• 한국컴퓨터정보학회논문지
• /
• 제3권2호
• /
• pp.169-175
• /
• 1998

ATM스위치에서 셀을 전송하기 위한 버퍼방식으로 HOL 블록킹을 방지하는 공유다중버퍼 방식이 있다. 그러나, 이러한 방식에서도 셀 손실이 발생하여 스위치의 성능을 저하시킨다. 따라서, 본 논문에서는 기존의 비충돌 공유 다중 버퍼 구조에서 발생하는 셀 손실을 방지하는 방안을 제안하였다. 셀 손실을 방지하는 방안으로 한 슬롯 타임동안에 손실되는 셀을 다음 슬롯 타임에 전송할 수 있도록 특정한 임시메모리에 저장할 수 있는 구조를 사용하였다. 이러한 구조를 시뮬레이션을 통해 성능평가를 한 결과 셀 손실율과 처리율면에서 기존의 시스템보다 우수함을 검증하였다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
• /
• 대한전자공학회 2001년도 하계종합학술대회 논문집(1)
• /
• pp.383-386
• /
• 2001

This paper presents a novel multicast architecture for shared multibuffer ATM switch, which is tailored for throughput enhancement in multicast environments. The address queues for multicast cells are separated from those for unicast cells to arbitrate multicast cells independently from unicast cells. Three read cycles are carried out during each cell slot and multicast cells have chances to be read from shared buffer memory(SBM) in the third read cycle provided that the shared memory is not accessed to read a unicast cell. In this architecture, maximum two cells are queued at each fabric output port per time slot and output mask choose only one cell. Extensive simulations are carried out and it shows that the proposed architecture has enhanced throughput comparing with other multicast schemes in shared multibuffer switch architecture.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
• /
• pp.229-229
• /
• 2010

We report a high crystalline nonpolar a-plane (11-20) GaN on r-plane (1-102) sapphire substrates with $+0.15^{\circ}$, $-0.15^{\circ}$, $+0.2^{\circ}$, $-0.2^{\circ}$ and $+0.4^{\circ}$ misoriented by metalorganic chemical-vapor deposition (MOCVD). The multi-quantum wells (MQWs) active region is consists of 5 periods the nonpolar a-plane InGaN/GaN (a-InGaN/GaN) on a high quality a-plane GaN (a-GaN) template grown by using the multibuffer layer technique. The full widths at half maximum (FWHMs) of x-ray rocking curve (XRC) obtained from phiscan of the specimen that was grown up to nonpolar a-plane GaN layers with double crystal x-ray diffraction. The FWHM values of $+0.4^{\circ}$ misoriented sapphire substrate were decreased down to 426 arc sec for $0^{\circ}$ and 531 arc sec for $-90^{\circ}$, respectively. Also, the samples were characterized by photoluminescence (PL).

• 인터넷정보학회논문지
• /
• 제5권1호
• /
• pp.41-49
• /
• 2004

다단상호연결네트윅의 성능평가시 실제적인 환경을 고려하기 위하여는 비균일 트래픽이 존재할 때 및 복수버퍼를 가질 때의 성능평가가 필수적이나 기존의 비균일트래픽하에서의 연구는 입력버퍼의 경우보다 상대적으로 모델링이 쉬운 출력버퍼를 가지고 있을 때를 고려한다든가 블럭킹 상태를 고려하지 못한다든, 단일버퍼만 고려한다든가 하는 결점을 가지고 있다. 따라서 본 논문에서는 입력버퍼를 가진 밴연형 다단상호연결네트윅이 비균일트래픽하에서 모델링하고 성능평가를 하는데 특히 다중의 입력버퍼를 가졌을 경우를 해석적으로 모델링하고 그 모델로부터의 결과와 시뮬레이션으로부터의 결과를 비교하여 구해진 모델의 우수성을 입증한다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
• /
• pp.147-147
• /
• 2011

High crystalline nonpolar a-plane (11-20) nitride light emitting diodes (LEDs) have been fabricated on r-plane (1-102) sapphire substrates by metalorganic chemical-vapor deposition (MOCVD). The multi-quantum wells (MQWs) active region is consists of 4 periods the nonpolar a-plane InGaN/GaN(a-InGaN/GaN) on a high quality a-plane GaN (a-GaN) template grown by using the multibuffer layer technique. The full widths at half maximum (FWHMs) of x-ray rocking curve (XRC) obtained from phiscan of the specimen that was grown up to nonpolar a-plane GaN LED layers with double crystal x-ray diffraction. The FWHM values were decreased down to 477 arc sec for $0^{\circ}$ and 505 arc sec for $-90^{\circ}$, respectively. After fabricating a conventional lateral LED chip which size was $300{\times}600{\mu}m^2$, we measured the optical output power by on-wafer measurements. N-electrode was made with Cr/Au contact, and ITO on p-GaN was formed with Ohmic contact using Ni/Au followed by inductively coupled plasma etching for mesa isolation. The optical output power of 1.08 mW was obtained at drive current of 20 mA with the peak emission wavelength of 502 nm.