• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2006년도 추계학술대회 논문집 Vol.19
• /
• pp.69-70
• /
• 2006

A detailed Investigation of cell structure and electrical characteristic in chalcogenide-based phase-change random access memory(PRAM) devices is presented. We used compound of Ge-Sb-Te material for phase-change cell. A novel bottom electrode structure and manufacture are described. We used heat radiator structure for improved reset characteristic. A resistance change measurement is performed on the test chip. From the resistance change, we could observe faster reset characteristic.

• 한국결정성장학회지
• /
• 제14권2호
• /
• pp.47-49
• /
• 2004

Gate protection $SiN_x$ as an alternative to a conventional re-oxidation process in Dynamic Random Access Memory devices is investigated. This process can not only protect the gate electrode tungsten against oxidation, but also save the thermal budget due to the re-oxidation. The protection $SiN_x$ process is applied to the poly-Si gate, and its device performance is measured and compared with the re-oxidation processed poly-Si gate. The results on the gate dielectric integrity show that etch damage-curing capability of protection $SiN_x$ is comparable to the re-oxidation process. In addition, the hot carrier immunity of the $SiN_x$ deposited gate is superior to that of re-oxidation processed gate.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
• /
• 제14권3호
• /
• pp.268-273
• /
• 2014

The forming, reset and set operation of bipolar resistive random access memory (RRAM) have been predicted by using a finite element (FE) model which includes interface effects. To the best of our knowledge, our bipolar RRAM model is applicable to realistic cell structure optimization because our model is based on the FE method (FEM) unlike precedent models.

• Journal of Computing Science and Engineering
• /
• 제8권2호
• /
• pp.78-86
• /
• 2014

Aiming to solve the problems of high memory access and big storage space and long matching time in the regular expression matching of extended finite automaton (XFA), a new regular expression matching algorithm based on high-efficient finite automaton is presented in this paper. The basic idea of the new algorithm is that some extra judging instruments are added at the starting state in order to reduce any unnecessary transition paths as well as to eliminate any unnecessary state transitions. Consequently, the problems of high memory access consumption and big storage space and long matching time during the regular expression matching process of XFA can be efficiently improved. The simulation results convey that our proposed scheme can lower approximately 40% memory access, save about 45% storage space consumption, and reduce about 12% matching time during the same regular expression matching process compared with XFA, but without degrading the matching quality.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
• /
• 한국표면공학회 2009년도 춘계학술대회 논문집
• /
• pp.110-110
• /
• 2009

최근 차세대 비휘발성 메모리(NVM) 기술은 메모리의 성능과 기존의 한계점을 효과적으로 극복하며 활발한 연구를 통해 비약적으로 발전하고 있으며 특히, phase-change random access memory (PRAM)은 ferroelectric random access memory (FeRAM)과 magneto-resistive random access memory (MRAM)과 같은 다른 NVM 소자와 비교하여 기존의 DRAM과 구조적으로 비슷하고 상용화가 빠르게 진행될 수 있을 것으로 예상되는 바, PRAM에 사용되는 상변화 물질의 식각을 수행하고 X-ray photoelectron spectroscopy (XPS)를 통해 표면의 열화현상을 관찰하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
• /
• pp.156-157
• /
• 2007

For tens of years many advantages of Phase-Change Random Access Memory(PRAM) were introduced. Although the performance improved gradually, there are some portions which must be improved. So, we studied new constitution of $Ge_1Se_1Te_2$ chalcogenide material to improve phase transition characteristic. Actually, the performance properties have been improved surprisingly. However, crystallization time was as long as ever for amorphization time. We conducted this experiment in order to solve that problem by doping-Sb.

• 전기전자학회논문지
• /
• 제25권2호
• /
• pp.309-314
• /
• 2021

본 논문에서 제안된 에스램 사전 증폭 회로는 에스램 데이터 읽기 과정에서 감지 증폭을 활성화 하는 데 필요한 시간을 55% 감소함으로써 기존 회로 대비 읽기 속도를 현격히 개선하였다. 이는 사전 증폭 과정에서 공정 편차에 의한 트랜지스터의 성능 편차를 보상하는 고유 회로에 기인한 것이다. 뿐만 아니라, 사전 증폭으로 인한 추가 에너지 소모량을 최소화하기 위하여 사전 증폭이 필요한 경우에만 사전 증폭기를 활성화 할 수 있는 선별 활성화 회로를 제안하여 추가 에너지 소모를 4.45% 이내로 제한하였다.

• 한국멀티미디어학회논문지
• /
• 제4권6호
• /
• pp.489-499
• /
• 2001

This paper presents the SIC(Size-Interval-Count) prefetching system that can record the file access patterns of applications within a relatively small space of memory based on the repetitiveness of the file access patterns. The SICPS(SIC Prefetching System) is based on knowledge-based prefetching methods which includes high correctness in predicting future accesses of applications. The proposed system then uses the recorded file access patterns, referred to as "SIC access pattern information", to correctly predict the future accesses of the applications. The proposed prefetching system improved the response time by about 40% compared to the general file system and showed remarkable memory efficiency compared to the previously knowledge-based prefetching methods.

• 인터넷정보학회논문지
• /
• 제17권6호
• /
• pp.93-101
• /
• 2016

안드로이드 폰이 점점 대중화됨에 따라 많은 어플리케이션이 제작자의 이윤과 직결되는 데이터나 스마트 폰 사용자의 민감한 데이터를 다룬다. 이러한 중요 데이터는 당연히 보호받아야 하지만 안드로이드에서는 악의적인 사용자에 의해 조작되거나 공격자에 의해 유출될 수 있다. 이런 일이 발생하는 이유는 안드로이드의 근간인 리눅스의 디버깅 기능이 악용되기 때문이다. 리눅스의 디버깅 기능을 이용하면 다른 어플리케이션의 가상 메모리에 접근하는 것이 가능하다. 이 기능이 악용되는 것을 방지하기 위해선 해당 기능을 제공하는 주체인 리눅스의 커널에서 기존의 접근 제어를 더욱 강화해야 한다. 하지만 현재 이 기능은 안드로이드 환경의 특성을 반영하지 않은 채 기존의 리눅스와 동일한 접근 제어를 사용하고 있다. 이에 본 논문에서는 리눅스가 제공하는 다른 어플리케이션의 가상 메모리에 접근할 수 있는 기능을 분석하고, 분석 결과와 안드로이드 환경을 고려하여 스레드 그룹 ID를 검증하는 새로운 계층을 추가하는 방안을 제시한다. 이 방안을 적용함으로써 접근 제어를 더욱 강화할 수 있다. 실제로 본 논문이 제안한 방법이 접근 제어를 강화할 수 있는 지 확인하기 위해, 다른 어플리케이션의 메모리를 수정할 수 있는 메모리 조작 어플리케이션으로 자체 제작한 어플리케이션의 데이터 수정을 시도한다. 접근 제어를 강화하기 전에는 메모리 조작 어플리케이션이 자체 제작한 어플리케이션의 메모리에 있는 데이터를 수정할 수 있었지만, 접근 제어를 강화한 후에는 데이터 수정에 실패하는 것을 확인할 수 있다.

• Journal of Information Technology Applications and Management
• /
• 제11권2호
• /
• pp.29-43
• /
• 2004

As the development of an information technique, gradually, mobile device is going to be miniaturized and operates at high speed. By such the requirements, the devices using a flash memory as a storage media are increasing. The flash memory consumes low power, is a small size, and has a fast access time like the main memory. But the flash memory must erase for recording and the erase cycle is limited. JFFS is a representative filesystem which reflects the characteristics of the flash memory. JFFS to be consisted of LSF structure, writes new data to the flash memory in sequential, which is not related to a file size. Mounting a filesystem or an error recovery is achieved through the sequential approach. Therefore, the mounting delay time is happened according to the file system size. This paper proposes a MJFFS to use a multi-checkpoint information to manage a mass flash file system efficiently. A MJFFS, which improves JFFS, divides a flash memory into the block for suitable to the block device, and stores file information of a checkpoint structure at fixed interval. Therefore mounting and error recovery processing reduce efficiently a number of filesystem access by collecting a smaller checkpoint information than capacity of actual files. A MJFFS will be suitable to a mobile device owing to accomplish fast mounting and error recovery using advantage of log foundation filesystem and overcoming defect of JFFS.