• 제목/요약/키워드: Parasitic parameters

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YIG 공진기를 이용한 고주파 광대역 발진기 설계 및 제작 (Design and Fabrication of the Wide-band YIG Tuned Oscillator)

  • 이문규;염경환;남상욱
    • 한국통신학회논문지
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    • 제19권9호
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    • pp.1710-1718
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    • 1994
  • 본 논문에서는 광대역 YIG발진기를 설계하고 제작하였다. YTO(YIG Tuned Oscillator)의 설계는 우선 발전범위에 적당한 YIG 공진기를 선택하고, 발진 범위에서 공진특성을 측정하여 전기적인 RLC등가회로를 만든다. 이 등가회로를 이용하여 광대역에서 기생발진 없이 발진할 수 있는 회로 구조를 선택하고 설계한다. 설계된 회로는 EEsof사의 jOMEGA를 이용하여 HBT(Harmonic Balance Technique)으로 모의실험하였다. 이렇게 하여 제작된 YTO의 발진범위는 1.4GHz에서 4GHz였고, 발진범위 내에서 선형성은 0.5%였다. 위상잡음은 중심 주파수에서 100kHz offset에서 105dBc이하였다.

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수소화된 비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 이차원 소자 시뮬레이터 TFT2DS (Two-Dimensional Device Simulator TFT2DS for Hydrogenated Amorphous Silicon Thin Film Transistors)

  • 최종선
    • 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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    • 제48권1호
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    • pp.1-11
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    • 1999
  • Hyrdogenated amorphous silicon thin film transistors are used as a pixel switching device of TFT-LCDs and very active research works on a-Si:H TFTs are in progress. Further development of the technology based on a-Si:H TFTs depends on the increased understanding of the device physics and the ability to accurately simulate the characteristics of them. A two-dimensional device simulator based on the realistic and flexible physical models can guide the device designs and their optimizations. A non-uniform finite-difference TFT Simulation Program, TFT2DS has been developed to solve the electronic transport equations for a-Si:H TFTs. In TFT2DS, many of the simplifying assumptions are removed. The developed simulator was used to calculate the transfer and output characteristics of a-Si:H TFTs. The measured data were compared with the simulated ones for verifying the validity of TFT2DS. Also the transient behaviors of a-Si:H TFTs were calculated even if the values of the related parameters are not accurately specified.

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1550 nm InGaAsP LD 광송신회로의 PSPICE 모델 및 광변조 특성 해석 (PSPICE Modeling and Characterization of Optical Transmitter with 1550 nm InGaAsP LDs)

  • 구유림;김종대;이종창
    • 한국광학회지
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    • 제22권1호
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    • pp.35-39
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    • 2011
  • 다층 비율 방정식을 이용한 1550 nm InGaAsP 레이저 다이오드의 PSPICE 등가회로 모델을 제안하고 구현하였다. 비율 방정식에 필요한 레이저 다이오드 파라미터들은 자기충족적 양자우물 해석법을 이용하여 도출하였다. 이 모델을 이용하여 실제 레이저 다이오드와 드라이버 IC를 포함하는 광송신기 회로 전체를 PSPICE로 구현하여 그 출력 값과 측정치를 비교하였다. 이 비교를 통하여 실제 레이저 다이오드의 패키징 시 발생하는 기생 커패시터 값을 산출하였다. 이를 바탕으로 한 PSPICE 출력 값은 여러 동작 주파수에서 실제 회로의 측정값과 일치함을 보였다.

압전구동기를 이용한 초정밀레이저 가공의 고주파진동 장치설계 (Design of High frequency Vibration Mechanism with PZT actuator for Ultraprecision Laser Machining)

  • 김현욱;황동현;박종권;조성학;이문구
    • 한국생산제조학회지
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    • 제19권3호
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    • pp.419-425
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    • 2010
  • To machine the micro hole, laser machining system is widely used, however, the system cannot fabricate the micro hole with high aspect ratio and good surface finish. To break the obstacles, the high frequency vibration mechanism with PZT (Piezoelectric Transducers) is proposed in this paper. The mechanism will vibrate the laser beam in vertical direction so that the aspect ratio and surface finish may be higher than the conventional. The mechanism vibrates the eyepiece of laser optics. In addition to the benefits, the mechanism enables us to have high precision and flexibility. It decreases burr and debris during machining. And it is able to machine various materials of workpiece. This research include high frequency and large travel range of the proposed mechanism. The PZT motion of mechanism and analysis on the sensitivity of design parameters are extracted from a finite element method (FEM) simulation. In the analysis, the target vibration mode without parasitic motion is designated to have the target frequency and high amplitude.

본딩와이어를 이용한 수직형 집적 트랜스포머 (Vertical Integrated Transformer using Bondwires)

  • 송병욱;이해영
    • 대한전자공학회논문지TC
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    • 제37권3호
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    • pp.43-48
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    • 2000
  • 본 논문에서는 본딩와이어를 이용한 수직형 트랜스포머를 제안하고, FEM (Finite Element Method)을 이용한 완전 해석법 (Full-waye analysis)으로 20 GHz 까지 해석하였다 나선형 트랜스포머와 전기적인 특성을 비교하였고, 구해진 S-파라미터로부터 상호 인덕턴스를 추출하였다. 본딩와이어를 이용한 트랜스포머는 낮은 삽입손실을 가지며, 본딩와이어의 대부분이 손실이 없는 공기중에 위치하므로 정전용량 및 유전 손실을 줄일 수 있는 구조이다. 또한, 자동화된 와이어 본딩 장비를 이용하여 쉽게 제작할 수 있다. 본딩와이어를 이용한 트랜스포머는 Impedance matching, Phase shifting등 다양한 범위에 응용되어 MMIC의 성능 향상을 이룰 것으로 기대된다.

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Augmentation of Fractional-Order PI Controller with Nonlinear Error-Modulator for Enhancing Robustness of DC-DC Boost Converters

  • Saleem, Omer;Rizwan, Mohsin;Khizar, Ahmad;Ahmad, Muaaz
    • Journal of Power Electronics
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    • 제19권4호
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    • pp.835-845
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    • 2019
  • This paper presents a robust-optimal control strategy to improve the output-voltage error-tracking and control capability of a DC-DC boost converter. The proposed strategy employs an optimized Fractional-order Proportional-Integral (FoPI) controller that serves to eliminate oscillations, overshoots, undershoots and steady-state fluctuations. In order to significantly improve the error convergence-rate during a transient response, the FoPI controller is augmented with a pre-stage nonlinear error-modulator. The modulator combines the variations in the error and error-derivative via the signed-distance method. Then it feeds the aggregated-signal to a smooth sigmoidal control surface constituting an optimized hyperbolic secant function. The error-derivative is evaluated by measuring the output-capacitor current in order to compensate the hysteresis effect rendered by the parasitic impedances. The resulting modulated-signal is fed to the FoPI controller. The fixed controller parameters are meta-heuristically selected via a Particle-Swarm-Optimization (PSO) algorithm. The proposed control scheme exhibits rapid transits with improved damping in its response which aids in efficiently rejecting external disturbances such as load-transients and input-fluctuations. The superior robustness and time-optimality of the proposed control strategy is validated via experimental results.

Series Connected-NPN 및 N-Stack기술 적용을 통하여 높은 홀딩전압특성을 갖는 새로운 구조의 SCR에 관한 연구 (A Study on SCR of New Structure with High Holding Voltage Characteristics by Applying Series Connected-NPN and N-Stack Technology)

  • 서정주;권상욱;도경일;이병석;구용서
    • 전기전자학회논문지
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    • 제23권1호
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    • pp.338-341
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    • 2019
  • 본 논문에서는 대표적인 ESD 보호소자인 LVTSCR의 특성을 향상시킨 새로운 구조의 ESD소자를 제안하고 특정 application의 각 요구전압에 최적화된 설계를 위한 N-stack 기술에 대하여 검증한다. 주요 파라미터인 홀딩전압과 트리거전압에 대하여 특성을 파악하고 감내특성의 지표인 온도특성 또한 검증한다. well영역의 추가구성과 기생 npn BJT를 추가로 직렬 연결된 구조를 형성하여 보다 향상된 전기적 특성을 갖는다. 특성 검증을 위해 synopsys 사의 T-cad simulation tool을 이용하였다.

OTA기반의 차단대역 조정이 가능한 3-입력/1-출력 구조의 다기능 Gm-C 필터 (Stopband Tunable Multifunctional Gm-C Filter based on OTA with Three-Input/Single-Output)

  • 바스넷버룬;방준호;송제호;유인호
    • 한국인터넷방송통신학회논문지
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    • 제15권5호
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    • pp.201-206
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    • 2015
  • 본 논문에서는 연산 트랜스컨덕턴스 증폭기를 기반으로 하여 차단주파수 대역의 조정이 가능한 3-입력와 1-출력단을 갖는 Gm-C필터가 제안되었다. 제안된 필터는 대역통과, 저역통과 및 고역통과의 다기능 필터 특성을 갖는다. 구현된 필터의 중심주파수($f_c$)와 특성요소(Q)값은 다른 필터특성의 변형없이 독립적으로 조정이 가능할 수 있음을 확인하였다. 또한 전체 시스템에 영향을 줄 수 있는 다양한 파라미터들과 기생요소들에 대한 감도특성과 비이상성분석이 수행되었다. 제안된 필터를 CMOS 소자로 구현하기 위하여 1.8V-0.18um 공정파라미터를 사용하였고 HSPICE를 활용하여 특성을 분석한 결과와 기 정리된 이론값들과 비교하여 나타내었다.

Lambert W 함수를 이용한 태양전지 모델링 (The solar cell modeling using Lambert W-function)

  • 배종국;강기환;김경수;유권종;안형근;한득영
    • 한국태양에너지학회:학술대회논문집
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    • 한국태양에너지학회 2011년도 추계학술발표대회 논문집
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    • pp.278-281
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    • 2011
  • This system can predict the maximum output about all illumination levels so that the PV system designer can design the system having the best efficiency. For the output prediction exact about the solar cell, that is the device the basis most in the PV system, the basis has to be in order to try this way. The solution based on Lambert W-function are presented to express the transcendental current-voltage characteristic containing parasitic power consuming parameters like series and shunt resistances. A simple and efficient method for the extraction of a single current-voltage (I-V) curve under the constant illumination level is proposed. With the help of the Lambert W function, the explicit analytic expression for I is obtained. And the explicit analytic expression for V is obtained. This analytic expression is directly used to fit the experimental data and extract the device parameters. The I-V curve of the solar cell was expressed through the modeling using Lambert W-function and the numerical formula where there is the difficulty could be logarithmically expressed This method expresses with the I-V curve through the modeling using Lambert W-function which adds other loss ingredients to the equation2 as to the research afterward. And the solar cell goes as small and this I-V curve can predict the power penalty in the system unit.

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Radio Frequency 회로 모듈 BGA(Ball Grid Array) 패키지 (Radio Frequency Circuit Module BGA(Ball Grid Array))

  • 김동영;정태호;최순신;지용
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제37권1호
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    • pp.8-18
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    • 2000
  • 본 논문은 RF 호로 모듈을 구현하기 위한 방법으로서 BGA(Ball Grid Array) 패키지 구조를 제시하고 그 전기적 변수를 추출하였다. RF 소자의 동작 주파수가 높아지면서 RF 회로를 구성하는 패키지의 전지적 기생 성분들은 무시할 수 없을 정도로 동작회로에 영향을 끼친다. 또한 소형화 이동성을 요구하는 무선 통신 시스템은 그 전기적 특성을 만족시킬 수 있도록 새로운 RF 회로 모듈 구조를 요구한다. RF 회로 모듈 BGA 패키지 구조는 회로 동작의 고속화, 소형화, 짧은 회로 배선 길이, 아날로그와 디지탈 혼성 회로에서 흔히 발생하는 전기적 기생 성분에 의한 잡음 개선등 기존의 구조에 비해 많은 장점을 제공한다. 부품 실장 공정 과정에서도 BGA 패키지 구조는 드릴링을 이용한 구멍 관통 홀 제작이 아닌 순수한 표면 실장 공정만으로 제작될 수 있는 장점을 제시한다. 본 실험은 224MHz에서 동작하는 ITS(Intelligent Transportation System) RF 모튤을 BGA 패키지 구조로 설계 제작하였으며, HP5475A TDR(Time Domain Reflectometry) 장비를 이용하여 3${\times}$3 입${\cdot}$출력단자 구조을 갖는 RF 모튤 BGA 패키지의 전기적 파라메타의 기생성분을 측정하였다. 그 결과 BGA 공납의 자체 캐패시턴스는 68.6fF, 자체 인덕턴스는 1.53nH로써 QFP 패키지 구조의 자체 캐패시턴스 200fF와 자체 인덕턴스 3.24nH와 비교할 때 각각 34%, 47%의 값에 지나지 않음을 볼 수 있었다. HP4396B Network Analyzer의 S11 파라메타 측정에서도 1.55GHz 근방에서 0.26dB의 손실을 보여주어 계산치와 일치함을 보여 주었다. BGA 패키지를 위한 배선 길이도 0.78mm로 짧아져서 RF 회로 모튤을 소형화시킬 수 있었으며, 이는 RF 회로 모듈 구성에서 BGA 패키지 구조를 사용하면 전기적 특성을 개선시킬 수 있음을 보여준 것이다.

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