• 전자공학회논문지A
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• 제33A권3호
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• pp.152-162
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• 1996

Diffraction gratings were designed to generate multiple beams for the real-time optical interconnection in free-space using a liquid crsytal television. Multi-level phase gratings consisted of stepped phase value, 0 to 2$\pi$, and generate a 5$\times$5 spot array, and V-shaped spot patterns which have a maximum diffraction efficiency of 78.84%. Simulated annealing technique was used to determine phase states of each pixel having uniform intensity and high diffraction efficiency. Through the optical interconnection experiments, we compared the diffraction characteristics of beam paterns obtained by binary-level, four-level, and eight-level phase gratings.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1992년도 제2회 학술발표회 논문개요집
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• pp.81-83
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• 1992

• Journal of Information Processing Systems
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• 제18권1호
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• pp.159-172
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• 2022

The role of the interconnect network, which connects computing nodes to each other, is important in high-performance computing (HPC) systems. In recent years, the peripheral component interconnect express (PCIe) has become a promising interface as an interconnection network for high-performance and cost-effective HPC systems having the features of non-transparent bridge (NTB) technologies. OpenSHMEM is a programming model for distributed shared memory that supports a partitioned global address space (PGAS). Currently, little work has been done to develop the OpenSHMEM library for PCIe-interconnected HPC systems. This paper introduces a prototype implementation of the OpenSHMEM library through a switchless interconnect network using PCIe NTB to provide a PGAS programming model. In particular, multi-interrupt, multi-thread-based data transfer over the OpenSHMEM shared memory model is applied at the implementation level to reduce the latency and increase the throughput of the switchless ring network system. The implemented OpenSHMEM programming model over the PCIe NTB switchless interconnection network provides a feasible, cost-effective HPC system with a PGAS programming model.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2003년도 하계종합학술대회 논문집 II
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• pp.791-794
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• 2003

The increasing computational capability of processors is driving the need for high bandwidth links to communicate and store the information that is processed. Such links are often an important part of multi processor interconnection, processor-to-memory interfaces and Serial-network interfaces. This paper describes a 0.11-${\mu}{\textrm}{m}$ CMOS 4 Gbp s/pin 3-Level transceiver using RSL/(Rambus Signaling Logic) for high bandwidth. This system which uses a high-gain windowed integrating receiver with wide common-mode range which was designed in order to improve SNR when operating with the smaller input overdrive of 3-Level. For multi-gigabit/second application, the data rate is limited by Inter-Symbol Interference (ISI) caused by low pass effects of channel, process-limited on-chip clock frequency, and serial link distance. In order to detect the transmited 4Gbps/pin with 3-Level data sucessfully ,the receiver is designed using 3-stage sense amplifier. The proposed transceiver employes multi-level signaling (3-Level Pulse Amplitude Modulation) using clock multi phase, double data rate and Prbs patten generator. The transceiver shows data rate of 3.2 ~ 4.0 Gbps/pin with a 1GHz internal clock.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제9권3호
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• pp.1-6
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• 2002

A low temperature process technology of copper thin films has been developed by a chemical vapor deposition technology for multi-level metallzations in ULSI fabrication. The copper films were deposited on TiN/Si substrates in helium atmosphere with the substrate temperature between $130^{\circ}C$ and $250^{\circ}C$. In order to get more reliable metallizations, effects on the post-annealing treatment to the electrical properties of the copper films have been investigated. The Cu films were annealed at the $5 \times10^{-6}$ Torr vacuum condition and the electrical resistivity and the nano-structures were measured for the Cu films. The electrical resistivity of Cu films shown to be reduced by the post-annealing. The electrical resistivity of 2.0 $\mu \Omega \cdot \textrm{cm}$ was obtained for the sample deposited at the substrate temperature of $180^{\circ}C$ after vacuum annealed at $300^{\circ}C$. The resistivity variations of the films was not exactly matched with the size of the nano-structures of the copper grains, but more depended on the contamination of the copper films.

• 한국지능정보시스템학회:학술대회논문집
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• 한국지능정보시스템학회 2006년도 춘계학술대회
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• pp.303-310
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• 2006

The sorting algorithms have been developed to take advantage of distributed computers. But the speedup of parallel sorting algorithms decrease rapidly with increased number of processors due to parallel processing overhead such as context switching time and inter-processor communication cost. In this paper, we propose a parallel sorting method which provides linear speedup of an optimal serial algorithm for a system with a large number of processors. This algorithm may even provide superlinear speedup for a practical system. The algorithm takes advantage of an interconnection network properties and its protocol.

• 전기학회논문지
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• 제57권3호
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• pp.416-420
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• 2008

This paper proposes a new method to improve signal characteristics at branches frequently met in system-level routing. We also introduce the numerical formula which can estimate the time delay due to branches and the simple design guideline for system-level routing. Finally, we propose the routing method which can eliminate the signal reflection for the case of one driver and two receivers (multi-drop topology).

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제51권7호
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• pp.311-315
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• 2002

Chemical mechanical polishing (CMP) process was required for the global planarization of inter-metal dielectric(IMD), inter-level dielectric (ILD) layers of multi-layer interconnections. In this paper, we studied the characteristics of polishing pad, which can apply shallow trench isolation (STI)-CMP process for global planarization of multi-level interconnection structure. Also, we investigated the effects of different sets of polishing pad, such as soft and hard pad. As an experimental result, hard pad showed center-fast type, and soft pad showed edge-fast type. Totally, the defect level has shown little difference, however, the counts of scratch was detected less than 2 on JR111 pad. Through the above results, we can select optimum polishing pad, so we can expect the improvements of throughput and device yield.

• 한국컴퓨터정보학회논문지
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• 제16권6호
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• pp.1-10
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• 2011

멀티코어 프로세서를 설계하는데 있어서 구성요소들을 연결하는 와이어 길이의 증가로 인한 지연 현상은 성능향상에 큰 걸림돌이 되고 있다. 멀티코어 프로세서의 와이어 지연 문제를 해결하기 위하여 최근에는 3차원 구조의 멀티코어 프로세서 설계 기술이 많은 주목을 받고 있다. 3차원 구조 멀티코어 프로세서 설계 기술은 코어들을 수직으로 적층함으로써, 물리적인 연결망 길이를 크게 감소시켜 성능향상과 함께 연결망에서 소비되는 전력을 줄일 수 있다. 하지만 많은 전력을 소모하는 회로를 수직으로 적층함으로써 전력밀도가 증가하여 프로세서 내부의 온도가 크게 상승하는 문제를 가지고 있다. 본 논문에서는 3차원 구조 멀티코어 프로세서에서의 발열문제를 해결 할 수 있는 플로어플랜 방법을 제안하기 위해 칩 내부에 적층되는 코어의 수직적 배치 형태를 다양하게 변화시키면서 그에 따른 온도 변화를 살펴보고자 한다. 실험 결과를 통해, 프로세서 내부의 온도 감소를 위해서는 코어와 L2 캐쉬를 수직으로 인접하게 적층함으로써 코어의 온도를 낮추는 기법이 매우 효과적임을 알 수 있다. 코어와 코어가 수직으로 상호 인접하는 플로어플랜과 비교하여, 코어와 L2 캐쉬를 수직으로 인접하게 배치시키는 기법이 4-레이어 구조의 경우에는 평균 22%, 2-레이어 구조의 경우 평균 13%의 온도 감소 효과를 보임을 알 수 있다.

• 한국컴퓨터정보학회논문지
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• 제15권11호
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• pp.1-9
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• 2010

집적회로 공정기술이 급속도로 발달하면서 멀티코어 프로세서를 설계하는데 있어서 내부 연결망 (interconnection)은 성능 향상을 방해하는 주요 원인이 되고 있다. 멀티코어 프로세서의 내부 연결망에서 발생하는 병목 (bottleneck) 현상을 해결하기 위한 방안으로 최근에는 2D 평면 구조에서 3D 적층 구조로 설계 방식을 변경하는 기법이 주목을 받고 있다. 3D 구조는 칩 내부의 와이어 길이를 크게 감소시킴으로써 성능 향상과 전력 소모 감소의 큰 이점을 가져오지만, 전력 밀도 증가로 인한 온도 상승의 문제를 발생시킨다. 따라서 효율적인 3D 구조 멀티코어 프로세서를 설계하기 위해서는 내부의 온도 문제를 해결할 수 있는 설계 기법이 우선적으로 고려되어야 한다. 본 논문에서는 실험을 통해 다양한 측면에서 3D 구조 멀티코어 프로세서 내부의 온도 분포를 분석하고자 한다. 3D 구조 멀티코어 프로세서에서 수행되는 프로그램의 특성, 냉각 효과, 동적 주파수 조절 기법 적용에 따른 각 코어의 온도 분포를 상세하게 분석함으로써 저온도 3D 구조 멀티코어 프로세서 설계를 위한 가이드라인을 제시하고자 한다. 실험 결과, 3D 구조 멀티코어 프로세서의 온도를 효과적으로 관리하기 위해서는 더 높은 냉각 효과를 갖는 코어를 상대적으로 더 높은 동작 주파수로 작동 시켜야 하고 온도에 영향을 많이 주는 작업 또한 더 높은 냉각 효과를 갖는 코어에 할당해야 함을 알 수 있다.