Organic field-effect transistors (OFETs) are of interest for use in widely area electronic applications. We fabricated a copper phthalocyanine (CuPc) based field-effect transistor with different metal electrode. The CuPc FET device was made a top-contact type and the substrate temperature was room temperature. The source and drain electrodes were used an Au and Al materials. The CuPc thickness was 40nm, and the channel length was $50{\mu}m$, channel width was 3mm. We observed a typical current-voltage (I-V) characteristics in CuPc FET with different electrode materials.
Printed electronics is an emerging technology to realize various microelectronic devices via a cost-effective method. Here we demonstrated a high performance of p-channel and n-channel top-gate/bottom contact polymer field-effect transistors (FETs), and applications to elementary organic complementary inverter and ring oscillator circuits by inkjet processing. We could obtained high field-effect mobility more than $0.4\;cm^2/Vs$ for both of p-channel and n-channel FETs, and successfully measured inkjet-printed polymer inverters. The performance of devices highly depends on the selection of dielectrics, printing condition and device architecture. Optimized CMOS ring oscillators with p-type and n-type polymer transistors showed as high as 50 kHz operation frequency. This research was financially supported by development of next generation RFID technology for item level applications (2008-F052-01) funded by the ministry of knowledge economy (MKE).
유기박막트랜지스터 개발의 중요한 이슈 중 하나는 용액 공정이 가능한 저전압구동용 고분자 게이트 절연체의 개발이다. 따라서 본 연구에서는 고성능의 저전압구동이 가능한 유기박막트랜지스터를 위한 우수한 성능의 고분자 게이트 절연체 재료인 poly(styrene-r-benzocyclobutene-r-methyl methacrylate) (P(S-r-BCB-r-MMA))을 합성하였다. P(S-r-BCB-r-MMA)는 경화과정에서 부피의 변화가 거의 없기 때문에 우수한 절연특성을 가지는 매우 얇은 고분자 절연체를 제조할 수 있으며, 이는 주파수에 따른 전기용량 변화를 통해 확인할 수 있다. 펜타센 유기반도체를 기반으로 한 유기박막트랜지스터 소자를 제작하였을 경우 전계효과이동도 $0.25cm^2/Vs$, 문턱전압 -2 V, 점멸비 ${\sim}10^5$, 그리고 sub-threshold swing 400 mV/decade로 우수한 성능을 보인다. 본 연구에서 새롭게 소개된 P(S-r-BCB-r-MMA)는 유연 디스플레이와 같은 미래형 전자소자의 구현을 위한 게이트 절연체 소재로서 하나의 가능성을 제공할 것이다.
차세대 전자 디스플레이 관련 제품의 휴대편리성, 유연성, 경량화, 대형화 등의 요구조건을 확보할 수 있는 유기반도체 소재기반 소프트 일렉트로닉스에 많은 관심이 모아지고 있다. 소프트 일렉트로닉스의 응용분야로는 전자 신문, 전자 책, 스마트카드, RFID 태그, 태양전지, 휴대용 컴퓨터, 센서, 메모리 등이 있으며, 핵심소자는 유기 전계효과 트랜지스터(organic field-effect transistor, OFET)이다. OFET의 고성능화를 위해서는 유기반도체, 절연체, 전극 구성소재들이 최적화 구조를 형성하도록 적층되어야 한다. 필름형성화 과정에서 대부분의 유기반도체 소재는 결합력이 약한 van der Waals 결합으로 자기조립 결정구조를 형성하므로, 이들의 결정성 필름구조는 주위 환경(공정변수 및 기질특성)에 의해 크게 달라진다. 특히 기질의 표면 에너지(surface energy) 및 표면 거칠기(surface roughness)에 따라 유기반도체 박막 내 결정 구조 및 배향 등은 크게 달라져, OFET의 전기적 특성에 큰 차이를 미친다. 유기친화적 절연층 소재 및 표면개질화는 전하이동에 유리하도록 용액 및 증착공정 유기반도체 박막의 결정구조 및 배향을 유도시켜 OFET의 전기적 성능을 향상시킬 수 있다.
We investigated the effects of a gate dielectric and its solvent on the characteristics of top-gated organic field-effect transistors (OFETs). Despite the rough top surface of the inkjet-printed active features, the charge transport in an OFET is still favorable, with no significant degradation in performance. Moreover, the characteristics of the OFETs showed a strong dependency on the gate dielectrics used and its orthogonal solvents. Poly(3-hexylthiophene) OFETs with a poly(methyl methacrylate) dielectric showed typical p-type OFET characteristics. The selection of gate dielectric and solvent is very important to achieve high-performance organic electronic circuits.
Orientational ordering of polar molecules and excess charges at the interface are main origins of surface polarization. For organic electronics, probing and control of these two surface polarization phenomena are key issues. In this presentation, I report a novel electrical measurement that can directly probe orientational dipolar motion in surface monolayers by Maxwell-displacement-current, and also report a novel optical technique that allows carrier motions in organic materials by measuring the optical second harmonic signals activated by the electric field. Then I discuss how the control of dipolar motions and carrier motions are linked to organic electronics applications such as organic field effect transistors.
Organic materials have potential advantages to be utilized as semiconductors in field effect transistors and light emmiting diodes. Gold, Aluminium, Silver, Chromium and Indium are used by electrodes. Gold is ohmic contact and the others are schottky contact. In this study, Pentacene and various electrode materials were deposited by Organic Molecular Beam Deposition (OMBD) and vacuum evaporation respectively. Those films were photolithographically patterned for measurements. These devices showed no degration after a 15 days of storage in laboratory environment.
한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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pp.342-345
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2009
Bright light-emitting single crystal organic field-effect transistors (FETs) based on highly luminescent oligo(p-phenylenevinylene) (OPV) derivatives are demonstrated. Although OPV single crystal FETs show both p - and n - type FET operation, we found that an increase in the conjugation length of the OPV derivatives from three phenylene rings to five phenylene rings results in an improvement in the electron mobility by an order of magnitude, while retaining the high hole mobility with intense electroluminescence.
용액 공정 기반으로 유기 전자소자를 제작할 시, 회전 도포 방법을 이용하는데 이 방법의 단점 중의 하나는 후속 회전 도포할 때 용액 속의 용매에 의해 이미 제작된 유기 박막을 물리적 또는 화학적인 손상을 입힐 수 있다는 것이다. 이러한 문제들로 인해 후속적인 박막 제조에 사용될 수 있는 용매의 종류는 매우 제한적일 수 밖에 없다. 본 논문에서는 기존에 알려진 용매들의 적절한 조합으로 인해 다층 박막 제작이 가능함을 보이고, 이를 이용하여 용액 공정 기반 유기 트랜지스터를 제작하여 성능의 향상을 보일 것이다. 트랜지스터의 구조는 하부 게이트 하부 접촉 (bottom gate, bottom contact) 구조로 제작되었고 게이트 절연체는 강유전체 고분자로 제작되었는데 한 번의 회전 도포 방법과 두 번의 회전 도포 방법으로 동일 두께를 형성하여 두 트랜지스터를 제작, 드레인 전압에 따른 소스-드레인 전류를 비교하였다. 그 결과 소스-게이트 누설 전류 감소 효과가 있었고, ON 상태에서의 소스-드레인 전류의 상승효과도 관찰되었다. 전류-전압 그래프로부터 계산된 이동도는 약 2.7배 증가되었다. 그러므로 용액 공정 기반 전계효과 트랜지스터를 제작할 시, 게이트 절연체를 다층 구조로 제작하면 성능 향상에 이점이 많다는 것을 알 수 있었다.
Park, Young-Hwan;Kang, Jung-Won;Kim, Yong-Hoon;Han, Jeong-In
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
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pp.1135-1138
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2006
By ink-jet printing method, organic thin-film transistors (OTFTs) having soluble 6,13-bis (triisopropylsilylethynyl) pentacene (TIPS pentacene) as an active material were fabricated. The TIPS pentacene solution was made with chlorobenzene and anisole. The solutions were printed on poly (4-vinylphenol) (PVP) dielectric layers and source/drain electrodes by piezo-type heads for bottom contact OTFTs. The dielectric layers had untreated or HMDS-treated conditions. The chlorobenzene device showed the highest field effect mobility of $0.016\;cm^2/Vs$ and the anisole HMDS-treated device shows the highest $I_{on}/I_{off}$ ratio of $10^5$.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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