• 제목/요약/키워드: Nano-ZnO

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Ag 나노완충층 두께에 따른 AZO/Ag 투명전극의 전기광학적 특성 연구 (Influence of Ag Nano-buffer Layer Thickness on the Opto-electrical Properties of AZO/Ag Transparent Electrode Films)

  • 엄태영;송영환;문현주;김대현;조윤주;김대일
    • 열처리공학회지
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    • 제29권6호
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    • pp.272-276
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    • 2016
  • Al doped ZnO (AZO) single layer and AZO/Ag bi-layered films were deposited on the glass substrates by radio frequency and direct current magnetron sputtering and then the effect of Ag buffer layer on the electrical and optical properties of the films was investigated. The thicknesses of AZO upper layer was kept as 100 nm, while Ag buffer layer was varied from 5 to 15 nm. The observed results mean that opto-electrical properties of the AZO films is influenced with Ag buffer layer and AZO film with 10 nm thick Ag buffer layer show the higher opto-electrical performance than that of the AZO single layer film prepared in this study.

Temperature Calibration of a Specimen-heating Holder for Transmission Electron Microscopy

  • Kim, Tae-Hoon;Bae, Jee-Hwan;Lee, Jae-Wook;Shin, Keesam;Lee, Joon-Hwan;Kim, Mi-Yang;Yang, Cheol-Woong
    • Applied Microscopy
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    • 제45권2호
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    • pp.95-100
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    • 2015
  • The in-situ heating transmission electron microscopy experiment allows us to observe the time- and temperature-dependent dynamic processes in nanoscale materials by examining the same specimen. The temperature, which is a major experimental parameter, must be measured accurately during in-situ heating experiments. Therefore, calibrating the thermocouple readout of the heating holder prior to the experiment is essential. The calibration can be performed using reference materials whose phase-transformation (melting, oxidation, reduction, etc.) temperatures are well-established. In this study, the calibration experiment was performed with four reference materials, i.e., pure Sn, Al-95 wt%Zn eutectic alloy, NiO/carbon nanotube composite, and pure Al, and the calibration curve and formula were obtained. The thermocouple readout of the holder used in this study provided a reliable temperature value with a relative error of <4%.

The Power of Being Small: Nanosized Products for Agriculture

  • Anderson, Anne J.
    • 식물병연구
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    • 제24권2호
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    • pp.99-112
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    • 2018
  • Certain agrochemicals may be tuned for increased effectiveness when downsized to nanoparticles (NPs), where one dimension is less than 100 nm. The NPs may function as fertilizers, pesticides and products to improve plant health through seed priming, growth promotion, and induction of systemic tolerance to stress. Formulations will allow targeted applications with timed release, reducing waste and pollution when compared to treatments with bulk-size products. The NPs may be a single component, such as nano-ZnO as a fertilizer, or be composites of compatible materials, for example where N, P, and K plus micronutrients are available. The active materials could be loaded into porous carriers or tethered to base nanostructures. Coatings could include such natural products alginate, chitosan, zein, or silica. Certain NPs are taken up and transported in the plant's phloem and xylem so systemic effects are feasible. Timed and targeted release of the active product could be achieved in response to changes in pH or availability of ligands within the plant or the rhizosphere. Global research has revealed the many potentials offered by NP formulations to aid sustainability in agriculture. Current work will provide information needed by regulatory agencies to assess their safety in the agricultural setting.

전력비 변화에 따른 Au Multilayer 위에 증착한 GZOB 박막의 특성 (Dependences of die Power ratio on the properties in GZOB/Au multilayers)

  • 이종환;이규일;김봉석;이태용;강현일;송준태
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.144-144
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    • 2007
  • Effects of power ratio on the electrical and optical properties of Au based Ga-, B- codoped ZnO(GZOB) thin films were investigated. GZOB thin films on Au based PC flexible substrate were deposited at various power in the range from 50 to 125 W by DC magnetron sputtering. Au layer was fabricated to achieve good electrical conductivity. The presence of additional boron impurity leads to improve structural defects. Thus, the c-axis orientation along (002) plane was enhanced with the increasing of power ratio and the surface morphology of the films showed a homogeneous and nano-sized microstructure. GZOB films grown at 125W were investigated a low resistivity value of $1{\times}10^{-3}{\Omega}cm$ and a visible transmission of 80% with a thickness of 300nm.

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Metal Oxide Thin Film Transistor with Porous Silver Nanowire Top Gate Electrode for Label-Free Bio-Relevant Molecules Detection

  • 유태희;김정혁;상병인;최원국;황도경
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.268-268
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    • 2016
  • Chemical sensors have attracted much attention due to their various applications such as agriculture product, cosmetic and pharmaceutical components and clinical control. A conventional chemical and biological sensor is consists of fluorescent dye, optical light sources, and photodetector to quantify the extent of concentration. Such complicated system leads to rising cost and slow response time. Until now, the most contemporary thin film transistors (TFTs) are used in the field of flat panel display technology for switching device. Some papers have reported that an interesting alternative to flat panel display technology is chemical sensor technology. Recent advances in chemical detection study for using TFTs, benefits from overwhelming progress made in organic thin film transistors (OTFTs) electronic, have been studied alternative to current optical detection system. However numerous problems still remain especially the long-term stability and lack of reliability. On the other hand, the utilization of metal oxide transistor technology in chemical sensors is substantially promising owing to many advantages such as outstanding electrical performance, flexible device, and transparency. The top-gate structure transistor indicated long-term atmosphere stability and reliability because insulator layer is deposited on the top of semiconductor layer, as an effective mechanical and chemical protection. We report on the fabrication of InGaZnO TFTs with silver nanowire as the top gate electrode for the aim of chemical materials detection by monitoring change of electrical properties. We demonstrated that the improved sensitivity characteristics are related to the employment of a unique combination of nano materials. The silver nanowire top-gate InGaZnO TFTs used in this study features the following advantages: i) high sensitivity, ii) long-term stability in atmosphere and buffer solution iii) no necessary additional electrode and iv) simple fabrication process by spray.

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m-면 사파이어 기판을 이용한 반극성 (101) 산화아연 막대의 성장에 대한 연구

  • 손효수;최낙정;박지연;이성남
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.309.2-309.2
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    • 2014
  • 산화아연은 넓은 밴드갭과 큰 엑시톤 에너지를 갖고 있어 광전자반도체 물질로 산화인듐주석의 대체물질로 유망하다. 그러나, 산화아연 박막 및 나노막대는 대부분 c-축 방향으로의 성장이 보고되고 있다. 하지만, c-축으로 성장하는 극성 산화아연은 자발분극과 압전분극을 갖으며 이는 quantum confinement Stark effect (QCSE)를 발생시킨다. 그러므로, 반극성과 무극성 산화아연의 연구가 활발히 진행 되고 있다. 더욱이, 산화아연 나노구조체는 넓은 표면적, 높은 용해도, 광범위한 적용분야 등의 이점으로 많은 연구가 이뤄지고 있다. 본 연구에서는 m-면 사파이어 기판 위에 원자층 증착법을 이용하여 비극성 산화아연의 박막을 형성 후 전기화학증착법을 이용하여 반극성 산화아연 막대를 성장하고 이에 대한 성장 메커니즘을 분석하였다. 반극성 (10-11) 산화아연 나노구조체를 성장하기 위하여 두 단계 공정을 이용하였다. 먼저 원자층 증착법을 이용하여 m-면 사파이어 기판 위에 60 nm의 산화아연 씨앗층을 $195^{\circ}C$에서 성장 하였다. X-선 회절분석을 통하여 m-면 사파이어 위에 성장한 산화아연 씨앗층이 무극성 (10-10)으로 성장한 것을 확인하였다. 무극성 산화아연 씨앗층 위에 나노구조체를 형성하기 위하여 전기화학 증착법을 이용하여 주 공정이 진행되었다. 전구체로는 질산아연헥사수화물 ($Zn(NO3)2{\cdot}6H2O$)과 헥사메틸렌테트라민을 ((CH2)6N4)을 사용하였다. 무극성 산화아연 기판을 질산아연헥사수화물과 헥사메틸렌테트라민을 용해한 전해질에 담근 뒤 $70^{\circ}C$에서 두시간 동안 -1.0V의 정전압을 인가하였다. SEM을 이용한 표면 분석에서 원자층 증착법을 이용해 성장한 무극성 산화아연 씨앗층 위에 산화아연 나노구조체를 성장 시, 한 방향으로 기울어진 반극성 산화아연 나노구조체가 성장하는 것이 관찰되었다. 산화아연 막대의 성장 시간에 따라 XRD를 측정한 결과, 성장 초기에는 매우 약한 $31.5^{\circ}$ (100), $34.1^{\circ}$ (002), $36^{\circ}$ (101) 부근의 피크가 관찰되는 반면, 성장 시간이 증가함에 따라 강한 $36^{\circ}$ 부근의 피크가 관찰되는 X-선 회절 분석 결과를 얻을 수 있었다. 이는, 성장 초기에는 여러 방향의 나노구조체가 성장하였지만 성장시간이 점차 증가함에 따라 (101) 방향으로 우선 성장되는 것을 확인하였다.

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산화아연 나노구조를 이용한 H1N1 인플루엔자 A 바이러스 센서 제작 (Fabrication of a influenza A H1N1 sensor using ZnO nanostructure)

  • 장윤석;박정일;남윤경;박정호
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2011년도 제42회 하계학술대회
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    • pp.1690-1691
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    • 2011
  • 본 논문에서는 H1N1 인플루엔자 A 바이러스(influenza A H1N1 virus) 검출을 위한 산화아연 나노구조(zinc oxide nano structure) 기반의 전기화학적 면역센서를 제작하고 그 특성을 분석하였다. H1N1 인플루엔자 A 바이러스는 빠른 전파 속도 때문에 정확하고 빠른 검출이 필요하다. 먼저, 2 $mm^2$의 표면적을 갖는 패턴된 금 전극 위에 열수방식(hydrothermal method)으로 성장시킨 산화아연 나노구조가 선택적으로 형성되도록 리프트-오프(lift-off) 방법을 사용하였다. 0.01 M phosphate buffered saline(pH 7.4)에서 2 ${\mu}g$/mL 농도의 1차 항체를 정전기력에 의해 산화아연 나노구조에 고정화한 후, 10 pg/mL ~ 5ng/mL 농도의 H1N1 항원을 적용하여 포획 항체에 결합시키고 HRP(horseradish peroxidase) 효소가 결합된 검출 항체를 항원에 결합시키는 샌드위치 ELISA법을 이용하였다. HRP와 반응하는 TMB(3,3', 5,5'-tetramethylbenzidine)와 과산화수소가 포함된 acetate buffered 용액(pH 5)을 전해질로 사용하고 순환전압전류 측정법(cyclic voltammetry)으로 센서의 특성을 분석하였다. 측정된 순환전압전류그래프(cyclic voltammogram)에서 H1N1 항원 농도 10 pg/mL ~ 5 ng/mL의 응답 전류는 276.47 ${\pm}$ 21.72 nA (평균 ${\pm}$ 표준편차, n=4) ~ 478.89 ${\pm}$ 6.21 nA로 측정되었고, logarithmic하게 증가하는 응답 전류 특성을 보였다.

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산화 아연 나노 입자로 도포된 마이카의 합성 및 특성 규명 (Synthesis and Characterization of Mica Coated with Zinc Oxide Nanoparticles)

  • 길현석;김용호;박민영;이석우
    • 공업화학
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    • 제23권3호
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    • pp.271-278
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    • 2012
  • 본 연구에서는 마이카와 산화 아연을 이용하여 복합 재료를 제조하고, 이를 자외선 차단 크림에 응용하는 연구를 수행하였다. 먼저 마이카와 산화 아연을 각각 3-aminopropyltrimethoxysilane (APTMS)으로 처리하여 표면에 아민기를 생성시켰다. 아민기가 붙은 마이카를 1,4-phenylenediisothiocyanate (PDC)와 반응시켜 표면에 -N=C=S 작용기를 활성화시킨 후, 아민기가 붙어있는 산화 아연과 결합시켜 산화 아연으로 덮인 마이카 복합 재료를 합성하였다. 원소 분석, EDS 분석, 열 중량 분석, SEM 이미지 분석, 형광 이미지 분석, 제타 전위 측정, X-선 회절 분석, DRS UV/Vis 분석을 통하여 고체 생성물의 특성을 규명하였다. 최종적으로 표준 프로토콜로 제조된 자외선 차단 크림의 파장에 따른 투과도를 280~400 nm 범위에서 측정하여 자외선 차단 효과를 확인하였다.