PECVD 질화막 증착시 $SiH_4/NH_3$ 유량비가 비휘발성 MNOS 기억소자의 특성에 미치는 영향
(The Influence of the $SiH_4/NH_3$ Ratios on the Characteristics of Nonvolatile MNOS Memories during the PECVD Silicon Nitride Film deposition)
-
- 대한전기학회:학술대회논문집
- /
- 대한전기학회 1992년도 하계학술대회 논문집 B
- /
- pp.832-834
- /
- 1992