• Asian-Australasian Journal of Animal Sciences
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• 제25권7호
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• pp.1029-1037
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• 2012

The present study was designed to investigate the effect of ${\alpha}$-melanocyte-stimulating hormone (${\alpha}$-MSH), nitric oxide (NO) and L-cysteine on melanin production and expression of related genes MC1R, Tyr, Tyrp-1 and Tyrp-2 in muzzle melanocytes of differently colored three native Hanwoo cattle. Muzzle samples were taken from black, brindle and brown Hanwoo and purified melanocytes were cultured with ${\alpha}$-MSH, nitric oxide and L-cysteine at 100 nM, $50{\mu}M$ and 0.07 mg/ml of media respectively. The amounts of total melanin, eumelanin and mRNA expression at Tyr, Tyrp-1, Tyrp-2 and MC1R levels were quantified. ${\alpha}$-MSH and nitric oxide significantly increased (p<0.05) the amount of total melanin in black and brindle whereas eumelanin production in brown Hanwoo muzzle melanocytes. On the contrary, L-cysteine greatly (p<0.05) depressed the eumelanin production in black color but increased in brown. Simultaneously, up regulation of Tyr by nitric oxide and ${\alpha}$-MSH and down regulation of Tyr, Tyrp-2 and MC1R genes by L-cysteine were observed in muzzle melanocytes of all three phenotypes. The results of this study revealed nitric oxide and ${\alpha}$-MSH contribute hyper-pigmentation by enhancing eumelanogenesis whereas L-cysteine contributes to pheomelanin production in different colored Hanwoo muzzle melanocytes.

• 한국가금학회지
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• 제43권3호
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• pp.135-142
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• 2016

본 연구는 4종의 재래닭인 연산오계, 현인흑계, 횡성약닭, 황봉의 일반성분, 카르노신, 안세린 함량 및 면역활성을 비교하기 위하여 실시하였고, 대조구로 백색 레그혼을 사용하였다. 시험용 닭을 모두 동일한 조건에서 13주간 사육하여 도계한 후 화학적 성분조사를 실시하였다. 일반성분 분석에서는 4종의 재래닭이 백색레그혼에 비하여 조지방 함량이 높았으며, 콜레스테롤 함량은 현인흑계가 다른 품종에 비하여 높았고 횡성약닭이 유의적으로 낮았다(p<0.05). 면역증진 효능을 측정하기 위하여 대식세포를 이용하여 실험한 결과는 재래닭 4종의 가슴육에서만 대식세포 증식 및 NO 억제 효능이 있었다. 대식세포 탐식작용은 현인흑계와 횡성약닭가슴육에서 유의적으로 증가되었고, 염증 관련 사이토카인(IL-4, IL-10, $IFN-{\gamma}$) 유전자 발현은 백색레그혼에 비하여 4종의 재래닭에서 억제효과가 컸다. 결론적으로 4종류의 재래닭이 백색레그혼에 비하여 면역증진 효능이 높았으며, 특히 가슴육에서 효능이 있었다. 재래닭 품종 간에도 일반성분 및 면역조절능에 차이가 있는 것으로 나타났다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1994년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1463-1465
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• 1994

The electrical characteristics of $Al/Ta_2O_5/Si$ metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors were studied. $Ta_2O_5$ films on p-type silicon had been prepared by ionized cluster beam epitaxy technique (ICBE). This $Ta_2O_5$ films have low leakage current, high breakdown strength and low flat band shift. In this research, a single crystalline cpitaxial film of $Ta_2O_5$ has been grown on p-Si wafer using an ICBE technique. The native oxide layer ($SiO_2$) on the silicon substrate was removed below $500^{\circ}C$ by use of an accelerated arsenic ion beam, instead of a high temperature deposition. $Ta_2O_5$ films formed by ICBE technique can be received considerable attention for applications to coupling capacitors, gate dielectrics in MOS devices, and memory storage capacitor insulator because of their high dielectric constants above 20 and low temperature process.

• 한국재료학회지
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• 제7권6호
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• pp.484-491
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• 1997

본 연구에서는 비파괴적 분석 기법인 각분해 X-선 광전자 분광기(Angle-Resolved X-ray Photoelectron Spectros-copy)를 이용하여 GaAs 표면 자연 산화막의 깊이에 따른 화학적 결합 상태 및 조성 분석을 수행하였다. GaAs의 벽개면 및 Ar이온으로 식각된 면을 기준시료로 하여 각 원자의 광전자 강도(intensity)를 보정해주는 인자인 ASF(atomic sensitivity factor)의 최적값을 구하였다. 이륙각에 따라 발생되어지는 각 원소의 피이크 분해와 정확한 ASF의 보정을 통한 각 원소의 실험적인 결과를 이용하여 깊이 방향으로의 조성 분포 모델을 세웠으며, 이론적인 강도와의 상호비교로부터 표면 오염층의 구조는 표면으로부터 탄소층, Ga-oxide와 As-oxide로 이루어진 oxides층, As-As결합의 elemental As층 및 GaAs기판의 순으로 존재함을 알 수 있었다. 또한 GaAs 표면에 존재하는 오염층은 35.8$\pm$3.3 $\AA$이었다. 또한 위 결과로부터 분석깊이 영역에서 원자수의 비로써 정의되는 의미로서의 실질조성을 구하였는데 단지 특정 이륙각에 따라 일반적인 ASF로 보정된 표면조성 결과는 표면 상태를 명확히 표현해주지 못함을 확인할 수 있었다.

• 한국재료학회지
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• 제12권6호
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• pp.464-469
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• 2002

$SrBi_2Nb_2O_9(SBN)$ thin films were grown on Pt/Ti/Si and p-type Si(100) substrates by rf-magnetron co-sputtering method using two ceramic targets, $SrNb_2O_6\; and \;Bi_2O_3$. The structural and electrical characteristics have been investigated to confirm the possibility of the SBN thin films for the applications to destructive and nondestructive read out ferroelectric random access memory(FRAM). For the optimum growth condition X-ray diffraction patterns showed that SBN films had well crystallized Bi-layered perovskite structure after $700^{\circ}C$ heat-treatment in furnace. From this specimen we got remnant polarization $(2P_r)$ of about 6 uC/$\textrm{cm}^2$ and coercive voltage $(V_c)$ of about 1.5 V at an applied voltage of 5 V. The leakage current density was $7.6{\times}10^{-7}$/A/$\textrm{cm}^2$ at an applied voltage of 5V. And for the NDRO-FRAM application, properties of SBN films on Si substrate has been investigated. From transmission electron microscopy (TEM) analysis, we found the furnace treated sample had a native oxide about 2 times thicker than the RTA treated sample and this thick native oxide layer had a bad effect on C-V characteristics of SBN/Si thin film. After $650^{\circ}C$ RTA process, we got the improved memory window of 1.3 V at an applied voltage of 5 V.

• 한국축산식품학회지
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• 제21권4호
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• pp.374-382
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• 2001

Lf는 cytokines의 생성 및 면역반응 등의 생체 방어적 기능을 하는 물질로 알려져 있다. 본 연구에서는 Lf과 Lf-h에 의해 macrophage에서 TNF-$\alpha$와 NO 생성에 미치는 효과를 조사하였다. K-Lf 및 K-Lf-h는 단독으로 TNF-$\alpha$의 생성을 증가시켰으며, Lf의 농도에 따라 그 생성량이 증가하였다. LPS와 함께 작용시켰을 경우에는 큰 효과가 없는 것으로 나타났으나, 세포 성장률은 증가시켰다. 그러나 B-Lf, H-Lf, 그리고 이들의 가수분해물들은 단독으로는, RAW264.7 cell을 자극하여 TNF-$\alpha$나 NO의 생성을 증가시키지 못하였다. 또한, K-Lf는 그 자체만으로 TNF-$\alpha$에서 보여준 것처럼 NO생성에 영향을 미치며 농도가 높아짐에 따라 NO 생성을 증가시키는 경향을 보여주었다.

• 한국재료학회지
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• 제24권11호
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• pp.573-577
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• 2014

The existing metal getters are invariably covered with thin oxide layers in air and the native oxide layer must be dissolved into the getter materials for activation. However, high temperature is needed for the activation, which leads to unavoidable deleterious effects on the devices. Therefore, to improve the device efficiency and gas-adsorption properties of the device, it is essential to synthesize the getter with a method that does not require a thermal activation temperature. In this study, getter material was synthesized using palladium oxide (PdOx) which can adsorb $H_2$ gas. To enhance the efficiency of the hydrogen and moisture absorption, a porous layer with a large specific area was fabricated by an etching process and used as supporting substrates. It was confirmed that the moisture-absorption performance of the $SiO_2/Si$ was characterized by water vapor volume with relative humidity. The gas-adsorption properties occurred in the absence of the activation process.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2017년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.150.2-150.2
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• 2017

This research was conducted to investigate in detail the effect of $PO_4{^{3-}}$, $CO_3{^{2-}}$ and $F^-$ anions on the electrochemical properties of the thin air-formed oxide film-covered AZ31 Mg alloy. In this work, native air-formed oxide films on AZ31 Mg alloy samples were prepared by knife-abrading method and the changes in the electrochemical properties of the air-formed oxide film were investigated in electrolytes containing 0.01 M, 0.05 M and 0.1 M of $PO_4{^{3-}}$, $CO_3{^{2-}}$ and $F^-$ anions. It was observed that the trend of open circuit potential (OCP) transients changed only in the solution containing $PO_4{^{3-}}$ ions. The Nyquist plots obtained from electrochemical impedance spectroscopy (EIS) showed that the resistance of the new surface films formed in fluoride ion containing bath increased with the increase in concentration of fluoride ions but the resistance of surface films formed in carbonate ion containing bath decreased with the increase in concentration of carbonate ions. The potentiodynamic polarization curves illustrated that under anodic polarization, there was growth of porous passive layer only in fluoride ion containing solution while the surface layer formed in phosphate and carbonate ion containing solutions lost its passivity at high anodic potential of $2.5V_{Ag/AgCl}$.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.353-353
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• 2012

InAs nanowires (NWs)는 나노소자스케일의 전자소자나 광전자소자를 위한 기본 단위(building block)로 사용될 수 있고, 1차원적 나노구조를 가지면서 나타나는 특별한 전기적, 광학적 특성으로 인해 전계효과 트랜지스터, 레이저, 광발광 다이오드, 가스 검출 센서 등의 많은 응용소자로 활용을 위한 연구가 진행되 있으며 주로 실리콘, 갈륨비소 기판 위에 금속유기기상 증착(MOCVD) 또는 분자선 증착 (MBE)을 이용하여 선택적 수직배열 성장 조절을 위한 연구와 특성 평가 연구가 주로 이뤄지고 있다. 본 연구에서는 InAs NWs를 MBE 장치를 이용하여 Si(111) 기판 위에 Au와 같은 촉매를 사용하지 않고 Si과 InAs의 큰 격자 불일치로 인하여 성장되는 Volmer-weber 성장 모드를 이용 하였다. InAs NW 성장모드는 Si ($5.4309{\AA}$)과 InAs ($6.0584{\AA}$) 사이에 큰 격자상수 차이를 이용하게 되는데 촉매를 사용하여 성장하는 일반적인 이종 화합물 반도체 성장 모드와 달리 액상상태가 존재하지 않고 바로 In과 As이 Si 기판 위를 이동하여 수직방향으로 성장이 이루어지는 vaporsolid(VS) 모드이다. InAs NW V-S 성장 모드는 Si 기판과의 격자 상수차에 의한 스트레스를 이용해야 하므로 Si기판 위에 존재하는 native oxide는 완벽히 제거되어야 한다. InAs NW 최적 성장 조건을 찾기위해 V/III raitio, 성장 온도, 기판표면처리 등의 성장 변수를 변화 시켜가며 실험을 수행하였다. Native oxide를 제거하기 위하여 HF와 buffered oxide etchant (BOE)를 사용하였다. InAs NWs 성장조건은 Indium flux를 고정 시키고 V/III ratio는 50~400까지 변화를 주었다. V/III ratio를 200으로 고정을 시키고 성장온도를 $375{\sim}470^{\circ}C$에서 성장 하였다. 이 때 InAs NWs는 $430^{\circ}C$에서 가장 높은 밀도와 aspect ratio를 얻을 수 있었다. Arsenic flux에 대해서는 많을 수록 좋은 aspect ratio를 얻을 수 있었다. 하지만 InAs 구조의 절대 부피는 거의 같다는 것을 확인 할 수 있었고 이는 온도와 V/III ratio가 Indium adatom의 surface migration length에 대하여 중요한 요소로 작용되는 것을 알 수 있었다.

• 한국자원식물학회지
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• 제28권2호
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• pp.158-167
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• 2015

본 연구는 제주 자생 식물들의 항산화 활성을 측정함으로써 천연항산화 소재로의 활용 가능성이 있는 유망 자원을 발굴하고자 하였다. 제주도에서 자생하는 식물 11종을 대상으로 총 폴리페놀 화합물 함량 측정 및 항산화 활성을 측정하였다. 항산화 기능이 좋은 식물 8종을 우선 선별하여 유기용매 분획을 실시하고 같은 실험을 농도별로 진행하여 가능성이 있는 유망 후보를 선별 하였다. DPPH free radical 소거 활성은 구실잣밤나무의 ethyl acetate 층과 애기달맞이의 buthanol 층에서 각각 IC₅₀값이 1.6 ㎍/㎖, 2.4 ㎍/㎖로 좋은 활성을 나타내었다. Nitric oxide 생성 저해 활성은 밤나무의 ethyl acetate 층에서 강한 저해율 보였다. Xanthine oxidase의 억제 효과는 밤나무의 ethyl acetate 층에서 IC₅₀ 값이 16 ㎍/㎖로 우수한 활성을 나타내었다. Superoxide radical 소거 효과는 구실잣밤나무의 ethyl acetate 층에서 IC₅₀ 7 ㎍/㎖로 좋은 활성을 나타내었고, hydroxyl radical 소거 활성은 구실잣밤나무의 buthanol 층에서 76%로 우수한 활성을 나타냄을 확인 할 수 있었다. 밤나무를 비롯한 항산화 효과가 우수한 식물종에 대해 단일 물질에 대한 분리 작업과 함께 항염증이나 항암, 항노화 등의 실험이 더 깊이 있게 진행된다면 새로운 천연물 유래 생리 활성 물질로서 학술 및 산업적 활용이 가능할 것으로 기대된다.