핀공정(spin-on process)이 가능한 유-무기 하이브리드 중합체를 이용한 단일층의 하드마스크를 제작하였는데, 하드마스크 내의 무기계 성분이 감광층 보다 쉽게 식각되는 반면에 하드마스크의 유기계 성분으로 인해 substrate층 보다 덜 식각되었다. 유-무기 하이브리드 중합체를 이용한 하드마스크막의 광학 및 표면 특성을 조사하였고, 감광층과 하드마스크막의 식각비를 비교하여 유-무기소재의 하이브리드중합체에 대한 미세패턴을 형성시킬 수 있는 하드마스크막으로써의 유용성을 확인하였다.