• 한국정보통신학회논문지
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• 제11권1호
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• pp.1-6
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• 2007

본 논문에서는 AWGN 채널 환경에서 likelihood 함수를 사용하여 변조 신호를 구분하는 새로운 구조의 변조 신호 구분 방식을 제안한다. 제안된 방식은 각 변조 신호가 전송된다는 가정하에 likelihood 함수를 사용하지만 기존의 maximum likelihood 방식보다 더 양호한 특성을 갖는다. 기존의 maximum likelihood 방식은 구조의 복잡성과 위상 및 주파수 옵?V을 갖는 채널에서 변조 신호 구분 성능이 열화되는 특성을 갖는다. 제안된 방식은 기존 방식의 impaired 채널 환경에서의 열화 성능을 보완하는 간단한 구조의 blind 변조 구분 성능을 제공한다. 제안된 방식은 위상 및 주파수 옵?V을 갖는 채널 환경에서 기존의 maximum likelihood 방식과 성능을 모의 실험하여 비교 분석 되었다. 제안된 방식의 변조 신호 구분의 정확성은 실험 결과에서 기존 방식보다 더 양호한 성능을 보였으며, 단순한 계산 방식으로 보다 더 간단한 구조를 갖는다.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제41권5호
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• pp.69-76
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• 2004

본 논문에서는 낮은 위상잡음을 갖는 X-band용 전압 제어 유전체 공진형 발진기를 설계ㆍ제작하였다. 위상잡음을 개선하기 위하여 저잡음 특성과 프리커 잡음이 낮은 MESFET과 높은 선택도와 Q값이 큰 유전체 공진기를 사용하였다. 또한 바렉터 다이오드는 부하의 영향을 줄이기 위해서 Q-factor가 매우 큰 것을 사용하여야 하며, 전압에 대한 주파수 변동이 선형이 되도록 하기 위해 다이오드의 Gamma가 큰 바렉터 다이오드를 사용하였다. 구현된 회로는 최적의 성능을 갖도록 회로 시뮬레이터인 ABS를 사용하였다. 제작된 전압제어 유전체 공진형 발진기의 특성을 측정한 결과, 중심 주파수 12.05 ㎓에서 5.8㏈m의 출력 파워와 -30 ㏈c의 고조파 억압과 100㎑ offest 주파수에서 -114 ㏈c의 위상잡음 특성을 얻을 수 있었으며, 바렉터 다이오드에 인가되는 전압의 변화에 따른 주파수 동조 범위는 15.2 ㎒를 얻었고 이때의 전력 평탄도는 -0.2㏈ 의 우수한 성능을 얻을 수 있었다. 제작된 발진기는 X-band에서 국부 박진기로 이용될 수 있음을 확인하였다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제21권6호
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• pp.627-634
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• 2010

본 논문에서는 complimentary bifilar archimedean spiral resonator(CBASR)를 이용하여 저위상 잡음 특성을 갖는 새로운 구조의 전압 제어 발진기를 제안하였다. CBASR은 작은 면적, 저지대역에서 날카로운 스커트 특성과 통과대역에서 낮은 삽입 손실, 큰 결합 계수 값을 나타내며, 이로 인해 높은 Q값을 구현할 수 있는 장점이 있다. 따라서, 본 논문에서는 CBASR을 공진 회로로 사용하여 전압 제어 발진기의 위상 잡음을 개선시켰다. 제안된 전압 제어 발진기의 주파수 조절 범위는 제어 전압 0~5 V에서 2.396~2.502 GHz이며, 출력은 7.5 dBm, 그리고 위상 잡음 특성은 100 kHz offset에서 -119.16~-120.2 dBc/Hz이다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제14권9호
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• pp.967-973
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• 2003

본 논문은 RF신호의 2차 저주파 혼변조 신호론 증폭기 입력 바이어스 단자로 인가하는 새로운 전치 왜곡선형화 방법을 제시하였다. 또한 RF 신호의 2차 저주파 혼변조 신호를 추출하는 회로를 제시하였다. 새로운 전치 왜곡 선형화 방법으로 3차 및 5차 혼변조 신호의 억압 특성을 얻을 수 있었으며, 수식적인 분석 과 시뮬레이 션을 통하여 이 선형화 방법을 입증할 수 있었다. 입력 신호로 CDMA IS-95 1FA가 인가되었을 때, 중심주파수로부터 0.855 MHz에서 25 dB, 1.25 MHz에서 22.5 dB 그리고 2.25 MHz에서 6 dB 개선되었다 마찬가지로 CDMA IS-95 3FA 신호를 인가하였을 때도 중심 주파수에서부터 0.855 MHh 떨어진 지점까지의 인접채널전력비가 20 dB개선되었다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제8권1호
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• pp.34-40
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• 2004

본 논문에서는 X-band용 저위상잡음을 갖는 위상고정 유전체 공진 발진기를 설계 및 제작하였다. 위상고정 유전체 공진 발진기의 루프대역 내의 위상잡음을 개선하기 위해서 샘플링위상비교기(Sampling Phase Detector)를 사용하여 전압제어 유전체 공진 발진기를 고안정의 기준주파수에 위상 고정시켰으며 루프대역 밖의 위상잡음을 개선하기 위해서 고임피던스 변환기를 이용한 낮은 위상잡음의 전압제어 발진기를 설계하였다. 제작된 위상고정 유전체 공진 발진기는 51.67㏈c의 고조파 억압특성을 가지고 있으며 공급전력은 1.95W 이하를 필요로 한다. 위상잡음은 상온에서 -107.17㏈c/Hz $\circleda$10KHz와 -113.0㏈c/Hz $\circleda$100KHz의 우수한 특성을 나타내었으며 출력전력은 $-20 ∼ +70^{\circ}C$의 온도 범위에서 13.0㏈m${\pm}$0.33㏈의 안정된 특성을 나타내었다.

• ETRI Journal
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• 제41권6호
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• pp.829-837
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• 2019

The p-type nanowire field-effect transistor (FET) with a SiGe shell channel on a Si core is optimally designed and characterized using in-depth technology computer-aided design (TCAD) with quantum models for sub-10-nm advanced logic technology. SiGe is adopted as the material for the ultrathin shell channel owing to its two primary merits of high hole mobility and strong Si compatibility. The SiGe shell can effectively confine the hole because of the large valence-band offset (VBO) between the Si core and the SiGe channel arranged in the radial direction. The proposed device is optimized in terms of the Ge shell channel thickness, Ge fraction in the SiGe channel, and the channel length (L_g) by examining a set of primary DC and AC parameters. The cutoff frequency (f_T) and maximum oscillation frequency (f_max) of the proposed device were determined to be 440.0 and 753.9 GHz when L_g is 5 nm, respectively, with an intrinsic delay time (τ) of 3.14 ps. The proposed SiGe-shell channel p-type nanowire FET has demonstrated a strong potential for low-power and high-speed applications in 10-nm-and-beyond complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) technology.

• 한국전자파학회논문지
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• 제15권4호
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• pp.335-344
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• 2004

본 논문에서는 저 위상잡음 특성을 갖는 Ka-band 위 성 중계 기용 국부발진기 의 우주인증모델(EQM)을 개발하였다. 국부발진기의 루프대역 밖의 위상잡음을 개선하기 위하여 유전체 공진기와 결합하는 마이크로스트립 라인을 고임피던스 인버터로 설계하여 전압제어 발진기를 설계하였다. 또한 기구물의 구조해석 및 기판의 열해석이 수행되었으며 설계된 우주인증모델의 국부발진기는 전기적 시험 및 환경시험을 거쳐 EQM 수준의 Ka-band용 위성중계기에 탑재되었다. 제작된 국부발진기는 52 ㏈c 이상의 고조파 억압특성을 가지고 있으며 1.3 W 이하의 낮은 전력을 요구한다. -15∼+$65^{\circ}C$의 온도변화에서 위상잡음은 -101.33 ㏈c/Hz ⓐ10 KHz와 -114.33 ㏈c/Hz ⓐ100 KHz의 우수한 특성을 나타내며 출력전력은 14.0$\pm$0.17㏈m을 얻었다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제16권5호
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• pp.675-681
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• 2016

A 41dB gain control range $6^{th}$-order band-pass receiver front-end (RFE) using CMOS switched frequency translated impedance (FTI) is presented in a 40 nm CMOS technology. The RFE consists of a frequency tunable RF band-pass filter (BPF), IQ gm cells, and IQ TIAs. The RF BPF has wide gain control range preserving constant filter Q and pass band flatness due to proposed pre-distortion scheme. Also, the RF filter using CMOS switches in FTI blocks shows low clock leakage to signal nodes, and results in low common mode noise and stable operation. The baseband IQ signals are generated by combining baseband Gm cells which receives 8-phase signal outputs down-converted at last stage of FTIs in the RF BPF. The measured results of the RFE show 36.4 dB gain and 6.3 dB NF at maximum gain mode. The pass-band IIP3 and out-band IIP3@20 MHz offset are -10 dBm and +12.6 dBm at maximum gain mode, and +14 dBm and +20.5 dBm at minimum gain mode, respectively. With a 1.2 V power supply, the current consumption of the overall RFE is 40 mA at 500 MHz carrier frequency.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 춘계학술대회 논문집 센서 박막재료 반도체 세라믹
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• pp.291-294
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• 2003

The circuit substrate was made from the Low Temperature Cofired Ceramics(LTCC) that a $\varepsilon_\gamma$ was 7.8. Accumulated Varactor and the low noise transistor which were a Surface Mount Device-type element on LTCC substrate. Let passive element composed R, L, C with strip-line of three dimension in the multilayer substrate circuit inside, and one structure accumulate band-pass filter, resonator, a bias line, a matching circuit, and made it. Used Screen-Print process, and made Strip-line resonator. A design produced and multilayer-type VCO(Voltage Controlled Oscillator), and recognized a characteristic with the Spectrum Analyzer which was measurement equipment. Measured multilayer structure VCO is oscillation frequency 1292[MHz], oscillation output -28.38[dBm], hamonics characteristic -45[dBc] in control voltage 1.5[V], A phase noise is -68.22[dBc/Hz] in 100 KHz offset frequency. The oscillation frequency variable characteristic showed 30[MHz/V] characteristic, and consumption electric current is approximately 10[mA].

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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• pp.501-503
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• 2008

This paper presents the design of a 2.4 GHz low phase noise fully integrated LC Voltage-Controlled-Oscillator (VCO) in $0.18{\mu}m$ CMOS technology. The VCO is without any tail bias current sources for a low phase noise and, in which differential varactors are adopted for the symmetry of the circuit. At the same time, the use of differential varactors pairs reduces the tuning range, i.e., the frequency range versus VTUNE, so that the phase noise becomes lower. The simulation results show the achieved phase noise of -138.5 dBc/Hz at 3 MHz offset, while the VCO core draws 3.9mA of current from a 1.8V supply. The tuning range is from 2.28GHz to 2.55 GHz.