• 대한전자공학회논문지
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• 제24권2호
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• pp.260-264
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• 1987

Gaussian $n^{+}$-p집합에 대해 위치함수인 유전율을 고려한 Poisson's equation의 일반적인 형태를 수치적으로 풀어 접합깊이가 전하밀도에 미치는 영향을 살펴 보았다. 또한 유전율의 변화에 기인한 전하 쌍극자의 해석적인 모델을 제시하였다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제19권6호
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• pp.52-54
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• 1982

p·Si-전해질 접합을 전해질로 6N H2SO4, 6N H2SO4(Ti3+), 6N H2SO4(Ti4+), 6N H2SO4(Ti4+/Ti3+)을 사용하여 만들었다. 이들 전해질중 6N H2SO4(Ti4-/Ti3+)을 사용할 때 p·Si 광음극이 안정하게 동학하며 높은 광전 감도를 가지고 있었다. p·Si-electrolyte junction are prepared by using p·Si photocatode in four different electrolytes such as 6N H2SO4, 6N H2SO4(Ti3+), 6N H2SO4(Ti4+), 6N H2SO4(Ti4+/Ti3+) respectively. Among those electrolytes 6N H2SO4(Ti4-/Ti3+) shows very good results, in which p·Si photocathode is stable.

• 대한전자공학회논문지
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• 제27권9호
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• pp.1409-1418
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• 1990

Characteristics of NMOS transistors with phosphorus source/drain junctions formed by two-step rapid thermal diffusion (RTD) process using a solid diffusion source have been investigated. Phosphorus profiles after RTD were measured by SIMS analysis. In the case of 1100\ulcorner, 10sec RTD of, P, the specific contact resistance of n+ Si-Al was 2.4x10**-7 \ulcorner-cm\ulcorner which is 1/5 of the As junction The comparison fo P junction devices formed by RTD and conventional As junction devices shows that both short channel effect and hot carrier effect of P junction devices are smaller than those of As junction devices when the devices have same junction depths. P junction device had maximum of 0.4 times lower Isub/Id than As junction device. Characteristics of P junction formed by several different RTD conditions have been compared and 1000\ulcorner RTD sample had the smaller hot carrier generation. Also, it has been shown that the hot carrier generation can be futher reduced by forming the P junctions by 3-step RTD which has RTO-driven-in process additionally.

• Journal of Information Display
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• 제8권2호
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• pp.20-24
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• 2007

Efficient white organic light-emitting diodes are fabricated with the blue and red electroluminescent (EL) units electrically connected in a stacked tandem structure by using a transparent doped organic p/n junction. The blue and red EL units consist of the light-emitting layer of 1,4-bis(2,2-diphenyl vinyl)benzene (DPVBi) and 4-dicyanomethylene-2-methyl-6-[2-(2,3,6,7-tetrahydro-1H,5H-benzo[i,j] quinolizin-8-yl)vinyl]-4H-pyran) (DCM2) doped tris(8-hydroxyquinoline) aluminum $(Alq_3)$, respectively. The organic p-n junction consists of ${\alpha}-NPD$ doped with $FeCl_3$ (15 % by weight ratio) and $Alq_3$ doped with Li (10 %). The EL spectra exhibit two peaks at 448 and 606 nm, resulting in white light-emission with the Commission Internationale d'Eclairage (CIE) chromaticity coordinates of (0.36, 0.24). The tandem device shows the quantum efficiency of about 2.2 % at a luminance of 100 $cd/m^2$, higher than individual blue and red EL devices.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2004년도 춘계종합학술대회
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• pp.623-626
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• 2004

본 논문은 주사형 전자 현미경을 사용하여 간단한 형태의 반도체 소자뿐만 아니라 집적회로의 내부 P-N 접합 층의 깊이를 소자를 파괴하지 않고 패키지 상태 그대로 측정 할 수 있는 방법이다. 전자 현미경에서 주사되는 전자빔의 에너지에다 반도체 내에 여기 되는 전류를 측정하여 이 임계치에서 전자빔의 침투 범위를 산출하여 접합의 깊이를 측정한다. 실제 시판되고 있는 소자를 사용하여 SEM 의 전자 주사빔 에너지를 변화시키면서 외부의 전류 변화를 측정하였다. 소자 내부의 전자와 정공 생성율은 접합에서 더 많이 발생되므로 이를 고려하여 화산 깊이를 측정하였다. 이렇게 측정한 결과와 이후에 소자를 lapping 하여 파괴 측정한 측정치와 비교 한 결과 일치함을 알 수 있었다.

• 한국진공학회지
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• 제22권3호
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• pp.162-167
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• 2013

이종 p-InGaP/N-InAlGaP 접합 화합물 반도체 태양전지의 에피 구조를 제안하였다. 제안된 이종접합구조와 p-InGaP/p-GaAs/N-InAlGaP와 동종 p-InGaP/n-InGaP 접합구조 태양전지의 전류-전압 특성곡선을 시뮬레이션하고 결과를 비교분석하였다. 이종 p-InGaP/N-InAlGaP 접합구조에서 가장 높은 최대출력과 곡선인자(fill factor)를 나타내는 시뮬레이션 결과를 얻었으며 이를 바탕으로 제안된 이종접합 에피구조를 최적화하였다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2000년도 추계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.225-228
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• 2000

In this paper, we demonstrated an analytical description method of forward voltage drop and reverse voltage of $P^{+}N$ junction diode with <111> oriented antimony doped silicon wafer 60keV boron implantation computer simulation results. In order to make electrical activation of implanted carriers, thermal annealing are carried out by RTP method for 1min at $1000^{\circ}C$ inert gas condition.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2013년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.181-182
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• 2013

저온 공정을 통한 저가형의 태양전지를 만들기 위해 ALD 공정 법으로 Zinc oxide의 전도성을 조절하여 전기 증착법을 통해 성장시킨 Cuprous oxide와 p-n heterojunction을 구성하고 태양전지를 제작하였을 때 최적의 효율을 확인하였다. 전도성이 낮아질수록 전착법과의 p-n junction에서의 Jsc값이 증가하여 100도의 Zinc oxide의 경우 0.13%의 태양전지 효율을 보였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1987년도 정기총회 및 창립40주년기념 학술대회 학회본부
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• pp.248-250
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• 1987

Transparent CdS films with low electrical restivity on glass substrates were prepared by coating a CdS slurry which contained 10 wt.% $CdCl_2$, and sintering in a nitrogen atmosphere at $600^{\circ}C$ for 2hr. All-polycrystalline CdS/CdTe solar cells were fabricated by coating CdTe slurries, which contained 1.0 or 4.5 wt.% $CdCl_2$, on the sintered CdS films and sintering at $700^{\circ}C$ for various periods of sintering. The spectral responses of the sintered CdS/CdTe solar cells were measured and compared with theoretically calculated quantum efficiency. The spectral responses of the sintered CdS/CdTe solar cells in the short-wavelength region decreases with-increasing sintering time. The poor response in this region is attributed to the existence of the Cd-S-Te solid solution in the compositional junction. The decrease in the maximum response in the long-wavelength region as the sintering exceeds certain time appears to be caused by the increase in the depth of the buried homo junction and by the increase in the series resistance. The $CdCl_2$ in the CdTe layer during sintering enchances the interdiffusion of S, Te or donor impurities across the metallurgical Junction causing the formation of deeper n-p junction in the CdTe layer.

• Nuclear Engineering and Technology
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• 제5권1호
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• pp.13-19
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• 1973

P형의 시리콘기판 위에서 n형의 안터모니를 주입시킨 것과 n형의 시리콘기판위에서 p형의 인듈을 주입시킨 두 종류의 시리콘 P-n접합을 형성시키므로서 광에 의해서 기전력을 내는 전지와 전자조사에 의해서 기전력을 내는 두 종류의 전지를 얻었다. 시리콘기판속에 각주입자를 이와같이 엷게 주입시키기 위해서 VDH주입기를 사용하였다. 이들 전지를 위한 두 종류의 P-n접합은 에너지의 직접변환에 적합한 제특성상의 특징을 나타내있다. 본 논문에는 이 두 종류의 전지에 관한 비교연구의 결과가 나타나 있다.