Glucoamylases catalyze a stepwise hydrolysis of starch with the production of glucose. In order to make an efficient conversion of starch into glucose, glucoamylases prepared from Rhizopus spp. (Sigma Co.) were attached to a porous glass and immobilized by glutaraldehyde-induced crosslinking. The porous glass used in this study was $ZrO_2$ coated, $40{\sim}80$ mesh, 550 A pore diameter. Using the forgoing glass, we could couple as much as 50mg of protein per gram of carrier. Substrate for the glucoamylase was an enzyrne-modified thin-toiling 30% cornstarch solution used where greater solubility and low viscosity are desired. Immobilized glucoamylase had an optimum pH 7.0 to the alkaline side of soluble enzyme. Km values of immobilized and soluble enzyme were 1.04 mM and 1.25mM, respectively. The thermal stability of glucoamylase was increased by immobilization and the immobilized enzyme showed an optimum temperature at $40{\sim}60^{\circ}C$. The continuous conversion of cornstarch to glucose by use of immobilized glucoamylase resulted in the production of a more than 90 DE product.
Park, Seong-Ae;Yu, Dong-Sik;Lee, Ji-Ho;Do, Young-Woong;Ha, Jin-Wook
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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제7권6호
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pp.1302-1307
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2006
This study describes the preparation of high-performance photocatalyst and its environmental applications. We prepared visible-light response nano-particle photocatalyst exhibiting the similar photocatalytic activity with $TiO_2$, dispersed $TiO_2$ on $SiO_2$ with an active rutile type titanium oxide prepared at low temperature. The binder and stable photocatalytic $TiO_2$ sol for photocatalytic system were also prepared. Such products were evaluated by UV/Vis spectrometer, X-ray diffraction analysis, SEM, measurement of photocatalytic activities and surface area, mechanical properties of $TiO_2$-coated surfaces. The results obtained can be applied in efficient photocatalytic systems using POF and metal plate for the purification of air.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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pp.285-285
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2013
Recently, hexagonal boron nitride (h-BN), which is III-V compound of boron and nitride by strong covalent sp2 bonds has gained great interests as a 2 dimensional insulating material since it has honeycomb structure with like graphene with very small lattice mismatch (1.7%). Unlike graphene that is semi-metallic, h-BN has large band gap up to 6 eV while providing outstanding properties such as high thermal conductivity, mechanical strength, and good chemical stability. Because of these excellent properties, hBN can potentially be used for variety of applications such as dielectric layer, deep UV optoelectronic device, and protective transparent substrate. Low pressure and atmospheric pressure chemical vapor deposition (LPCVD and APCVD) methods have been investigated to synthesize h-BN by using ammonia borane as a precursor. Ammonia borane decomposes to polyiminoborane (BHNH), hydrogen, and borazine. The produced borazine gas is a key material that is a used for the synthesis of h-BN, therefore controlling the condition of decomposed products from ammonia borane is very important. In this paper, we optimize the decomposition of ammonia borane by investigating temperature, amount of precursor, and other parameters to fabricate high quality monolayer h-BN. Synthesized h-BN is characterized by Raman spectroscopy and its absorbance is measured with UV spectrophotometer. Topological variations of the samples are analyzed by atomic force microscopy. Scanning electron microscopy and Scanning transmission Electron microscopy are used for imaging and analysis of structures and surface morphologies.
Hollow silica spheres were prepared by spray drying of precursor solution of colloidal silica. The precursor solution is composed of 10-20 nm colloidal silica dispersed in a water or ethanol-water mixture solvent with additives of tris hydroxymethyl aminomethane. The effect of pH and concentrations of the precursor and additives on the formation of hollow sphere particles was studied. The spray drying process parameters of the precursor feeding rate, inlet temperature, and gas flow rate are controlled to produce the hollow spherical silica. The mixed solvent of ethanol and water was preferred because it improved the hollowness of the spheres better than plain water did. It was possible to obtain hollow silica from high concentration of 14.3 wt% silica precursor with pH 3. The thermal conductivity and total solar reflectivity of the hollow silica sample was measured and compared with those values of other commercial insulating fillers of glass beads and $TiO_2$ for applications of insulating paint, in which the glass beads are representative of the low thermal conductive fillers and the $TiO_2$ is representative of infrared reflective fillers. The thermal conductivity of hollow silica was comparable to that of the glass beads and the total solar reflectivity was higher than that of $TiO_2$.
In this work, the high ${\kappa}$$Zr_xAl_{1-x}O_y$ films with a different Zr concentration have been deposited by atomic layer deposition, and the effect of Zr concentrations on the structure, chemical composition, surface morphology and dielectric properties of $Zr_xAl_{1-x}O_y$ films is analyzed by Atomic force microscopy, X-ray diffraction, X-ray photoelectron spectroscopy and capacitance-frequency measurement. The effect of Zr concentrations of $Zr_xAl_{1-x}O_y$ gate insulator on the electrical property and stability under negative bias illumination stress (NBIS) or temperature stress (TS) of ZnSnO (ZTO) TFTs is firstly investigated. Under NBIS and TS, the much better stability of ZTO TFTs with $Zr_xAl_{1-x}O_y$ film as a gate insulator is due to the suppression of oxygen vacancy in ZTO channel layer and the decreased trap states originating from the Zr atom permeation at the $ZTO/Zr_xAl_{1-x}O_y$ interface. It provides a new strategy to fabricate the low consumption and high stability ZTO TFTs for application.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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제26권3호
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pp.59-62
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2019
In this study, we have developed solution-processed, F-doped In-Ga-Zn-O semiconductors and investigated their applications to thin-film transistors. In order for forming the appropriate channel layer, precursor solutions were formulated by dissolving the metal salts in the designated solvent and an additive, ammonium fluoride, was incorporated additionally as a chemical modifier. We have studied thermal and chemical contributions by a thermal annealing and an incorporation of chemical modifier, from which it was revealed that electrical performances of the thin-film transistors comprising the channel layer annealed at a low temperature can be improved significantly along with an addition of ammonium fluoride. As a result, when the 20 mol% fluorine was incorporated into the semiconductor layer, electrical characteristics were accomplished with a field-effect mobility of $1.2cm^2/V{\cdot}sec$ and an $I_{on}/_{off}$ of $7{\times}10^6$.
Korean Journal of Air-Conditioning and Refrigeration Engineering
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제19권5호
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pp.355-363
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2007
The Korean traditional 'Ondol' system has been a target for innovation to meet the requirements of sustainable domestic building and low carbon emission energy utilization. Simulation techniques provide designers and researchers with powerful tools to predict heating load and thermal behaviour of Ondol systems installed in various contexts. However, there are few studies on Ondol models, especially associated with multi-stories buildings of which type covers about 50% of Korean housing stock. In this study, we analyzed the double floor Ondol system on the multi-stories buildings using the ESP-r program. On the basis of the double floor Ondol system, we suggested the new modelling method that is composed of the Vent zone and Ondol zone. Using the this model, sensitivity analysis was carried out to refine the applicability of the model taking account of control conditions, constructions, air change and air flow network method and CFD analysis using the FLUENT. The air layer has enough temperature to use in heating zone. It is suggested that the simplicity of the model will allow building designers and mechanical engineers easily to implement scenario-based assessments of design options as well as control strategies. Later, we will simulate the real buildings and analyze the air distributions using the Fluent according to the various conditions.
In this study, the influence of silicon contents on the microstructure, mechanical and tribological properties of Ti-Al-Si-N coatings were systematically investigated for application of cutting tools. The composition of the Ti-Al-Si-N coatings were controlled by different combinations of TiAl2 and Ti4Si composite target powers using an arc ion plating technique in a reactive gas mixture of high purity Ar and N2 during depositions. Ti-Al-Si-N films were nanocomposite consisting of nanosized (Ti,Al,Si)N crystallites embedded in an amorphous Si3N4/SiO2 matrix. The instrumental analyses revealed that the synthesized Ti-Al-Si-N film with Si content of 5.63 at.% was a nanocomposites consisting of nano-sized crystallites (5-7 nm in dia.) and a three dimensional thin layer of amorphous Si3N4 phase. The hardness of the Ti-Al-Si-N coatings also exhibited the maximum hardness value of about 47 GPa at a silicon content of ~5.63 at.% due to the microstructural change to a nanocomposite as well as the solid-solution hardening. The coating has a low friction coefficient of 0.55 at room temperature against an Inconel alloy ball. These excellent mechanical and tribological properties of the Ti-Al-Si-N coatings could help to improve the performance of machining and cutting tool applications.
Trehalose is a non-reducing disaccharide in increasing demand for applications in food, nutraceutical, and pharmaceutical industries. Single-step trehalose production by trehalose synthase (TreS) using maltose as a starting material is a promising alternative process for industrial application due to its simplicity and cost advantage. Pseudomonas monteilii TBRC 1196 was identified using the developed screening method as a potent strain for TreS production. The TreS gene from P. monteilii TBRC 1196 was first cloned and expressed in Escherichia coli. Purified recombinant trehalose synthase (PmTreS) had a molecular weight of 76 kDa and showed optimal pH and temperature at 9.0 and 40℃, respectively. The enzyme exhibited >90% residual activity under mesophilic condition under a broad pH range of 7-10 for 6 h. Maximum trehalose yield by PmTreS was 68.1% with low yield of glucose (4%) as a byproduct under optimal conditions, equivalent to productivity of 4.5 g/l/h using enzyme loading of 2 mg/g substrate and high concentration maltose solution (100 g/l) in a lab-scale bioreactor. The enzyme represents a potent biocatalyst for energy-saving trehalose production with potential for inhibiting microbial contamination by alkaline condition.
Ti has received considerable attention for aerospace, vehicle, and semiconductor industry applications because of its acid-resistant nature, low density, and high mechanical strength. A common precursor used for preparing Ti materials is $TiCl_4$. To prepare high-purity $TiCl_4$, a process based on the removal of $VOCl_3$ has been widely applied. However, $VOCl_3$ removal by distillation and condensation is difficult because of the similar physical properties of $TiCl_4$ and $VOCl_3$. To circumvent this problem, in this study, we have developed a process for $VOCl_3$ removal using Cu powder and mineral oil as purifying agents. The effects of reaction time and temperature, and ratio of purifying agents on the $VOCl_3$ removal efficiency are investigated by chemical and structural measurements. Clear $TiCl_4$ is obtained after the removal of $VOCl_3$. Notably, complete removal of $VOCl_3$ is achieved with 2.0 wt% of mineral oil. Moreover, the refined $TiCl_4$ is used as a precursor for the synthesis of Ti powder. Ti powder is fabricated by a thermal reduction process at $1,100^{\circ}C$ using an $H_2-Ar$ gas mixture. The average size of the Ti powder particles is in the range of $1-3{\mu}m$.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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