• Korean Chemical Engineering Research
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• 제52권5호
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• pp.652-656
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• 2014

소형형광등(Compact fluorescent Lamp; CFL) 3종류를 파쇄할 때 발생하는 수은의 기상농도와 대기로 방출되는 수은 양을 평가하였다. CFL 파쇄 시 배출되는 수은 농도는 초기에 매우 급격하게 감소되었으나 24시간 이후에는 수은농도의 변화가 점차 작아졌으며, 이 후 42시간까지 일정 농도를 유지되었다. 이러한 일정한 농도를 안정화 농도(Stabilized concentration)로 나타내었고 안정화 농도는 기체상 수은이 거의 배출되어 파쇄장치에 잔류하는 액체상 수은이 온도와 기압에 의한 영향으로 기화되어 배출되는 것으로 판단되었다. 소형형광등에서 발생되는 수은농도는 회사별로 A사 < B사 < C사 순으로 나타났으며, 회사별로 수은의 안정화 농도와 안정화 시간은 A사 < B사 < C사 순으로 높았다. 공기유량이 증가함에 따라 수은 부분압은 감소하였으며, 이는 대기 중 수은의 양이 낮아짐을 의미하고 안정화 농도도 감소하는 것으로 나타났다. CFL 파쇄 시 초기의 수은 농도는 공기유량에 관계없이 $0.1mg/m^3$인 지정시설의 환경기준보다 매우 높으므로 소형형광등을 파쇄할 때 기상의 수은을 관리하는 것이 절대적으로 필요하다.

• 태양에너지
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• 제5권2호
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• pp.46-53
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• 1985

Hydrogenated amorphous silicon solar cells which are fabricated by photo-chemical vapor deposition (photo-CVD) system has been investigated. In the photo-CVD system which consists of three separate reaction chambers, low-pressure mercury lamp has been used as a light source. The main reactant ($Si_2H_6/He$) gases which are premixed with a small amount of mercury vapor in a mercury-vaporizer kept at $50^{\circ}C$ have been used. Using $C_2H_2$ and $SiH_2(CH_3)_2$ as the carbon source, p-type wide band gap a-SiC:H films have been obtained. The result has been found that the undoped layers of the pin/substrate solar cells are influenced by the residual impurities, such as phosphorus and boron during the deposition process. By minimizing the effect of the impurities in the i-layer and optimizing conditions at the p-layer and p/i interface, the energy conversion efficiency of 9.61 % under AM-1 ($100mW/Cm^2$) has been achieved for pin/substrate solar cells illuminated through their p-layers, using the three separate reaction chamber apparatus. It is expected that a-SiC:H solar cells with the energy conversion efficiency over 10% have been fabricated by Photo-CVD method.

• 한국조명전기설비학회:학술대회논문집
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• 한국조명전기설비학회 2007년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.145-147
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• 2007

Fluorescent induction lamps are assembly of a Low Pressure Mercury discharge vessel and an inductive power coupler. A vessel containing at least a Low Pressure Mercury vapor, which will be energized by means of the Inductive Coupler. The Ultra Violet radiation from the resulting discharge is converted by a layer of fluorescent material into visible light. The discharge vessel may have means of mechanical fixation to position it to the Inductive power coupler. The component to transform High Frequency electrical energy, by means of induction, in order to energize the Low Pressure Mercury in the discharge vessel. The component includes electrical connection. Fluorescent induction lamps don't have international standards yet. So we try to correspond Korea standards to international standards.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제45권2호
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• pp.183-189
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• 2007

대표적인 수은 발생원인 도시폐기물 소각로와 화력 발전소 등지에서 배출되는 원소수은($Hg^0$)은 산화수은($Hg^{2+}$) 및 입자상 수은($Hg^p$)과 달리 기존의 대기오염 방지시설로 제거하기 난해한 편이다. 그로 인해 원소수은의 효율적 제거에 대한 많은 연구가 진행중이며, 이 연구에서는 저온 플라즈마(non-thermal plasma)의 하나인 유전체 장벽 방전(dielectric barrier discharge: DBD) 공정을 이용하여 원소수은 산화에 관한 실험을 수행하였다. 실험 결과, 공기 상의 DBD 공정에서는 생성되는 산소 원자와 오존에 의해서 원소수은이 산화수은으로 전환됨을 알 수 있었으며, 원소수은의 산화율을 결정하는 주된 변수는 반응기에 주입되는 에너지 밀도임을 확인할 수 있었다.

• 한국진공학회지
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• 제17권6호
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• pp.495-500
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• 2008

Ne+Ar의 혼합 기체와 수은이 주입된 세관 형광램프에서 플라즈마의 형성에 필요한 기체 수은의 량을 계산하였다. 전자($kT_e{\sim}1\;eV$)와 중성 원자(Ne, Ar, Hg)들과의 충돌에 의한 각 원자들의 이온화를 계산하여, 양광주 플라즈마의 밀도($n_o{\sim}10^{17}m^{-3}$)를 생성하는 조건으로부터 기체 수은 원자의 밀도 $3.43{\times}10^{22}m^{-3}$을 얻었다. $32{\sim}42$ 인치 LCD-TV용 액정표시장치에 사용되는 직경이 4 mm인 형광램프의 혼합 기체 Ne(95%)+Ar(5%) 50 Torr에 대하여, 글로우 방전에 필요한 기체 수은의 량은 $0.02{\sim}0.08\;mg$으로 계산되었다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제14권1호
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• pp.11-17
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• 2007

수은의 방전을 이용하는 CCFL, EEFL, FFL은 그 특성상 상온에서의 구동 특성과 저온에서의 구동 특성이 매우 다르며, 그 결과 수은 증기압이 충분하지 않은 저온에서 구동 시 완전 점등하지 못하고 램프별로 또는 방전 채널별로 불 균일 점등이 발생할 수 있다. 이러한 저온 시동의 어려움을 해결하기 위해, 본 논문에서는 Level Control Block (LCB) 를 포함하는 인버터를 이용하여 저온 $-20^{\circ}C$에서 최대 130 Watt로 제한된 입력전력을 이용하여 외부 전극형 면광원 램프를 이용한 LCD 백라이트가 안정되게 동작될 수 있음을 확인하였다.

• 전기학회논문지
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• 제58권12호
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• pp.2446-2452
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• 2009

A Ceramic Metal-halide lamp is achieved by adding multiple metals to a basic mercury discharge. Because the vapor pressure of most metals is very much lower than mercury itself, metal-halide salts of the desired metals, having higher vapor pressures, are used to introduce the material into the basic discharge. The metal compounds are usually polyatomic iodides, which vaporize and subsequently dissociate as they diffuse into the bulk plasma. Metals with multiple visible transitions are necessary to achieve high photometric efficiency and good color. Compounds of Sc, Dy, Ho, Tm, Ce, Pr, Yb and Nd are commonly used. The maximum visible efficacy of a Ceramic Metal Halide lamp, under the constant of a white light source, is predicted to be about 450lm/W. This is controlled principally by the chemical fill chosen for a particular lamp. Current these lamps achieve 130lm/W and these life time are the maximum 16,000[hr]. So factors of performance lower are necessary to improve lamp performance. In this paper, we analyzed factors of performance lower by accelerated deterioration test. The lamp was operated with short duration turn-on/turn-off procedure to enhance the effect due to electrode sputtering during lamp ignition. The tested lamp that was operated with a longer turn-on/off(20/20 minutes) showed blackening, changed distance between electrodes and lowered color rendering & color temperature by losses of Dy at 421.18nm, I at 511nm, T1 at 535nm and Na at 588nm compared with the new lamp.

• 한국정보전자통신기술학회논문지
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• 제10권6호
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• pp.477-486
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• 2017

무전극 램프의 광학적 특성 분석을 위한 연구에서는 램프 표면의 온도를 모두 동일하게 취급해 왔었다. 그러나 이러한 방법에 의해 광학적 특성을 해석하는 것은 정확도를 고려할 때 충분하지 않은 문제점을 가지고 있었다. 본 논문에서는 이러한 문제를 극복하고자 벌브 내부를 열점과 냉점의 두 부분으로 나누어 서로 다른 온도에 의한 수은의 밀도차이를 분석하였다. 여기서는 온도와 밀도의 분포가 선형적임을 가정하였다. 열점과 냉점의 밀도의 재분배를 통한 광 특성의 영향을 분석하였다. 또한, 재분배된 방전기체 간의 밀도의 비가 광 특성의 포화에 지대한 영향을 미치고 있음도 확인하였다. 따라서 가정을 통한 설계 방법이 실제의 설계에서 매우 유용함을 입증하였으며, 또한 광 특성이 안정되는 시간을 단축하는 방법에 대한 성과도 확보하였다. 이러한 결과를 토대로 원통형 무전극 방전램프의 효율적인 설계의 한 방안을 제시하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1989년도 하계종합학술대회 논문집
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• pp.386-389
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• 1989

Phosphorus nitride films on InP surface were grown by a Photo-CVD (chemical vapor deposition) technique over 100-250 $^{\circ}C$ range of substrate temperature, which is based on direct photolysis of $PCl_3/H_2$ and $NH_3$ gas mixtures by 185nm ultraviolet light from a low pressure mercury lamp. The film growth rate ed the refractive index(n) were shown about 700-800 ${\AA}/hr$ and 1.7-1.8, respectively. Composition ratio and interface properties were analyzed by AES(Auger Electron Spectroscopy) and XPS (X-ray Photoelectron Spectorscopy) technique.

• 센서학회지
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• 제19권5호
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• pp.398-402
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• 2010

The liquid phase epitaxy(LPE) method was widely used to growth of mercury cadmium telluride(MCT) thin films. However, this method lead to Hg-vacancies in MCT thin film, because Hg has high vapor pressure at this temperature range. This is a well known defect in HgCdTe grown by LPE method. In this study, we report the development of techniques for improving the crystalline quality and controlling the composite uniformity of HgCdTe thin films using high- pressure Hg-ambient annealing method. As a result, we achieved the improvement of the composite uniformity of HgCdTe thin films. It was observed by the high angle annular dark field scanning TEM(HAADF-STEM) analysis. Moreover, new HgTe phase and a shrinking of lattice fringe were observed.