전력 전자 시스템 내의 전도성 노이즈는 반도체 스위칭 소자의 고속 동작에 큰 영향을 받는다. 특히 실리콘 카바이드 (SiC) 등의 신소재 반도체 소자 (wide band-gap device, WBG device) 특유의 고속 dv/dt 특성이 전력전자모듈 (power electronics module, PEM) 내의 기생 용량 (parasitic capacitance)에 인가될 경우 상당한 전도성 노이즈의 원인이 되므로 이를 해결할 필요가 있다. 본 논문에서는 유전율이 낮은 재료를 PEM 내부에 사용함으로써 기생 용량을 줄이고, 따라서 공통 모드 전류의 발생 또한 최소화할 수 있는 설계를 제안한다. 제안된 PEM 설계 기법은 외부 필터를 필요로 하지 않으며, PEM 내의 스위칭 소자-방열 소자간 열저항 (thermal resistance)를 증가시키지 않으면서도 기생 용량을 최소화하여 노이즈를 억제한다. 제안된 방법으로 제작된 PEM을 1 kW 출력 100 kHz 스위칭 주파수의 강압형 dc-dc 컨버터에 적용하여 공통모드 전도성 전류가 줄어듬을 증명하였다.
Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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2002.05a
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pp.261-263
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2002
CMOS devices have scaled down to sub-50nm gate to achieve high performance and high integration density. Key challenges with the device scaling are non-scalable threshold voltage( $V^{th}$ ), high electric field, parasitic source/drain resistance, and $V^{th}$ variation by random dopant distribution. To solve scale-down problem of conventional structure, a new structure was proposed. In this paper, we have investigated double-gate MOSFET structure, which has the main-gate and the side-gates, to solve these problem.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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v.14
no.3
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pp.6-11
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1977
The noise behavior of the Schottky Barrier Gate FET has been investigated by the use of noise equivalent circuit. It has been found that an additional noise source has to be taken into account in the GaAs SBGFET's biased in the pinch-off region; the intervalley scattering noise and the hot electron noise. In this paper, a noise equivalent circuit has been used to determine the noise parameter which was taken into account influence of the saturation velocity of carrier and parasitic resistance.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.12
no.6
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pp.245-248
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2011
The scaling down of metal oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) for the last several years has contributed to the reduction of the scaling variables and device parameters as well as the operating voltage of the MOSFET. At the same time, the variation in the electrical characteristics of MOSFETs is one of the major issues that need to be solved. Especially because the issue with variation is magnified as the drive voltage is decreased. Therefore, this paper will focus on the variations between electrical characteristics and drain voltage. In order to do this, the test patterned multi-finger MOSFETs using 90-nm process is used to investigate the characteristic variations, such as the threshold voltage, DIBL, subthreshold swing, transconductance and mobility via parasitic resistance extraction method. These characteristics can be analyzed by varying the gate width and length, and the number of fingers. Through this modeling scheme, the characteristic variations of multi-finger MOSFETs can be analyzed.
Nawarathne, Shan Randima;Yu, Myunghwan;Heo, Jung Min
Korean Journal of Poultry Science
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v.48
no.4
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pp.297-318
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2021
Coccidiosis is a major parasitic disease in the poultry industry, with great economic implications worldwide. It is a ubiquitous protozoan infection caused by several species of the genus Eimeria (host-specific) that colonize and reproduce in the intestine of birds, ultimately altering the health and performance of the flock. At present, several methods are used to diagnose coccidiosis in poultry, including field and laboratory techniques (intestinal lesion scoring, oocyst counting in feces, and biochemical and molecular diagnosis). Traditionally, diagnosed flocks have been treated either by vaccination to improve the active immunity of the birds against coccidiosis or supplementation of prophylactic anticoccidials to ameliorate the deleterious effects of coccidiosis. However, these methods has certain drawbacks such as vaccine-induced coccidiosis, drug resistance, and residual drug accumulation in the host. Consequently, alternative safe anti-coccidial agents, including the use of phytogenic compounds, have been explored for preventing coccidiosis. Here, we provide a simple overview of the literature on poultry coccidiosis by focusing on the etiology, diagnostic practices, and preventive measures.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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v.23
no.6
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pp.981-987
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1986
This paper describes the CIREX(CIRcuit EXtractor), an automated CMOS circuit extraction program which provides SPICE2 input file by computing circuit connectivity and transistor dimensions from the CIF file. The CIREX also computes parasitic capacitance and resistance which makes it a valuable tool for timing analysis and detailed circuit simulation. A lattice model is used to calculate the interconnection resistances and substrate capacitances which can be replaced, as an option, by a node model for the worst case timing analysis of the circuit.
Journal of the Korean Society of Industry Convergence
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v.26
no.6_1
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pp.985-991
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2023
This study proposes a solution to the voltage drop in electric vehicle chargers, due to the parasitic resistance and inductance of power cables when the chargers are separated by large distances. A method using multi-level electric vehicle chargers that can output power in stages, without installing an additional energy supply source such as a reactive power compensator or an energy storage system, is proposed. The voltage drop over the power cables, to optimize the charging scheduling, is derived. The obtained voltage drop equation is used to formulate the constraints of the optimization process. To validate the effectiveness of the obtained results, an optimal charging scheduling is performed for each period in a case study based on the assumed charging demands of three connected chargers. From the calculations, the proposed method was found to generate an annual profit of $20,800 for a $12,500 increase in installation costs.
Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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v.50
no.12
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pp.56-62
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2013
We present a rectifier for wireless power transmission using multiplier configuration in layout for MOSFETs which works at 13.56 MHz, designed to fit in CMOS process where conventionally used diodes are replaced with the cross-coupled MOSFETs. Full bridge rectifier structure without comparators is employed to reduce current consumption and to be working up to higher frequency. Multiplier configuration designed in layout reduces time delay originated from parasitic series resistance and shunt capacitance at each finger due to long connecting layout, leading to fast transition from on-state to off-state cross-coupled circuit structure and vice versa. The power conversion efficiency is significantly increased due to this fast transition time. The rectifier is fabricated in $0.11{\mu}m$ CMOS process, RF to DC power conversion efficiency is measured as 86.4% at the peak, and this good efficiency is maintained up to 600 MHz, which is, to our best knowledge, the highest frequency based on cross-coupled configuration.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.45
no.9
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pp.21-25
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2008
In this study, to maximize RF performance of MOSFETs, $f_T$ and $f_{max}$ dependent data on $W_u$ are measured and newly analyzed by extracting small-signal model parameters. From the physical analysis results, it is found that a peak value of $f_T$ is generated by $W_u$-independent parasitic gate-bulk capacitance at narrow $W_u$ and the wide width effect of reducing the increasing rate of transconductance at wide $W_u$. In addition, it is revealed that a maximum value of $f_{max}$ is caused by the non-quasi-static effect that the gate resistance is greatly reduced at narrow $W_u$ and becomes constant at wide $W_u$.
Bir, Md. Shahidul Haque;Eom, Min Yong;Uddin, Md. Romij;Park, Tae Seon;Kang, Hang Won;Kim, Do Soon;Park, Kee Woong
Weed & Turfgrass Science
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v.3
no.3
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pp.174-182
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2014
This paper provides some of the scientific background on how projected environmental conditions could affect weeds and weed management in crops. Elevated $CO_2$ levels may have positive effects on crop competitiveness with $C_4$ weeds, but these are generally outnumbered by $C_3$ species in weed populations. Moreover, higher temperatures and drought will favor $C_4$ over $C_3$ plants. The implementation of climate change adaptation technologies, such as drought-tolerant germplasm and water-saving irrigation regimes, will have consequences for crop-weed competition. Rainfed production systems are thought to be most vulnerable to the direct effects of climate change and are likely to face increased competition from $C_4$ and parasitic weeds. Biotic stress-tolerant crop cultivars to be developed for these systems should encompass weed competitiveness and parasitic-weed resistance. In irrigated systems, indirect effects will be more important and weed management strategies should be diversified to lessen dependency on herbicides and mechanical control, and be targeted to perennial rhizomatous ($C_3$) weeds. Water-saving production methods that replace a weed-suppressive floodwater layer by intermittent or continuous periods of aerobic conditions necessitate additional weed management strategies to address the inherent increases in weed competition. Thus, climatic conditions have a great effect on weed population dynamics all over the world.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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