• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.281.2-281.2
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• 2016

Two-dimensional van der Waals (2D vdWs) materials have been extensively studied for future electronics and materials sciences due to their unique properties. Among them, black phosphorous (BP) has shown infinite potential for various device applications because of its high mobility and direct narrow band gap (~0.3 eV). In this work, we demonstrate a few-nm thick BP-based nonvolatile memory devices with an well-known poly(vinylidenefluoride-trifluoroethylene) [P(VDF-TrFE)] ferroelectric polymer gate insulator. Our BP ferroelectric memory devices show the highest linear mobility value of $1159cm^2/Vs$ with a $10^3$ on/off current ratio in our knowledge. Moreover, we successfully fabricate the ferroelectric complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) memory inverter circuits, combined with an n-type $MoS_2$ nanosheet transistor. Our memory CMOS inverter circuits show clear memory properties with a high output voltage memory efficiency of 95%. We thus conclude that the results of our ferroelectric memory devices exhibit promising perspectives for the future of 2D nanoelectronics and material science. More and advanced details will be discussed in the meeting.

• 한국정보과학회논문지:소프트웨어및응용
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• 제34권6호
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• pp.562-571
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• 2007

많은 연구들을 통해 수행 속력, 효율성, 용이성, 안전성을 위하여 메모리 관리 기법들을 개선시켰다. 그러한 방법들 중에서 지역별 메모리 관리 기법은 각각의 객체 할당 위치에서 따라 정해진 지역에 할당 시키고 그 지역이 제거된다면 그 곳에 할당된 모든 객체의 메모리를 반환하는 방법이다. 본 논문에서는 메모리 제약적인 환경에서 힙 메모리 사용량을 줄이기 위해 로컬 지역을 재사용하는 방법을 제시한다. 기본 아이디어는 현재 함수가 수행될 동안 사용하지 않는 상위 로컬 지역을 재사용하는 것이다. 이러한 방법을 사용함으로써 메모리 제약적인 환경에서 메모리의 한계를 극복할 수 있을 것이다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2009년도 춘계학술대회
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• pp.801-804
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• 2009

본 논문에서는 임베디드 리눅스 시스템 성능 향상을 위한 방안으로 리눅스 커널 메모리 맵을 분석하였다. 안정성과 다양한 H/W 플랫폼을 지원하고 범용 시스템에 최적화 되어 있는 리눅스 커널 메모리 맵은 부팅시간과 효율적인 시스템 자원 활용에 중요한 역할을 담당하므로 자원 제한적인 임베디드 리눅스 시스템의 성능 향상을 위해 커널 메모리 맵의 분석이 요구된다. 분석결과, 리눅스 커널 메모리의 할당 위치에 따라 임베디드 리눅스 시스템의 부팅속도 및 메모리 효율성의 향상을 확인하였다. 그러므로 본 논문에서 제안한 부트로더 및 커널 메모리 할당 방안이 임베디드 리눅스 시스템의 메모리 활용성 향상에 적합할 것으로 사료된다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2008년도 하계종합학술대회
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• pp.395-396
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• 2008

There is difficulty in predicting the program efficiency of NOR type nonvolatile memory device adopting channel hot electron injection (CHEI) as program operation mechanism accurately since MOSFET on SOI has floating body. In this study, the dependence of program efficiency for SOI nonvolatile memory device of 200 nm channel length on SOI depletion conditions, partial depletion and full depletion, was quantitatively investigated with the aid of numerical device simulation [1].

• 한국정보과학회논문지:시스템및이론
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• 제33권11호
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• pp.810-819
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• 2006

본 논문에서는 네트워크 통신에서 혼잡으로 인한 패킷의 손실을 최소화하기 위하여 새로운 버퍼 모델인 적응적인 이중 버퍼 모델을 제안한다. 이는 제약된 메모리 환경에서 송수신 버퍼가 서로의 여유 공간을 공유하여 패킷의 손실을 최대한 줄일 수 있는 버퍼 모델이다. 또한 리스트와 비슷한 성능을 지니는 본 버퍼 모델은 자유 리스트를 사용한 버퍼와 달리 메모리 누수로 인한 버블(bubbles) 현상을 방지하므로 제한된 환경의 네트워크 버퍼에 적용할 수 있으며 배열을 사용하는 경우와 비교 할 때 최대 100% 성능 향상을 기대할 수 있다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제45권2호
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• pp.69-81
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• 2008

메모리 기술이 발달함에 따라 메모리의 집적도가 증가하게 되었고, 이러한 변화는 구성요소들의 크기를 작아지게 만들고, 고장의 감응성이 증가하게 하였다. 그리고 고장은 더욱 복잡하게 되었다. 또한, 칩 하나에 포함되어있는 저장 요소가 늘어남에 따라 테스트 시간도 증가하게 되었다. 본 논문에서 제안하는 테스트 구조는 내장 테스트를 사용하여 외부 테스트 환경 없이 테스트가 가능하다. 제안하는 내장 테스트 구조는 여러 알고리즘을 적용 가능하므로 높은 효율성을 가진다. 또한 고장 난 메모리를 여분의 메모리로 재배치함으로써 메모리 수율 향상과 사용자에게 메모리를 투명하게 사용할 수 있도록 제공할 수 있다. 본 논문에서는 고장 난 메모리 부분을 여분의 행과 열 메모리로 효율적인 재배치가 가능한 복구 기술을 포함한다. 재배치 정보는 고장 난 메모리를 매번 테스트 해야만 얻을 수 있다. 매번 테스트를 통해 재배치 정보를 얻는 것은 시간적 문제가 발생한다. 이것을 막기 위해 한번 테스트해서 얻은 재배치 정보를 플래시 메모리에 저장해 해결할 수 있다. 본 논문에서는 플래시 메모리를 이용해 재배치 정보의 활용도를 높인다.

• 디지털산업정보학회논문지
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• 제5권4호
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• pp.19-26
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• 2009

Recently, the Main Memory DBMS is gradually being expanded by the appearance of a large capacity of a Main Memory System, the increase in business area where it requires a real time process, and the rise of the users' required level. The Main Memory DBMS, which is able to go through a large capacity data process of the disk-based DBMS and guarantees a high efficiency, has domestically developed and has been put to a practical use. This paper presents an examination of the applied technologies and the limits of Altibase system, which is Main Memory DBMS. Moreover, it evaluated and performed a comparative analysis on the performance level of the Main Memory DBMS and the disk-based DBMS based on the same application. After five trials of the experiment based on the operating application, it was confirmed that the performance level of the Main Memory DBMS is enhanced and is higher by 4.13 to 7.89 times than the disk-based DBMS.

• 정보처리학회논문지A
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• 제9A권4호
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• pp.405-412
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• 2002

임베디드 시스템은 일반 PC(Personal Computer)나 워크스테이션에 비해 느린 CPU와 작은 메모리 공간을 사용하고 있다. 따라서 임베디드 운영체제는 제한된 자원을 효과적으로 사용하도록 설계되어져야 한다. 그런데 임베디드 리눅스의 가상 메모리 관리 기법에서 페이지 폴트가 발생할 경우 스왑 디바이스로 페이지를 이동하는 과정에서 성능 저하가 발생한다. 본 논문에서는 가상 메모리 기법의 효율성을 놀이며 메모리 공간의 효율성을 향상시킬 수 있는 가상 메모리 압축 기법을 구현하였다. 가상 메모리 압축 기법은 임베디드 리눅스의 가상 메모리 관리 기법에서 스왑핑이 발생할 경우 스왑 디바이스로 이동하는 페이지들을 압축하여 이동시킴으로서 스왑핑에서 발생하는 성능저하를 감소시키며, 압축된 스왑 디바이스의 운영으로 메모리의 공간 효율성을 높인 수 있다. 또한 본 논문에서는 메모리 내의 소량의 데이터 압축에 적합한 알고리즘을 고안하여, 압축률의 효율성과 시스템 성능을 향상시키고자 하였다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2008년도 하계종합학술대회
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• pp.491-492
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• 2008

According to high-speed large scale integration trend of Memory module product, many type of noises, such a reflection, cross-talk simultaneous switching noise, occur on the Package PCB and they make the deterioration of memory module's performance and reliability. As module products have more high efficiency, Hardware of test board and socket has to be considered In test of the high-speed Memory Module. we mainly focused on improvement of Signal integrity Using the High Frequency Test socket that we invented

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제16권3호
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• pp.330-338
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• 2016

Phase change memory (PCM) has been studied as an emerging memory technology for last-level cache (LLC) due to its extremely low leakage. However, it consumes high levels of energy in updating cells and its write endurance is limited. To relieve the write pressure of LLC, we propose a delta value indicator (DVI) by employing a small cache which stores the difference between the value currently stored and the value newly loaded. Since the write energy consumption of the small cache is less than the LLC, the energy consumption is reduced by access to the small cache instead of the LLC. In addition, the lifetime of the LLC is further extended because the number of write accesses to the LLC is decreased. To this end, a delta value indicator and controlling circuits are inserted into the LLC. The simulation results show a 26.8% saving of dynamic energy consumption and a 31.7% lifetime extension compared to a state-of-the-art scheme for PCM.