• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.485-485
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• 2013

Plasma-assisted molecular beam epitaxy법으로 자가 형성되는 InN 박막을 활용하여 GaN 박막의 결함밀도를 감소시키는 성장 구조 조건에 대하여 연구하였다. Sapphire 기판 위에 저온에서 GaN 핵층을 3 nm 두께로 성장하고, 그 위에 InN 박막을 성장 한 후, 고온에서 GaN을 성장하였다. InN박막의 성장 온도는 $450^{\circ}C$이고, 성장 시간을 30초에서 1분 30초까지 각각 달리 하였다. 실험결과 InN 층이 삽입된 GaN 박막이 상대적으로 고른 표면이 형성되는 과정을 reflection high energy electron diffraction로 관측하였고, atomic force microscope를 측정하여 표면 거칠기의 개선을 확인하였다. InN 성장시간 변화에 따른 결정학적, 광학적 특성 변화를 x-ray diffraction, photoluminescence 이용하여 조사하였고, 본 연구를 통해 InN박막을 활용한 양질의 GaN 박막 성장 가능성을 확인하였다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제32권10호
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• pp.3692-3695
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• 2011

Poly(N,N'-Dichloro-N-ethyl-benzene-1,3-disulfonamide) (PCBS) and N,N,N',N'-Tetrachlorobenzene-1,3-disulfonamide (TCBDA) were found to be a mild and efficient reagent for the direct oxidative conversion of sulfur compounds to the corresponding arenesulfonyl chlorides in good to excellent yields through the oxidative chlorination. The overall process is simple, practical, and it provides convenient access to a variety of aryl or heteroarylsulfonyl chlorides. The mild reaction conditions and the broad substrate scope render this method attractive, and complementary to existing syntheses of aryl or heteroarylsulfonyl chlorides.

• 한국정보처리학회:학술대회논문집
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• 한국정보처리학회 2002년도 추계학술발표논문집 (상)
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• pp.111-114
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• 2002

임베딩은 어떤 연결망이 다른 연결망 구조에 포함 혹은 어떻게 연관되어 있는지를 알아보기 위해 어떤 특정한 연결망을 다른 연결망에 사상하는 것으로, 특정한 연결망에서 사용하던 여러 가지 알고리즘을 다른 연결망에서 효율적으로 이용할 수 있도록 한다. 본 논문에서는 $2^{2n-k}\times2^k$ 토러스를 HFN(n,n)에 연장율 3, 밀집율 4 로 임베딩 가능함을 보이고, HFN(n,n)을 $2^{2n-k}\times2^k$ 토러스에 연장율 O(N)으로 임베딩됨을 보인다($N=2^n$).

• 대한수학회보
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• 제60권4호
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• pp.863-872
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• 2023

Let n ⩾ 2 be an integer, we denote the smallest integer b such that gcd {(ⁿ_k) : b < k < n - b} > 1 as b(n). For any prime p, we denote the highest exponent α such that p^α | n as v_p(n). In this paper, we partially answer a question asked by Hong in 2016. For a composite number n and a prime number p with p | n, let n = a_mp^m + r, 0 ⩽ r < p^m, 0 < a_m < p. Then we have $$v_p\(\text{gcd}\{\(n\\k\)\;:\;b(n)1\}\)=\{\array{1,&&a_m=1\text{ and }r=b(n),\\0,&&\text{otherwise.}}$$

• 대한수학회보
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• 제61권1호
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• pp.1-12
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• 2024

In this paper, we introduce the notion of Gorenstein (m, n)-flat modules as an extension of (m, n)-flat left R-modules over a ring R, where m and n are two fixed positive integers. We demonstrate that the class of all Gorenstein (m, n)-flat modules forms a Kaplansky class and establish that (𝓖𝓕_m,n(R),𝓖𝓒_m,n(R)) constitutes a hereditary perfect cotorsion pair (where 𝓖𝓕_m,n(R) denotes the class of Gorenstein (m, n)-flat modules and 𝓖𝓒_m,n(R) refers to the class of Gorenstein (m, n)-cotorsion modules) over slightly (m, n)-coherent rings.

• 한국재료학회지
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• 제27권11호
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• pp.603-608
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• 2017

$Si_3N_4$와 Ti 또는 TiAl 합금을 $900^{\circ}C$에서 확산쌍을 제조하여 분석하고, 확산층의 분석을 통하여 생성된 층마다의 조성을 분석하여 각 원소들의 확산 경로 및 속도를 비교 하였다. $Si_3N_4/Ti$의 확산 쌍의 확산 경로는 $Si_3N_4/Ti_5Si_3+TiN/TiN/Ti$로 나타났고, Ti 측면에서 TiN층이 생성 되었음으로 N의 확산 속도가 Si 보다 빠름을 알 수 있었다. $Si_3N_4/TiAl$ 합금의 확산쌍은 $Si_3N_4/Ti$ 사이의 확산쌍과는 다르게 Si, N, Ti, Al 의 각 원소 마다의 확산 속도 차이로 인하여 확산 경로는 $Si_3N_4/TiN(Al)/Ti_3Al/TiAl$ 상으로 나타났다. 상태도를 통하여 생성된 확산쌍의 확산경로를 파악한 결과, 확산경로의 요구사항을 모두 만족하였다. $Si_3N_4/Ti$ 확산에서 Ti를 이용한 적분확산 계수는 $Ti_5Si_3$, TiN에서 $2.18{\times}10^{-16}m^2/sec$, $2.19{\times}10^{-16}m^2/sec$, $Si_3N_4/TiAl$ 확산 쌍에서 Ti를 이용한 적분확산 계수는 각각 TiN(Al) 상에서 $2.88{\times}10^{-16}m^2/sec$, $Ti_3Al$ 상에서 $1.48{\times}10^{-15}m^2/sec$으로 나타났다. 본 연구는 $Si_3N_4$와 Ti 및 TiAl의 계면 반응을 분석한 결과로서 $Si_3N_4$ 상을 이용한 확산반응의 기초자료로 사용될 수 있을 것으로 사료된다.

• 한국진공학회지
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• 제11권1호
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• pp.50-58
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• 2002

Si 기판 위에 GaN의 성장은 Si이 사파이어보다 값이 저렴하고, 기존의 Si의 직접회로 공정에 GaN를 쉽게 접목시킬 수 있는 측면에서 다양한 장점이 있다. 그러나, Si은 GaN와의 격자상수와 열팽창계수의 차이가 사파이어보다 크며, 이로 인해 격자부정합에 의한 여러 결함을 발생시킨다. 따라서, Si 기판 위에 고품질의 GaN를 얻기 위해서는 AlN과 같은 완충층을 사용하여 격자부정합에 의한 결함을 줄여야 한다. 본 연구에서는 Si (111) 기판 위에 MOCVD, 스퍼터링과 MOMBE의 3가지 방법으로 결정성이 다른 3가지 유형의 AlN 완충층을 얻은 후, MOCVD법으로 GaN를 증착시켜 각각의 성장특성을 비교하였다. AlN 완충층과 GaN의 격자결합, 완충층의 표면 거칠기가 격자결함에 미치는 영향, 결정성, 성장방향, 결함(공공, 적층결함, 전위) 등을 TEM, XRD를 이용해 비교 분석하였다. AlN완충층의 결정성은 GaN의 성장에 있어 매우 큰 영향을 미치는 것을 확인할 수 있었다. 초기 성장과정에서 MOCVD과 MOMBE 법으로 성장시킨 AlN 완충층은 GaN 초기 성장에서 out-of-plane의 성장방향이 틀어지는 것을 감소시켜 주었다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제37권12호
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• pp.11-17
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• 2000

저압 유기금속화학기상증착법을 이용하여 효율적인 청색 발광을 하는 InGaN/GaN multiple quantum wells(MQWs)을 성장시키고, InGaN/GaN MQWs의 광학적 및 계면 구조 특성을 고찰하였다. 보다 효율적인 청색 발광을 하는 InGaN/GaN MQWs을 성장시키기 위하여, MQWs의 성장온도 및 InGaN 우물층과 GaN 장벽층의 두께를 변화시켜 최적 조건을 확립하였다. 특히, GaN 장벽층의 두께 변화가 InGaN 우물층과 GaN 장벽층간 계면의 구조적 특성에 지대한 영향을 미침을 확인하였다. X-ray 회절분석결과와 고분해능의 투과전자현미경 사진 분석으로부터 MQW 구조의 InGaN 우물층과 GaN 장벽층간의 계면이 매우 급준함을 발견할 수 있었다. 또한, 상온 PL 스펙트럼에서 72.6meV의 매우 좁은 반치폭을 갖는 단일 피크가 463.5nm에서 확인되었다.

• Journal of applied mathematics & informatics
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• 제32권5_6호
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• pp.599-607
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• 2014

In this paper, we investigate the behavior of solutions of the difference equation $$x_{n+1}=\frac{a+x_{n-1}x_{n-k}}{x_{n-1}+x_{n-k}},\;n=0,1,2,{\ldots}$$ where $k{\in}\{1,2\}$, $a{\geq}0$, and $x_{-j}$ > 0, $j=0,1,{\ldots},k$.

• Journal of Photoscience
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• 제12권2호
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• pp.63-66
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• 2005

The azomethine ylide forming photoreaction has been explored by probing the excited state chemistry of several N-trimethylsilylmethyl substituted cyclic and acyclic imides and amide analogs. N-[(Trimethylsilyl)methyl]-N-mesylbenzamide (5) undergoes the excited state C to O silyl migration reaction to produce azomethine ylide intermediate 13. This ylide undergoes electrocyclization to form transient aziridine intermediate 14 which react further by ring opening to generate N-phenacylamine product 10. On the other hand, photolysis of N-[N-mesyl-N-(trimethylsilyl)methyl]aminoethyl-N-mesylbenzamide (8) brings about desilylation resulting in the production of dimer 17.