• 한국세라믹학회지
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• 제29권4호
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• pp.259-264
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• 1992

The crystal structures and the bonding characteristics in $(Ba_xPb_{1-x})TiO_3$ have been investigated by X-ray diffraction analysis and infrared spectrophotometry. As $Ba^{2+}$ ion in $BaTiO_3$ were substituted by $Pb^{2+}$ ion, the structures were changed to orthorhombic from tetragonal, and also the covalent character in Ti-O bond increased, and then the dielectric constants decreased gradually. In the mixed oxide containing $Pb^{2+}$ ion more than 50%, the change-transfer energy of titanium ion increased.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제46권12호
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• pp.18-23
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• 2009

본 연구는 실리콘 기판과 실리콘 산화막 사이의 계면 트랩 밀도와 게이트 누설 전류를 조사하여, Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon (MONOS) 메모리 소자의 계면 트랩 특성의 수소-질소 열처리 효과를 조사하였다. 고속열처리 방법으로 850도에서 30초 동안 열처리한 MONOS 샘플들을 질소 가스와 수소-질소 혼합 가스를 사용하여 450도에서 30분 동안추가 퍼니스 열처리 공정을 수행하였다. 열처리 하지 않은 것, 질소, 수소-질소로 열처리 한 세 개의 샘플 중에서, 커패시터-전압 측정 결과로부터 수소-질소 열처리 샘플들이 가장 적은 계면 트랩 밀도를 갖는 것을 확인하였다. 또한, 전류-전압 측정 결과에서, 수소-질소 열처리 소자의 누설전류 특성이 개선되었다. 위의 실험 결과로부터, 수소-질소 혼합 가스로 추가 퍼니스 열처리의해 실리콘 기판과 산화막 사이의 계면 트랩 밀도를 상당히 줄일 수 있었다.

• 한국산업보건학회지
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• 제24권3호
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• pp.263-271
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• 2014

Objectives: Along with the several cases of pulmonary disorders caused by exposure to indium that have been reported in Japan, China, and the United States, cases of Korean workers involved in processes that require handling of indium compounds with potential risk of exposure to indium compounds have also been reported. We performed biological monitoring for workers in various target manufacturing processes of indium, indium oxide, and indium tin oxide(ITO)/indium zinc oxide(IZO) in domestic factories. Materials: As biological exposure indices, we measured serum concentrations of indium using inductively coupled plasma mass spectrometry, and Krebs von den Lungen 6(KL-6) and surfactant protein D(SP-D) using enzyme-linked immunosorbent assays. We classified the ITO/IZO target manufacturing process into powdering, mixing, molding, sintering, polishing, bonding, and finishing. Results: The powdering process workers showed the highest serum indium level. The mixing and polishing process workers also showed high serum indium levels. In the powdering process, the mean indium serum concentration in the workers exceeded $3{\mu}g/L$, the reference value in Japan. Of the powdering, mixing, and polishing process workers, 83.3%, 50.0%, and 24.5%, respectively, had values exceeding the reference value in Japan. We suppose that the reason of the higher prevalence of high indium concentrations in powder processing workers was that most of the particles in the powdering process were respirable dust smaller than $10{\mu}m$. The mean KL-6 and SP-D concentrations were high in the powdering, mixing, and polishing process workers. Therefore, the workers in these processes who were at greater risk of exposure to indium powder were those who had higher serum levels of indium, as well as KL-6 and SP-D. We observed significant differences in serum indium, KL-6, and SP-D levels between the process groups. Conclusions: Five among the seven reported cases of "indium lung" in Japan involved polishing process workers. Polishing process workers in Korea also had high serum levels of indium, KL-6, and SP-D. The outcomes of this study can be used as essential bases for establishing biological monitoring measures for workers handling indium compounds, and for developing health-care guidelines and special medical surveillance in Korea.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제19권3호
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• pp.37-41
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• 2012

Cu 본딩을 이용한 웨이퍼 레벨 적층 기술은 고밀도 DRAM 이나 고성능 Logic 소자 적층 또는 이종소자 적층의 핵심 기술로 매우 중요시 되고 있다. Cu 본딩 공정을 최적화하기 위해서는 Cu chemical mechanical polishing(CMP)공정 개발이 필수적이며, 본딩층 평탄화를 위한 중요한 핵심 기술이라 하겠다. 특히 Logic 소자 응용에서는 ultra low-k 유전체와 호환성이 좋은 Ti barrier를 선호하는데, Ti barrier는 전기화학적으로 Cu CMP 슬러리에 영향을 받는 경우가 많다. 본 연구에서는 웨이퍼 레벨 Cu 본딩 기술을 위한 Ti/Cu 배선 구조의 Cu CMP 공정 기술을 연구하였다. 다마싱(damascene) 공정으로 Cu CMP 웨이퍼 시편을 제작하였고, 두 종류의 슬러리를 비교 분석 하였다. Cu 연마율(removal rate)과 슬러리에 대한 $SiO_2$와 Ti barrier의 선택비(selectivity)를 측정하였으며, 라인 폭과 금속 패턴 밀도에 대한 Cu dishing과 oxide erosion을 평가하였다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제18권8호
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• pp.873-879
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• 2007

본 논문에서는 Freescale사의 Si-LDMOSFET 4-W 소자를 이용하여 고효율 class-F 전력 증폭기를 구현하였다. Class-F 전력 증폭기를 구현하는데 있어서 모든 하모닉 성분들에 대해 원하는 임피던스를 갖도록 조정하기는 불가능하기 때문에 2차와3차 하모닉 성분만을 조율하여 회로의 간결함과 동시에 상대적으로 높은 효율을 얻을 수 있었다. 또한, 본 논문에 설계된 증폭기는 보다 정확하게 하모닉 성분을 조율하기 위해, LDMOSFET의 대신 호 등가 모델에서 가장 큰 영향을 미치는 drain-source capacitance(Cds)와 bonding inductance(Lb)를 추출하여 하모닉 조율 회로를 설계하였다 제작된 고효율 class-F 전력 증폭기의 측정 결과 drain-efficiency(DE) 65.1%, power-added-efficiency(PAE) 60.3%의 효율을 얻을 수 있었다.

• Carbon letters
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• 제4권1호
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• pp.1-9
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• 2003

Recently, the control of pore-characteristics of nano-porous materials has been studied extensively because of their unique applications, which includes size-selective separation, gas adsorption/storage, heterogeneous catalysis, etc. The most widely adopted techniques for controlling pore characteristics include the utilization of pillar effect by metal oxide and of templates such as zeolites. More recently, coordination polymers constructed by transition metal ions and bridging organic ligands have afforded new types of nano-porous materials, porous metal-organic framework(porous MOF), with high degree and uniformity of porosity. The pore characteristics of these porous MOFs can be designed by controlling the coordination number and geometry of selected metal, e.g transition metal and rare-earth metal, and the size, rigidity, and coordination site of ligand. The synthesis of porous MOF by the assembly of metal ions with di-, tri-, and poly-topic N-bound organic linkers such as 4,4'-bipyridine(BPY) or multidentate linkers such as carboxylates, which allow for the formation of more rigid frameworks due to their ability to aggregate metal ions into M-O-C cluster, have been reported. Other porous MOF from co-ligand system or the ligand with both C-O and C-N type linkage can afford to control the shape and size of pores. Furthermore, for the rigidity and thermal stability of porous MOF, ring-type ligand such as porphyrin derivatives and ligands with ability of secondary bonding such as hydrogen and ionic bonding have been studied.

• Restorative Dentistry and Endodontics
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• 제42권2호
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• pp.125-133
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• 2017

Objectives: This study compared the effect of hexamethyldisiloxane (HMDSO) and ammonia ($NH_3$) plasmas on the bond strength of resin cement to fiber posts with conventional treatments. Materials and Methods: Sixty-five fiber posts were divided into 5 groups: Control (no surface treatment); $H_2O_2$ (24% hydrogen peroxide for 1 min); Blasting (blasting with aluminum oxide for 30 sec); $NH_3$ ($NH_3$ plasma treatment for 3 min); HMDSO (HMDSO plasma treatment for 15 min). After the treatments, the Ambar adhesive (FGM Dental Products) was applied to the post surface (n = 10). The fiber post was inserted into a silicon matrix that was filled with the conventional resin cement Allcem Core (FGM). Afterwards, the post/cement specimens were cut into discs and subjected to a push-out bond strength (POBS) test. Additionally, 3 posts in each group were evaluated using scanning electron microscopy. The POBS data were analyzed by one-way analysis of variance and the Tukey's honest significant difference post hoc test (${\alpha}=0.05$). Results: The Blasting and $NH_3$ groups showed the highest POBS values. The HMDSO group showed intermediate POBS values, whereas the Control and $H_2O_2$ groups showed the lowest POBS values. Conclusion: Blasting and $NH_3$ plasma treatments were associated with stronger bonding of the conventional resin cement Allcem to fiber posts, in a procedure in which the Ambar adhesive was used.

• 대한치과교정학회지
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• 제40권1호
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• pp.27-33
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• 2010

성인 교정환자의 수요가 증가하면서 보철물 표면에 교정장치를 부착해야 하는 빈도가 늘어나고 있다. 본 연구는 금속표면에 교정장치를 직접 접착하고자 할 때 사용하는 metal primer와 silicoating으로 각각 금합금의 표면을 처리한 후 light emitting diode (LED) 광중합기를 사용하여 광중합을 시행하여 접착력을 평가해 보고자 하였다. Type III gold alloy 표면에 aluminum oxide를 이용한 sandblasting 후 4-META 계열의 metal primer로 처리한 시편과 silica를 이용한 sandblasting 후 silane으로 처리한 시편에 광중합형 접착레진인 Transbond XT를 이용하여 금속 브라켓을 접착하고 접착 후 1시간, 6시간, 24시간 후 전단접착강도의 변화를 비교, 관찰하였다. 측정된 값을 이원분산분석(two-way analysis of variance)을 이용하여 비교하고 두 가지 표면처리 방법 간에 접착강도에 차이가 있는지도 살펴보았다. 연구결과, metal primer에 비하여 silicoating을 시행한 시편에서 높은 전단접착강도가 관찰되었으며, 시간이 경과할수록 접착강도가 증가하는 경향을 보였다. Adhesive remnant index (ARI)에서는 군 간 유의한 차이를 보이지 않았다. LED를 이용하여 광중합을 시행하는 경우 법랑질에 비하여 긴 시간의 광중합을 실시하고 metal primer보다는 silicoating 방법을 사용하는 것이 금합금표면에 교정장치를 부착할 때 더 높은 접착강도를 얻을 수 있을 것이다.

• 한국재료학회지
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• 제10권3호
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• pp.212-217
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• 2000

일반적으로 TFT(thin film transistor)의 유전체막으로 실리콘 질화막($Si_3$$N_4$)이나 실리콘 산화막(SiO$_2$)을 $200-300^{\circ}C$의 온도에서 증착을 하게 되는데 본 연구에서는 비정질 실리콘과 유전체막 사이의 계면 특성 특히 계면의 거칠기를 향상시키기 위해서 기존의 증착법이 아니라 비정질 실리콘(a-Si:H)과 산소 ECR 플라즈마의 반응에 의한 산화 막의 성장법을 시도했는데, 이때 기판은 의도적으로 가열하지 않았으며 특히 본 연구에서는 기존의 시도와는 달리 ECR 플라즈마를 형성할 때 마이크로파 전력에 pulse를 가하는 방법을 최초로 시도했고, 계면에 불순물의 혼입을 최대한으로 줄이기 위해서 진공을 파괴하지 않은 상태로 산화막을 연속적으로 성장시키는 방법을 이용했다. Pulse를 가했을 경우에는 pulse를 가하지 않은 경우에 비해서 화학양론적 측면, 유전상수, 산화막의 표면 평탄도 등에서 우수한 산화막이 성장했으며, 특히 비정질 실리콘과 유전체막 사이의 계면 특성을 반영하는 산화막의 표면 평탄도가 1/3정도로 획기적으로 줄어들었다.

• 대한화학회지
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• 제31권2호
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• pp.197-202
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• 1987

cis 및 trans 2-methyl-N-phenyl-1,3-oxathiolane-2-acetamide (b) 및 (c)의 sigmatropic rearrangement에 의하여 생성되는 각각의 sulfenic acid (d) 및 (f)는 deuterium exchange reaction에 의하여 확인되었다. cis와 sulfoxide (b)와 (c)의 이성질화가 중성조건하에서는 일어나지 않으나, 산성촉매 존재하에서는 일어난다는 것이 발견되었다. 중성조건하에서 이성질화가 일어나지 않는 것은 sulfenic acid의 SOH 산소원자와 NH proton 사이의 수소결합이 관여하는 stereospecific recyclization에 기인하거나 기하학적 요구에 기인한다고 설명된다. 한편 cis sulfoxide (b)와 trans sulfoxide (c)의 혼합물을 주는 전구물질 1, 3-oxathiolane의 산화반응에서 benzene seleninic acid를 촉매로 하는 $H_2O_2$의 산화에 의하여 cis sulfoxide (b)가 높은 수율로 선택적으로 얻어졌다.