• 한국정보과학회논문지:컴퓨팅의 실제 및 레터
• /
• 제11권4호
• /
• pp.305-311
• /
• 2005

휴대전화와 PDA 등에서 수행되는 플래시 메모리 소프트웨어는 돌발적인 전원 중단이나 기록매체 폴트에 대처하기 위하여 충분히 테스트되어야 한다 이러한 테스트를 위하여, 폴트 삽입 기능을 가지는 플래시 메모리 에뮬레이터를 설계하고 구현하였다. 폴트 삽입을 통한 테스트 기법은 FTL(Flash Translation Layer)과 플래시 메모리 기반 파일 시스템의 폴트 회복 기법을 설계하고 폴트로 인한 피해를 분석하는데 유용한 도구로 사용되었다. 본 논문에서는 플래시 메모리에서 관찰되는 폴트의 유형과 플래시 메모리 에뮬레이터에서 구현된 폴트 삽입 기능에 대해 설명한다. 그리고 폴트 삽입 테스트 과정에서 밝혀진 디자인 결함에 대하여 설명한다. 특히 신뢰성을 향상하기 위하여 도입된 기능이 신뢰성을 향상하기 보다 피해를 유발하는 것으로 밝혀졌다. 마지막으로 FTL과 파일 시스템의 "폴트 후 동작"에 대해 설명한다

• 정보보호학회논문지
• /
• 제29권2호
• /
• pp.431-438
• /
• 2019

파일리스 악성코드는 악성 행위를 수행할 페이로드의 흔적을 은닉하기 위해 메모리 주입 공격을 이용한다. 메모리 주입 공격 중 프로세스 할로윙이라는 이름의 공격은 시스템 프로세스 등을 일시정지 상태로 생성시킨 다음, 해당 프로세스에 악성 페이로드를 주입시켜 정상 프로세스인 것처럼 위장해 악성행위를 수행하는 방법이다. 본 논문은 프로세스 할로윙 공격이 발생했을 경우, 악성 행위 실제 수행 여부와 상관없이 메모리 주입 여부를 검출할 수 있는 방법을 제안한다. 메모리 주입이 의심되는 프로세스와 동일한 실행 조건을 갖는 복제 프로세스를 실행시키고, 각 프로세스 가상 메모리 영역에 속해있는 데이터 집합을 퍼지 해시를 이용해 비교한 다음 유사도를 산출한다.

• 대한약침학회지
• /
• 제4권1호
• /
• pp.49-53
• /
• 2001

This experiment has investigated the influence of Yamen (Du. 15) point injection on learning and memory dysfunction caused by cerebral ischemia and reprofusion in bilateral cervical general artery combined with bleeding on mouse tail to mimic vascular dementia in human beings. By dividing 40 mice into 4 groups (group1false operation group, group2model group, group3point injection with Cerebrolysin group4point injection with saline.) According to random dividing principles, we observed the influence of Yamen(Du. 15) point injection on the time of swimming the whole course used by model mice which had received treatment for different days in different groups, and the influence of those mice on wrong times they entered blind end. The result showed that point injection with Cerebrolysin and saline could improve learning and memory dysfunction of the mice caused by cerebral ischemia.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2002년도 추계학술대회 논문집 Vol.15
• /
• pp.35-38
• /
• 2002

In this paper, the characteristics of channel hot electron (CHE) injection for the write operation in a NOR-type SONOS flash memory with common source line were investigated. The thicknesses of he tunnel oxide, the memory nitride， and the blocking oxide layers for the gate insulator of the fabricated SONOS devices were $34{\AA}$, $73{\AA}$, and $34{\AA}$, respectively. The SONOS devices compared to floating gate devices have many advantages, which are a simpler cell structure, compatibility with conventional logic CMOS process and a superior scalability. For these reasons, the introduction of SONOS device has stimulated. In the conventional SONOS devices, Modified Folwer-Nordheim (MFN) tunneling and CHE injection for writing require high voltages, which are typically in the range of 9 V to 15 V. However CHE injection in our devices was achieved with the single power supply of 5 V. To demonstrate CHE injection, substrate current (Isub) and one-shot programming curve were investigated. The memory window of about 3.2 V and the write speed of $100{\mu}s$ were obtained. Also, the disturbance and drain turn-on leakage during CHE injection were not affected in the SONOS array. These results show that CHE injection can be achieved with a low voltage and single power supply, and applied for the high speed program of the SONOS memory devices.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
• /
• 한국해양정보통신학회 2002년도 추계종합학술대회
• /
• pp.800-803
• /
• 2002

The MONOS capacitor are fabricated to investigate the carrier trapping due to Fowler-Nordheim tunneling injection. The carrier trapping in scaled multi-dielectric(ONO) depends on the nitride and Op oxide thickness under Fowler_Nordheim tunneling injection. Carriers captured at nitride film could not escape from nitride to gate, but be captured at top oxide and nitride interface traps because of barrier height of top oxide. Therefore, it is expected that the MONOS memory devices using multi dielectric films enhance memory effect and have a long memory retention characteristic.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 1991년도 추계학술대회 논문집
• /
• pp.44-47
• /
• 1991

Electron injection and memory retention chracteristics of the MNOS devices with thin oxide layer of 23${\AA}$ thick and silicon nitride layer of 1000${\AA}$ thick which are fabricated for this experiment. As a result, pulse amplitude increase oxide current is dominated in linearly increasing region of $\Delta$V$\_$FB/the decreasing region after saturation was due to the increased silicon nirtide current. In low pulse ampiltude $\Delta$V$\_$FB/ is not variated on temperature, but as temperature and pulse amplitude increase. $\Delta$V$\_$FB/ is decreased after saturation. And the decay rate during 10$^4$sec after electron injection was ohiefly dominated by the back tunneling of emission from memory trap to silicon. Memory retention characteristics in V$\_$FB/ stage was better than that of OV retention regardless of injection conditions.

• Nuclear Engineering and Technology
• /
• 제51권3호
• /
• pp.692-701
• /
• 2019

Recently, instrumentation and control (I&C) systems in nuclear power plants have undergone digitalization. Owing to the unique characteristics of digital I&C systems, the reliability analysis of digital systems has become an important element of probabilistic safety assessment (PSA). In a reliability analysis of digital systems, fault-tolerant techniques and their effectiveness must be considered. A fault injection experiment was performed on a safety-critical digital I&C system developed for nuclear power plants to evaluate the effectiveness of fault-tolerant techniques implemented in the target system. A software-implemented fault injection in which faults were injected into the memory area was used based on the assumption that all faults in the target system will be reflected in the faults in the memory. To reduce the number of required fault injection experiments, the memory assigned to the target software was analyzed. In addition, to observe the effect of the fault detection coverage of fault-tolerant techniques, a PSA model was developed. The analysis of the experimental result also can be used to identify weak points of fault-tolerant techniques for capability improvement of fault-tolerant techniques

• 한국지능시스템학회:학술대회논문집
• /
• 한국지능시스템학회 2008년도 춘계학술대회 학술발표회 논문집
• /
• pp.247-250
• /
• 2008

최근 무선통신용 LSI는 배터리 수명과 관련하여, 저전력 동작이 중요시되고 있다. 따라서 Digital CMOS 신호처리와 더불어 동작 가능한 SI (Switched-Current) circuit를 이용하는 Current-mode 신호처리가 주목받고 있다. 그러나 SI circuit의 기본인 Current Memory는 Charge Injection에 의한 Clock Feedthrough라는 문제점을 갖고 있기 때문에, 전류 전달에 있어서 오차를 발생시킨다. 본 논문에서는 Current Memory의 문제점인 Clock Feedthrough의 해결방안으로 CMOS Switch의 연결을 검토하였고, 0.25${\mu}m$ CMOS process에서 Memory MOS와 CMOS Switch의 Width의 관계는 simulation 결과를 통하여 확인하였으며, MOS transistor의 관계를 분명히 하여, 설게의 지침을 제공한다.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제16권9호
• /
• pp.771-774
• /
• 2003

In this paper, the programming characteristics of the multi-bit devices based on SONOS structure are investigated. Our devices have been fabricated by 0.35 $\mu\textrm{m}$ complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) process with LOCOS isolation. In order to achieve the multi-bit operation per cell, charges must be locally frapped in the nitride layer above the channel near the source-drain junction. Programming method is selected by Channel Hot Electron (CUE) injection which is available for localized trap in nitride film. To demonstrate CHE injection, substrate current (Isub) and one-shot programming curve are investigated. The multi-bit operation which stores two-bit per cell is investigated. Also, Hot Hole(HH) injection for fast erasing is used. The fabricated SONOS devices have ultra-thinner gate dielectrics and then have lower programming voltage, simpler process and better scalability compared to any other multi-bit storage Flash memory. Our programming characteristics are shown to be the most promising for the multi-bit flash memory.

• 융합보안논문지
• /
• 제6권3호
• /
• pp.59-67
• /
• 2006

최근 개인 PC 해킹과 경제적 이익을 목적으로 하는 게임 해킹이 급증하면서 윈도우즈 시스템을 대상으로 하는 특정 목적의 악성코드들이 늘어나고 있다. 악성코드가 은닉 채널 사용이나 개인 방화벽과 같은 보안 제품 우회, 시스템 내 특정 정보를 획득하기 위한 기술로 대상 프로세스의 메모리 내에 코드나 DLL을 삽입하는 기술이 보편화되었다. 본 논문에서는 대상 프로세스의 메모리 영역에 코드를 삽입하여 실행시키는 기술에 대해 분석한다. 또한 피해 시스템에서 실행중인 프로세스 내에 인젝션 된 DLL을 추출하기 위해 파일의 PE 포맷을 분석하여 IMPORT 테이블을 분석하고, 실행중인 프로세스에서 로딩중인 DLL을 추출하여 명시적으로 로딩된 DLL을 추출하고 분석하는 기법에 대해 설명하였다. 인젝션 기술 분석과 이를 추출하는 기술을 통해 피해시스템 분석시 감염된 프로세스를 찾고 분석하는 시발점이 되는 도구로 사용하고자 한다.