• 제목/요약/키워드: LiGA

검색결과 188건 처리시간 0.03초

반도체 전계광학 광변조기의 변조특성 (Modulation characteristics of semiconductor electrooptic light modulators)

  • 이종창;최왕엽;박화선;변영태;김선호
    • 한국광학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국광학회 2000년도 하계학술발표회
    • /
    • pp.22-23
    • /
    • 2000
  • GaAs/AlGaAs나 InGaAs/InGaAsP와 같은 반도체 기판을 이용한 전계광학 광변조기는 LD나 SOA와 같은 광소자와 단일기판 집적이 가능하고 낮은 chirping과 높은 변조대역폭을 갖는 외부광변조기로서의 장점으로 인하여 마이크로파 대역의 초고속광통신소자로 각광을 받아왔다. 특히 진행파의 속도가 정합된 traveling-wave 전극 구조를 갖는 경우 변조대역폭은 30-400Hz에 달하고 있다$^{(1)}$ . 그러나 한편으로는 반도체의 전계광학계수(electro-Optic Coefficient)가 LiNbO$_3$에 비해 10분의 1정도로 작아 상대적으로 동작전압이 커지는 단점이 대두되며 실제 구동전압이 수십 V에 이르고 있다. 이런 단점을 극복하기 위하여 p-i-n 구조를 이용하여 전계 집속도를 높이는 방법이 제안되어 동작전압이 2 V/mm 정도까지 감소하였다$^{(2)}$ . 본 논문에서는 이와 같은 반도체 전계광학 광변조기에서의 소신호 및 대신호 광변조특성을 분석함으로써 보다 높은 변조대역폭과 보다 낮은 동작전압을 갖는 구조를 연구하였다. (중략)

  • PDF

Bandgap Tuning in InGaAs/InGaAsP Laser Structure by Quantum Well Intermixing

  • Nah Jongbum;Kam PatrickLi
    • 한국광학회지
    • /
    • 제16권2호
    • /
    • pp.159-161
    • /
    • 2005
  • We report the selective area bandgap tuning of multiple quantum well structures by an impurity free vacancy induced quantum well intermixing technique. A 3dB waveguide directional coupler was fabricated in the disordered section of an intermixed quantum well sample as a demonstration of photonic device applications.

에티오피아 남부 켄티차 페그마타이트의 분화양상과 희유원소 광화작용 (Fractionation and Rare-Element Mineralization of Kenticha Pegmatite, Southern Ethiopia)

  • 김의준;김수영;문동혁;고상모
    • 자원환경지질
    • /
    • 제46권5호
    • /
    • pp.375-390
    • /
    • 2013
  • 켄티차(Kenticha) 희유원소(Ta-Li-Nb-Be) 광화대는 에티오피아 남부의 오피올라이트 습곡-쓰러스트 복합체내에 위치하고 있으며, 1980년대 에티오피아-구소련간 수행된 공동탐사 프로그램을 통해서 처음 발견되었다. 켄티차 희유원소 광화대는 남쪽에서 북쪽으로 덜미다마(Dermidama), 킬킬리(Kilkele), 슈니힐(Shuni Hill), 켄티차, 부포(Bupo) 페그마타이트를 포함한다. 켄티차 페그마타이트는 남북방향의 사문암과 활석-녹니석 편암층을 평행하게 관입하고 있으며, 대략 연장 2 km, 폭 400-700 m로 노출되어 있다. 켄티차 페그마타이트는 내부적으로 대상(zoning)을 이루고 있으며, 광물조합에 따라 하부 석영-백운모-조장석 화강암, 중부 백운모-석영-조장석-미사장석 페그마타이트, 상부 스포듀민-석영-조장석 페그마타이트로 세분된다. 주성분, 미량성분(Rb, Li, Nb, Ta, Ga), 원소비(K/Rb, Nb/Ta, Mg/Li, Al/Ga)는 페그마타이트의 분별작용과 고화작용이 하부에서 상부 페그마타이트로 진행되었음을 시사한다. 반면에 일반적인 페그마타이트 멜트의 분화양상과 달리 켄티차 페그마타이트의 Mg/Li 비는 상부 페그마타이트로 가면서 증가하는 양상을 보인다. 이러한 양상은 후기 마그마성 열수변질 또는 상부 초염기성암과의 반응 결과로 해석된다. 켄티차 페그마타이트의 희유원소 광화작용은 상부 페그마타이트에 집중되며, 최대 $Li_2O$ 3.0%, Rb 3,780 pm, Cs 111 ppm, Ta 1,320 ppm, and Nb 332 ppm을 함유하고 있다. 켄티차 페그마타이트에서 광석광물은 주로 탄탈라이트, 스포듀민, 레피돌라이트가 산출되며, 탄탈라이트는 거정의 석영-스포듀민과 상대적으로 세립의 당상 조장석과 함께 산출된다. 탄탈라이트는 $Mn^*$$Ta^*$ 값에 근거할 때 Mn-탄탈라이트로 분류된다. 거정질과 세립의 탄탈라이트는 조성($Mn^*$, $Ta^*$, Nb/Ta) 차이가 명확히 나타나며, 거정질 탄탈라이트는 세립의 탄탈라이트에 비해 Ta이 강하게 부화되며 Nb은 결핍되어 있다. 결론적으로 켄티차 페그마타이트에서 희유원소 광화작용은 마그마 멜트의 분별작용 최후기에 형성되었다.

Magnetic Microstructures and Corrosion Behaviors of Nd-Fe-B-Ti-C Alloy by Ga Doping

  • Wu, Qiong;Zhang, Pengyue;Ge, Hongliang;Yan, Aru;Li, Dongyun
    • Journal of Magnetics
    • /
    • 제18권3호
    • /
    • pp.240-244
    • /
    • 2013
  • The influences of Gallium doping on the magnetic microstructures and corrosion behaviors of Nd-Fe-B-Ti-C alloys are investigated. The cooling rate for obtaining fully amorphous structure is raised, and the glassforming ability is improved by the Ga addition. The High Resolution Transmission Electron Microscopy image shows that the ${\alpha}$-Fe and $Fe_3B$ soft magnetic phases become granular surrounded by the $Nd_2Fe_{14}B$ hard magnetic phase. The rms and $({\Delta}{\varphi})_{rms}$ value of Nd-Fe-B-Ti-C nanocomposite alloy thick ribbons in the typical topographic and magnetic force images detected by Magnetic Force Microscopy(MFM) decreases with 0.5 at% Ga addition. The corrosion resistances of $Nd_9Fe_{73}B_{12.6}C_{1.4}Ti_{4-x}Ga_x$ (x = 0, 0.5, 1) alloys are enhanced by the Ga addition. It can be attributed to the formation of more amorphous phases in the Ga doped samples.

국내 모 유연탄 발전소의 석탄회 매립 염호수 내 미량원소 농집에 대한 지구화학적 연구 (A Geochemical Study on the Enrichment of Trace Elements in the Saline Ash Pond of a Bituminous-burning Power Plant in Korea)

  • 김석휘;최승현;정기영;이재철;김강주
    • 한국광물학회지
    • /
    • 제27권1호
    • /
    • pp.31-40
    • /
    • 2014
  • 본 연구에서는 유연탄을 원료로 하는 국내 모 화력발전소에서 발생하는 비회(fly ash)와 석탄회 매립염호수(saline ash pond)에 대하여 지구화학적으로 조사함으로써 석탄회와의 반응에 의한 매립호수의 수질변화와 염수와의 반응에 의한 석탄회내의 원소용출 특성을 고찰하였다. 이를 위해, 각각 1개씩의 비회와 바닥재, 그리고 7개의 매립호수 수질시료를 채취하였다. 이 중, 비회와 바닥재, 그리고 2개의 수질시료는 총 55개 항목의 미량금속원소에 대한 분석을 수행하였다. 비회 내에는 Cu, Zn, Ga, Ge, Se, Cd, Sb, Au, Pb, B 등과 같은 친황원소들의 함량이 비교적 높게 나타났다. 하지만, 매립호수 내에서는 해수에 비하여 As, Ba, Co, Ga, Li, Mn, Mo, Sb, U, V, W, Zr 등이 상대적으로 농집되어 있었다. 또한, 각 원소에 대하여 비회 내의 농도와 매립호수 내의 농도 비를 비교한 결과, Ag, Bi, Li, Mo, Rb, Sb, Sc, Se, Sn, Sr, W 등이 타 원소들과 비하여 매립호수에 농집되어 있는 것으로 나타났다. 이러한 결과는 상대적 휘발정도에 의해 일부 금속원소가 비회의 표면에 농집된다 하더라도 금속원소의 용출특성이 용해도나 흡착처럼 각 원소의 지화학적 거동 특성에 영향 받음을 의미하는 것이다.

Contact Resistance Reduction between Ni-InGaAs and n-InGaAs via Rapid Thermal Annealing in Hydrogen Atmosphere

  • Lee, Jeongchan;Li, Meng;Kim, Jeyoung;Shin, Geonho;Lee, Ga-won;Oh, Jungwoo;Lee, Hi-Deok
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
    • /
    • 제17권2호
    • /
    • pp.283-287
    • /
    • 2017
  • Recently, Ni-InGaAs has been required for high-performance III-V MOSFETs as a promising self-aligned material for doped source/drain region. As downscaling of device proceeds, reduction of contact resistance ($R_c$) between Ni-InGaAs and n-InGaAs has become a challenge for higher performance of MOSFETs. In this paper, we compared three types of sample, vacuum, 2% $H_2$ and 4% $H_2$ annealing condition in rapid thermal annealing (RTA) step, to verify the reduction of $R_c$ at Ni-InGaAs/n-InGaAs interface. Current-voltage (I-V) characteristic of metal-semiconductor contact indicated the lowest $R_c$ in 4% $H_2$ sample, that is, higher current for 4% $H_2$ sample than other samples. The result of this work could be useful for performance improvement of InGaAs n-MOSFETs.

Li-doped ZnO 박막의 제작과 특성에 관한 연구

  • 심은희;이초은;정의완;이진용;강명기;노가현;홍승수;허성은;김두수;이영민;김득영
    • 한국진공학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
    • /
    • pp.407-407
    • /
    • 2012
  • 본 연구에서는 p형 전도 특성을 갖는 ZnO 박막 연구를 위해 RF 마그네트론 스퍼터 법으로 Li이 1 at.% 첨가된 ZnO target을 이용하여 ZnLiO 박막을 제작하였다. ZnLiO 박막은 $500{\sim}650^{\circ}C$의 온도 구간에서 $50^{\circ}C$ 단계로 아르곤 가스와 산소의 가스 분압비를 조절하여 성장하였으며, 급속 열처리 법으로 산소분위기에서 3분간 열처리 하였다. 성장된 박막은 전자주사현미경과 x-ray 회절 분광법을 이용하여 구조적 특성을 분석하였고, Hall 효과 측정을 통하여 전기적 특성을 분석하였다. Photoluminescence (PL)법을 통하여 박막의 광학적 특성을 분석하였다. 초기 제작된 ZnLiO 박막은 산소 분위기에서의 급속 열처리과정을 통하여 결정성과 p형 전도 특성이 향상됨을 확인하였다. 이는 열처리 과정을 통해 격자 내 치환되지 못한 Li 원자가 Zn 자리로 치환됨에 따라 격자가 안정화 되며, 억셉터 농도의 증가를 통하여 p-type 전도 특성이 개선된 것으로 보여진다.

  • PDF

Analysis of Influence of Environmental Conditions on Ganoderic Acid Content: in Ganoderma lucidum Using Orthogonal Design

  • Li Na;Liu Xiao Hua;Zhou Jie;Li Yu Xiang;Zhao Ming Wen
    • Journal of Microbiology and Biotechnology
    • /
    • 제16권12호
    • /
    • pp.1940-1946
    • /
    • 2006
  • The influence of environmental conditions on the ganoderic acid (GA) content in the fungus Ganoderma lucidum was investigated using a one-factor-at-a-time design and orthogonal design. Among the various medium components examined, sucrose, soybean powder or peptone, ferrous sulfate, and pH 6.0 were the most suitable carbon source (factor A), nitrogen source (factor B), mineral source (factor C), and initial pH (factor D), respectively, for the GA content in the one-factor-at-a-time design. According to the orthogonal design, the order of effect for the four factors on the GA content was A>C>D>B. The best level of factor A was $A_2$ (sucrose) with a value of +0.34 mg/100 mg DW. The optimal treatment combination was $A_2B_1C_3D_1$ with which the GA content reached up to 2.63$\pm$0.011 mg/100 mg DW. The interactions between the mineral ion and the nitrogen source, and the mineral ion and the pH were both highly significant (P<0.01). The highest interaction effect was ($B_2{\times}D_2$) with a value of +0.19 mg/100 mg DW, which was higher than the level effect value for $B_2$ (peptone) and D$_2$ (pH 5.0). Therefore, the results proved that interactions between factors cannot be ignored. The results also indicated the importance of the interactions between the factors, which may help to understand the metabolic pathway leading to triterpene biosynthesis and the expression and regulation of the key enzymes involved.

GaN epitaxy 층의 식각특성에 미치는 공정변수의 영향 (Parametric study of inductively coupled plasma etching of GaN epitaxy layer)

  • 최병수;박해리;조현
    • 한국결정성장학회지
    • /
    • 제26권4호
    • /
    • pp.145-149
    • /
    • 2016
  • 플라즈마 조성, ICP source power, rf chuck power 등의 공정변수가 GaN epitaxy층의 식각특성에 미치는 영향을 조사하였다. $GaF_x$ 화합물 보다 더 높은 휘발성을 가지는 $GaCl_x$ 식각 생성물 형성이 가능한 $Cl_2/Ar$ 플라즈마가 $SF_6/Ar$ 플라즈마보다 더 높은 식각속도를 나타내었다. 또한, $Cl_2/Ar$ 플라즈마에서 Ar 비중이 증가함에 따라 물리적 식각 기구 활성화로 인해 식각 이방성이 향상됨을 확인하였다. 두 가지 플라즈마 조성 모두에서 ICP source power와 rf chuck power가 증가함에 따라 식각속도가 지속적으로 증가함을 확인하였고, $13Cl_2/2Ar$, 750W ICP power, 400 W rf chuck power, 10 mTorr 조건에서 최고 251.9 nm/min의 식각속도를 확보하였다.