DOI QR코드

DOI QR Code

Low-voltage Pentacene Field-Effect Transistors Based on P(S-r-BCB-r-MMA) Gate Dielectrics

P(S-r-BCB-r-MMA) 게이트 절연체를 이용한 저전압 구동용 펜타센 유기박막트랜지스터

  • Koo, Song Hee (Department of Organic Materials and Fiber Engineering, Soongsil University) ;
  • Russell, Thomas P. (Polymer Science and Engineering Department, University of Massachusetts) ;
  • Hawker, Craig J. (Materials Research Laboratory, University of California) ;
  • Ryu, Du Yeol (Department of Chemical and Biomolecular Engineering, Yonsei University) ;
  • Lee, Hwa Sung (Department of Chemical Engineering, Hanbat National University) ;
  • Cho, Jeong Ho (Department of Organic Materials and Fiber Engineering, Soongsil University)
  • 구송희 (숭실대학교 유기신소재.파이버공학과) ;
  • ;
  • ;
  • 류두열 (연세대학교 화학공학과) ;
  • 이화성 (한밭대학교 화학공학과) ;
  • 조정호 (숭실대학교 유기신소재.파이버공학과)
  • Received : 2011.08.12
  • Accepted : 2011.09.19
  • Published : 2011.10.10

Abstract

One of the key issues in the research of organic field-effect transistors (OFETs) is the low-voltage operation. To address this issue, we synthesized poly(styrene-r-benzocyclobutene-r-methyl methacrylate) (P(S-r-BCB-r-MMA)) as a thermally cross-linkable gate dielectrics. The P(S-r-BCB-r-MMA) showed high quality dielectric properties due to the negligible volume change during the cross-linking. The pentacene FETs based on the 34 nm-thick P(S-r-BCB-r-MMA) gate dielectrics operate below 5 V. The P(S-r-BCB-r-MMA) gate dielectrics yielded high device performance, i.e. a field-effect mobility of $0.25cm^2/Vs$, a threshold voltage of -2 V, an sub-threshold slope of 400 mV/decade, and an on/off current ratio of ${\sim}10^5$. The thermally cross-linkable P(S-r-BCB-r-MMA) will provide an attractive candidate for solution-processable gate dielectrics for low-voltage OFETs.

유기박막트랜지스터 개발의 중요한 이슈 중 하나는 용액 공정이 가능한 저전압구동용 고분자 게이트 절연체의 개발이다. 따라서 본 연구에서는 고성능의 저전압구동이 가능한 유기박막트랜지스터를 위한 우수한 성능의 고분자 게이트 절연체 재료인 poly(styrene-r-benzocyclobutene-r-methyl methacrylate) (P(S-r-BCB-r-MMA))을 합성하였다. P(S-r-BCB-r-MMA)는 경화과정에서 부피의 변화가 거의 없기 때문에 우수한 절연특성을 가지는 매우 얇은 고분자 절연체를 제조할 수 있으며, 이는 주파수에 따른 전기용량 변화를 통해 확인할 수 있다. 펜타센 유기반도체를 기반으로 한 유기박막트랜지스터 소자를 제작하였을 경우 전계효과이동도 $0.25cm^2/Vs$, 문턱전압 -2 V, 점멸비 ${\sim}10^5$, 그리고 sub-threshold swing 400 mV/decade로 우수한 성능을 보인다. 본 연구에서 새롭게 소개된 P(S-r-BCB-r-MMA)는 유연 디스플레이와 같은 미래형 전자소자의 구현을 위한 게이트 절연체 소재로서 하나의 가능성을 제공할 것이다.

Keywords

Acknowledgement

Grant : 컨버전스 기반의 신재생에너지원 개발을 위한 원천융합기술 인력양성

Supported by : 한국산업기술평가관리원

References

  1. M. J. Malachowski and J. Zmija, Opto-Electro. Rev., 18, 121 (2010). https://doi.org/10.2478/s11772-010-0008-9
  2. K. A. Singh, T. Young, R. D. McCullough, T. Kowalewski, and L. M. Porter, Adv. Funct. Mater., 20, 2216 (2010). https://doi.org/10.1002/adfm.201000346
  3. B. Sun and H. Sirringhaus, J. Am. Chem. Soc., 128, 16231 (2006). https://doi.org/10.1021/ja065242z
  4. Y. D. Park, S. G. Lee, H. S. Lee, D. Kwak, D. H. Lee, and K. Cho, J. Mater. Chem., 21, 2338 (2011). https://doi.org/10.1039/c0jm03114c
  5. B. Brauer, A. Virkar, S. C. B. Mannsfeld, D. P. Bernstein, R. Kukreja, K. W. Chou, T. Tyliszczak, Z. Bao, and Y. Acremann, Chem. Mater., 22, 3693 (2010). https://doi.org/10.1021/cm100487j
  6. H. S. Lee, D. H. Kim, J. H. Cho, Y. D. Park, J. S. Kim, and K. Cho, Adv. Funct. Mater., 16, 1859 (2006). https://doi.org/10.1002/adfm.200500854
  7. Y. Yun, C. Pearson, and M. C. Petty, J. Appl. Phys., 105, 034508 (2009). https://doi.org/10.1063/1.3075616
  8. N. G. Martinelli, M. Savini, L. Muccioli, Y. Olivier, F. Castet, C. Zannoni, D. Beljonne, and J. Cornil, Adv. Funct. Mater., 19, 3254 (2009). https://doi.org/10.1002/adfm.200901077
  9. M. P. Walser, W. L. Kalb, T. Mathis, T. J. Brenner, and B. Batlogg, Appl. Phys. Lett., 94, 053303 (2009). https://doi.org/10.1063/1.3077192
  10. X. Cheng, M. Caironi, Y. Y. Noh, J. Wang, C. Newman, H. Yan, A. Facchetti, and H. Sirringhaus, Chem. Mater., 22, 1559 (2010). https://doi.org/10.1021/cm902929b
  11. Y. Jang, D. H. Kim, Y. D. Park, J. H. Cho, M. Hwang, and K. Cho, Appl. Phys. Lett., 88, 072101 (2006). https://doi.org/10.1063/1.2173633
  12. H. S. Lee, D. H. Kim, J. H. Cho, M. Hwang, Y. Jang, and K. Cho, J. Am. Chem. Soc., 130, 10556 (2008). https://doi.org/10.1021/ja800142t