• 조명전기설비학회논문지
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• 제19권6호
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• pp.9-15
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• 2005

본 연구는 새로 고안된 부정-논리곱 논리기능을 가지는 방전 논리 게이트 플라즈마 디스플레이 패널의 논리 게이트 방전특성을 해석한 것이다. 이 방전 논리 게이트는 방전 경로에 따른 전극사이의 전압을 제어하여 논리 출력을 유도한다. 실험결과 논리 게이트의 방전특성은 두 수직전극에 인가되는 전압들의 상호관계에 영향을 받는다는 것을 알았다. 그리고 대화면 PDP에의 적용 가능성을 검토하기 위하여 전극의 선저항에 의한 방전특성을 평가한 결과, 두 수직전극들의 선저항에 의한 전압강하가 논리 게이트의 방전에 미치는 영향은 미미한 것으로 추론되었다. 실험을 통해 방전 논리 게이트를 구성하는 각 전극들의 펄스전압과 전류제한저항의 최적 값들을 구하였으며 49[V]의 최대동작마진을 얻었다.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제53권10호
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• pp.510-514
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• 2004

In this paper, we analytically examine the voltage transfer function dependent on input conditions for an N-Input NAND Gate. The logic threshold voltage, defined as a voltage at which the input and the output voltage become equal, changes as the input condition changes for a static NAND Gate. The logic threshold voltage has the highest value when all the N-inputs undergo transitions and it has the lowest value when only the last input connected to the last NMOS to ground, makes a transition. This logic threshold voltage difference increases as the number of inputs increases. Therefore, in order to provide a near symmetric voltage transfer function, a multistage N-Input Gate consisting of 2-Input Logic Gates is desirable over a conventional N-Input Gate.

• 전자공학회논문지SC
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• 제47권1호
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• pp.29-34
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• 2010

본 논문에서는 새로운 패리티 보존형 가역 논리게이트를 제안한다. 패리티 보존형 가역 논리게이트는 입력 값과 출력 값의 패리티가 같은 가역 논리게이트를 의미한다. 최근 가역 논리 게이트가 저전력 CMOS 디자인, 양자 컴퓨팅 그리고 나노 테크놀로지와 같은 분야에서 전력을 효율적으로 사용하는 방법임을 알려졌다. 그리고 패리티 체크(parity-checking)는 디지털 시스템에서 오류 주입을 확인 하는 대표적인 방법 중 하나이다. 제안하는 새로운 패리티 보존형 가역 논리게이트는 모든 boolean 함수를 구성할 수 있고, 기존의 오류 확인 boolean 함수보다 가역 논리게이트 수, garbage-output의 수 그리고 하드웨어 연산량에서 효율적으로 구성할 수 있다.

• 전자공학회논문지A
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• 제30A권9호
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• pp.71-79
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• 1993

This paper proposes a new test pattern generation methodology for combinational logic circuits using neural networks based on a modular structure. The CUT (Circuit Under Test) is described in our gate level hardware description language. By conferring neural database, the CUT is compiled to an ATPG (Automatic Test Pattern Generation) neural network. Each logic gate in CUT is represented as a discrete Hopfield network. Such a neual network is called a gate module in this paper. All the gate modules for a CUT form an ATPG neural network by connecting each module through message passing paths by which the states of modules are transferred to their adjacent modules. A fault is injected by setting the activation values of some neurons at given values and by invalidating connections between some gate modules. A test pattern for an injected fault is obtained when all gate modules in the ATPG neural network are stabilized through evolution and mutual interactions. The proposed methodology is efficient for test generation, known to be NP-complete, through its massive paralelism. Some results on combinational logic circuits confirm the feasibility of the proposed methodology.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 춘계학술대회 논문집 디스플레이 광소자 분야
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• pp.112-113
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• 2002

Optical bistability can be applied to the optical logic. optical signal processing and optical memory. We have measured the optical bistability of DFB-SOA and demonstrated all-optical OR logic gate using switching characteristics of DFB-SOA.

• 대한전자공학회논문지
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• 제23권1호
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• pp.42-45
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• 1986

This paper introduces novel functionally integrated logic elements which are conceptuallized for large scale integrated circuits. Efforts are made to minimize the gate size as well as to reduce the operational voltage, without sacrificing the speed performance of the gates. The process used was a rather conventional collector diffusion isolation(CDI) process. New gate structures are formed by merging several transistors of a gate in the silicon substrate. Thested elements are CML(Current Mode Logic) and EECL (Emitter-to-Emitter Coupled Logic)gates. The obtained experimental results are power-delay product of 6~11pJ and delay time/gate of 1.6~1.8 ns, confirming the possibility of these novel gate structures as a VLSI-candidate.

• Journal of Information Display
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• 제6권1호
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• pp.17-21
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• 2005

We explored a new way of designing dynamic logic gates with low temperature polysilicon thin film transistors to increase the speed. The proposed architecture of logic gates utilizes the structural advantage of smaller junction capacitance of thin film transistors. This method effectively blocks leakage of current through the thin film transistors. Furthermore, the number of transistors used in logic gates is reduced thereby reducing power consumption and chip area. Through HSPICE .simulation, it is confirmed that the circuit speed is also improved in all logic gates designed.

• 한국광학회지
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• 제13권5호
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• pp.414-420
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• 2002

본 연구에서는 bacteriorhodopsin(bR)이 첨가된 고분자 박막을 이용하여 광 논리회로 특성을 구현하였다. bR은 분광학적으로 구분되는 몇 단계의 중간단계로 구성된 복잡한 참순환 과정을 수반하고 있다. 우리는 bR의 광순환 과정중 B상태와 M상태의 흡수도 변화를 고려하여 He-Ne 레이저(632.8 nm)와 He-Cd 레이저(413 nm) 이용하여 광학적 논리회로를 구현하였다. 또한 B상태와 K상태간의 흡수 스펙트럼을 고려하여 He-Ne 레이저(632.8 nm)와 Nd-YAG 레이저의 제2고조파인 532 nm를 이용하여 고속 AND logic gate를 구현하였다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제10권2호
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• pp.134-142
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• 2010

A comparative study on the trade-off between the drive current and the total gate capacitance in double-gate (DG) and triple-gate (TG) FinFETs is performed by using 3-D device simulation. As the first result, we found that the optimum ratio of the hardmask oxide thickness ($T_{mask}$) to the sidewall oxide thickness ($T_{ox}$) is $T_{mask}/T_{ox}$=10/2 nm for the minimum logic delay ($\tau$) while $T_{mask}/T_{ox}$=5/1~2 nm for the maximum intrinsic gate capacitance coupling ratio (ICR) with the fixed channel length ($L_G$) and the fin width ($W_{fin}$) under the short channel effect criterion. It means that the TG FinFET is not under the optimal condition in terms of the circuit performance. Second, under optimized $T_{mask}/T_{ox}$, the propagation delay ($\tau$) decreases with the increasing fin height $H_{fin}$. It means that the FinFET-based logic circuit operation goes into the drive current-dominant regime rather than the input gate load capacitance-dominant regime as $H_{fin}$ increases. In the end, the sensitivity of $\Delta\tau/{\Delta}H_{fin}$ or ${{\Delta}I_{ON}}'/{\Delta}H_{fin}$ decreases as $L_G/W_{fin}$ is scaled-down. However, $W_{fin}$ should be carefully designed especially in circuits that are strongly influenced by the self-capacitance or a physical layout because the scaling of $W_{fin}$ is followed by the increase of the self-capacitance portion in the total load capacitance.

• 전기전자학회논문지
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• 제8권1호
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• pp.33-38
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• 2004

다치 논리 패스 게이트는 다치 논리를 구성하기 위한 중요한 소자이다. 본 논문에서는, 뉴런 $MOS({\nu}MOS)$ 임계 게이트를 갖는 2중 패스-트랜지스터 논리를 이용하여 4치 MIN(QMIN)/negated MIN(QNMIN) 게이트 그리고 4치 MAX(QMAX)/negated MAX(QNMAX) 게이트를 설계하였다. DPL은 입력 캐패시턴스의 증가 없이 게이트 속도를 향상 시켰다. 또한 대칭 배열과 2중 전송 특성을 갖는다. 임계 게이트는 ${\nu}MOS$ 다운 리터럴 회로(DLC)로 구성 된다. 제안된 게이트는 다양한 다치 임계 전압을 실현할 수 있다. 본 논문에서, 회로는 3V의 전원 전압을 사용하였고 0.35um N-Well 2-poly 4-metal CMOS 공정의 파라메터를 사용하였으며 모든 모의 실험은 HSPICE를 이용하였다.