The Effect of Junction Depth on the Charge Density in $n^+ -p$ junction with Consideration of Position dependent Dielectric Constant

$n^+ -p$ 접합에서 위치함수인 유전율을 고려한 경우 접합깊이가 전하밀도에 미치는 영향

We examine the effect of junction depth on the charge density solving numerically the general form of Poisson's equation for Gaussian $n^{+}$-p junctions. We also present an analytical model for the charge diopole due to the variation of the dielectric constant with doping.

Gaussian $n^{+}$-p집합에 대해 위치함수인 유전율을 고려한 Poisson's equation의 일반적인 형태를 수치적으로 풀어 접합깊이가 전하밀도에 미치는 영향을 살펴 보았다. 또한 유전율의 변화에 기인한 전하 쌍극자의 해석적인 모델을 제시하였다.