• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제11권10호
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• pp.784-789
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• 1998

In this work, the optical properties of freestanding GaN single crystalline substrate grown by hydride vapor phase epitaxy(HVPE) were investigated. The low temperature PL spectrum in freestanding GaN consists of free and bound exciton emissions, and a deep DAP recombination around at 1.8eV. The optically-pumped stimulated emission in freestanding GaN substrate was observed at room temperature. At the maximum power density of 2MW/$\textrm{cm}^2$, the peak energy and FEHM of stimulated emission were 3.318 eV and 8meV, respectively. The excitation power dependence on the integrated emission intensity indicates the threshold pumping power density of 0.4 MW/$\textrm{cm}^2$.

• 전자공학회논문지A
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• 제32A권11호
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• pp.71-78
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• 1995

Based on the popular 4-transistor SRAM cell, an analytical expression of the minimum cell ratio was derived by modeling the static read operation. By analyzing the relatively simple expression for the minimum cell ratio, which was derived assuming the ideal transistor characteristics, effects of the changes in supply voltage and process parameters on the minimum cell ratio was predicted, and the minimum power supply voltage for read operation was determined. The results were verified by simulations utilizing the suggested simulation method, which is suitable for monitoring the lower limit of supply voltage for proper cell operation. From the analysis, it was shown that the worst condition for cell operation is low temperature and low supply voltage, and that the operation margin can be effectively improved by reducing the threshold voltage of the cell transistors.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2004년도 Asia Display / IMID 04
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• pp.1254-1257
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• 2004

Comparative study on the effects of $H_2$ vs. $O_2$ plasma pretreatment of gate oxide on the degradation phenomenon of p-channel low-temperature polysilicon (LTPS) thin-film transistors (TFTs) were performed. After high drain current stress (HDCS) with $V_{gs}$ = $V_{ds}$, the p-channel TFTs pretreated by $O_2$ plasma showed increased immunity to the degradation of device characteristics such as threshold voltage and maximum field effect mobility because of the higher binding energy of Si-O bond than that of Si-H bond. The investigation of degradation phenomenon of these parameters with the applied power suggests that self-heating can be the major cause of degradation of polysilicon TFTs.

• 한국세라믹학회지
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• 제52권3호
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• pp.209-214
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• 2015

Silicon nitride films were deposited at $100^{\circ}C$ by using the catalytic chemical vapor deposition technique. The source gas mixing ratio, $R_N=[NH_3]/[SiH_4]$, was varied from 10 to 30, and the hydrogen dilution ratio, $R_H=[H_2]/[SiH_4]$, was varied from 20 to 100. The breakdown field strength reached a maximum value at $R_N=20$ and $R_H=20$, whereas the resistivity decreased in the same sample. The relative permittivity had a positive correlation with the breakdown field strength. The capacitance-voltage threshold curve showed an asymmetric hysteresis loop, which became more squared as $R_H$ increased. The width of the hysteresis window showed a negative correlation with the slope of the transition region, implying that the combined effect of $R_N$ and $R_H$ overides the interface defects while creating charge storage sites in the bulk region.

• 대한원격탐사학회지
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• 제24권6호
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• pp.571-581
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• 2008

한반도의 서해에서 해무는 봄과 여름에 자주 발생한다. 본 연구의 목적은 MODIS 위성 영상을 사용하여 해무를 탐지하는 데 있다 하층운의 운정 표면은 불균질한 반면에 해무의 표면은 균질한 특징이 있으므로, 하층운과 해무의 균질성을 이용한 해무 탐지 방법이 제시되었다. 11 um의 밝기온도(BT), 3.7um와 11um의 밝기온도차(BTD)는 하층운으로부터 해무를 구별하는데 유용하였다. 안개/하층운 지역의 밝기 온도와 맑은 지역에서의 밝기 온도의 차이를 이용한 방법과 안개/하층운 지역에서 밝기 온도와 밝기온도차의 표준편차 임계값을 이용한 방법은 안개와 하층운을 구별하는데 적용될 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제17권12호
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• pp.1332-1336
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• 2004

Amorphous carbon (a-C) films have been deposited on Si(100) substrate using RF magnetron system in order to investigate the electron field emission properties. The a-C films were treated by $N_2$ gas plasma at room temperature. Surface morphologices and structural properties of the a-C films before and after $N_2$ plasma treatment were observed by scanning electron microscopy and Raman spectroscope, respectively. Structural properties and surface morphology of the a-C films were changed by $N_2$ plasma treatment. The emission properties can be improved by the plasma treatment according to the contents of nitrogen on the a-C films which is varied by plasma treatment time. Before the plasma treatment, the a-C films are found to have a threshold field of 14 V/$\mu$m, but the a-C film treated by $N_2$ plasma for 30 min exhibit threshold field as low as 6.5 V/$\mu$m.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.287.1-287.1
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• 2014

본 연구에서는 현재 디스플레이에서 가장 널리 이용되는 저온 polycrystalline silicon (poly-Si)의 결정화 방법에 따른 thin-film transistor (TFT)의 전기적 특성을 분석하였다. 분석에 이용된 결정화 방식은 Excimer Laser Annealing (ELA)와 Metal Induced Crystallization (MIC)이다. ELA와 MIC TFTs의 전기적 특성 측정을 통한 분석결과 ELA와 MIC poly-Si TFTs의 전기적 특성 [field-effect mobility (${\mu}_{FE}$), on/off current ratio ($I_{ON}/I_{OFF}$), sub-threshold swing (SS)]은 큰 차이는 없지만, ELA를 이용한 poly-Si TFT의 전기적 특성이 조금 우수하다. 하지만, MIC poly-Si TFT의 경우 threshold voltage ($V_{TH}$)가 0V에 보다 가까울 뿐만 아니라, 전기적 스트레스를 통한 신뢰성 확인 시 ELA poly-Si TFT보다 조금 더 안정적이다. 이는 ELA의 경우 좁은 면에 선형 레이저 빔으로 조사하면서 생기는 hill-lock의 영향으로 표면이 거칠고 균일하지 못하여 바이어스 인가시 생기는 문제이다. 또한 MIC는 금속 촉매를 이용해 결정립 경계를 확장하고 결정 크기를 키워 대면적화에 유리하다. Thermal Stress에서는 (from 293K to 373K) TFT에 점차 높은 온도를 가하자 MIC poly-Si TFT의 경우 off 상태에서 누설 전류 값이 증가하며 열에 민감한 반응을 보이는 것을 확인하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1993년도 하계학술대회 논문집 B
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• pp.1289-1291
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• 1993

The hydrogenation effects on characteristics of polycrystalline silicon thin film transistors(poly-Si TFT's) of which the channel length varies from $2.5{\mu}m\;to\;20{\mu}m$ and poly-Si layer thickness is 50, 100, and 150 nm was investigated. After 1 hr hydrogenation annealing by PECVD, the threshold voltage shift decreased dependent on the channel length, but channel width may not alter the threshold voltage shift. In addition to channel length, the active poly-Si layer thickness may be an important parameter on hydrogenation effects, while gate poly-Si thickness may do not influence on the characteristics of TFT's. Considering our experimental results, we propose that channel length and active poly-Si layer thickness may be a key parameters of hydrogenation of poly-Si TFT's.

• 한국응용곤충학회지
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• 제52권4호
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• pp.295-304
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• 2013

파밤나방(Spodoptera exigua)의 발육을 일으키는 최저온도를 결정하고, 이 상태의 생리적 특성을 서로 다른 기능군(대사, 신경, 면역 및 스트레스) 유전자의 발현 양상을 이해하기 위해 본 연구를 수행하였다. 알부터 번데기까지 파밤나방의 발육영점온도는 $5.5{\sim}11.6^{\circ}C$로 다양하였다. 유충은 알과 번데기에 비해 비교적 낮은 온도에서 발육이 가능하였다. 5령충의 경우 생리적 발육영점온도가 추정치($10.3^{\circ}C$)와 다르게 이보다 높은 $15^{\circ}C$에서 관찰되었다. 정량적 RT-PCR로 분석된 유전자의 발현양상은 유충 영기가 진행됨에 따라 모든 기능군의 대부분 유전자의 발현량이 증가하였고, 또한 5령 시기에서도 처리온도가 증가함에 따라 이들 유전자의 발현량도 증가하였다. 비록 동일한 갓 탈피한 5령이라 하더라도 이전에 노출된 외부 온도에 따라 발현량이 상이하였다. 5령충의 생리적 발육영점온도인 $15^{\circ}C$에서 대부분의 유전자 발현량은 저하되었다. 그러나 높은 온도에서와 마찬가지로 발육기간이 증가함에 따라 이들 유전자의 발현량이 증가하였다. 이상의 결과는 발육영점온도에서 파밤나방의 발육 관련 유전자의 발현이 전체적으로 수준은 낮지만 지속적으로 진행되고 있다는 것을 의미한다.

• 한국응용곤충학회지
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• 제51권4호
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• pp.371-376
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• 2012

본 시험은 온도 발육모델을 이용하여 꽃매미 알의 부화시기를 예측하고 약충과 성충 방제에 효과적인 친환경 자재선발 및 끈끈이트랩 색상별 유인효과를 찾기 위하여 수행하였다. 꽃매미 알은 15, 20, $25^{\circ}C$(14L:10D)에서 각각 55.9, 26.8, 21.6일 만에 부화하였고 부화율은 각각 61.9, 57.8, 30.4%로 온도가 높을수록 부화소요기간은 짧고 부화율은 낮았다. 알의 온도와 발육속도와의 관계식은 Y=0.0028X-0.0228 ($R^2$=0.9561)이었으며, 발육영점온도는 $8.14^{\circ}C$, 유효적산온도는 355.4일도였다. 위의 관계식에 의하여 전남지역 꽃매미 알의 부화시기는 5월 22일로 예측되었다. 꽃매미 약충방제에 효과적인 친환경자재는 제충국추출물, 고삼추출물, 데리스추출물이었고, 성충은 제충국추출물, 고삼추출물이었다. 황토색, 파랑색, 노랑색 끈끈이트랩 중에서 황토색끈끈이트랩의 유인량은 2주 동안에 약충 535마리, 성충 87.7마리였다. 황토색 끈끈이트랩은 꽃매미 약충과 성충의 유인포살효과가 우수하였다.