• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2001년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1469-1471
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• 2001

A Dual Channel Trench IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) is proposed to improve the latch-up characteristics. Simulation results by MEDICI have shown that the latching current density of proposed device was found to be 2850 A/$cm^2$ while that of conventional device was 1610 A/$cm^2$. The latching current desity of the proposed strucutre was 77.02% higher than that of conventional structre.

• 항공우주기술
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• 제11권1호
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• pp.1-6
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• 2012

인공위성의 전력 시스템을 보호하기 위해서 퓨즈나 LCL (Latching Current Limiter) 등을 부하와 전원 공급 장치 사이에 연결한다. 본 논문에서는 인공위성에서 장착되는 퓨즈의 용량 선정 기법에 대해 논하였다. 퓨즈 용량 선정 방법에 대해 기술하였고, 병렬 (Parallel) 퓨즈 연결 방식을 수학식으로도 단일 (Single) 퓨즈 연결 방식으로 나타낼 수 있음을 보였다. 또한, 퓨즈에 연결되는 부하의 정확한 전류 특성이 알려지지 않은 상태에서 적절한 퓨즈 선정 기법을 새롭게 제시하였다.

• 항공우주기술
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• 제10권2호
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• pp.56-64
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• 2011

최근 위성 시스템의 전력분배는 기존의 퓨즈와 릴레이로 구성된 것과는 달리 LCL(Latching Current Limiter) 회로로 구현되어, 각각의 부하전원을 단속한다. LCL은 부하에서 생기는 과전류를 제한함으로서 고장 의심이 있는 부하를 물리적으로 차단하는 기존 방법에 비하여 고장의 원인을 분석하고, 일시적인 고장인 경우 부하를 재사용할 수 있는 장점이 있다. 그러나 LCL 회로는 전자소자로 구현되는 만큼 주변회로(부하회로)와의 연동성과 회로 자체의 특성을 이해해야 하며, 무엇보다 과전류를 차단하기 위하여 설정하는 LCL 동작 파라미터의 정의를 위한 기술적인 접근이 요구된다. 따라서 본 논문에서는 전력분배 모듈의 LCL 동작 파라미터를 정의하기 위한 분석을 수행했고, 회로구현 및 특성 시험결과를 나타냈다.

• 한국정보전자통신기술학회논문지
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• 제6권3호
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• pp.168-173
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• 2013

본 연구는 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)의 전기적 특성을 향상시키기 위해 새로운 구조의 IGBT를 제안하였다. 첫 번째 구조는 기존 IGBT 구조의 P-베이스 영역 우측 부분에 N+영역을 추가한 방법으로 기존 구조에 비해 빠른 Turn-off 시간과 낮은 전도 손실을 갖는 구조이다. 또한, 두 번째 구조는 게이트 우측 하단에 P+를 형성함으로써 Latching 전류를 향상시킨 구조이다. 시뮬레이션 결과 제안된 첫 번째 구조는 빠른 Turn-off 시간(3.4us), 낮은 순방향 전압강하(3.08V)의 특성을 보였으며, 두 번째 구조는 높은 Latching 전류(369A/?? ) 특성을 보였다. 따라서 본 논문은 제안된 두 가지의 구조를 하나로 결합한 구조로써 기존 IGBT보다 향상된 특성을 시뮬레이션을 통하여 확인하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 하계학술대회 논문집 Vol.5 No.1
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• pp.288-291
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• 2004

Due to the charge compensation effect, SOI(Silicon-On-Insulator) LIGBT with dual-epi layer have been found to exhibit both low forward voltage drop and high static breakdown voltage. In this paper, electrical characteristics of the SOI LIGBT with dual-epi structure is presented. Trenched anode structure is employed to obtain uniform current flowlines and shorted anode structure also employed to prevent the fast latch-up. Latching current density of the proposed LIGBT with $T_1=T_2=2.5{\mu}m,\;N_1=7{\times}10^{15}/cm^3,\;N_2=3{\times}10^{15}/cm^3$ is $800A/cm^2$ and breakdown voltage is 125V while latching current density and breakdown voltage of the conventional LIGBT is $700A/cm^2$ and 55V.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제49권8호
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• pp.463-467
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• 2000

In this paper, the new LIGBT structures with trap injection are proposed to improve switching characteristics of the conventional SOI LIGBT. The Simulations are performed in order to investigate the effects of the positiion, whidth and concentration of trap injection region with a reduced minority carrier lifetime using 2D device simulator MEDICI. Their electrical characteristics are analyzed and the optimum design parameters are extracted. As a result of simulation, the turn off time for the model A with the trap injection is $0.78\mus$. These results indicate the improvement of about 2 times compared with the conventional SOI LIGBT because trap injection prevents minority carriers which is stored in the n-drift region during turn off switching. The latching current is $1.5\times10^{-4}A/\mum$ and forward blocking voltage is 168V which are superior to those of conventional structure. It is shown that the trap injection is very effective to reduce the turn off time with a little increasing of on-state voltage drop if its design and process parameters are optimized.

• 전자공학회논문지A
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• 제30A권7호
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• pp.32-37
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• 1993

A novel insulated gate bipolar transister (IGBT), called insulated trench cathode IGBT (ISTC-IGBT), is proposed. ISTC-IGBT has a trenched well with the shallow P$^{+}$ juction in the conventional IGBT structure. The proposed structure has the capability of effectively suppressing the parasitic thyristor latchup. The holding current of ISTC-IGBT is about 2.2 times greater than that of the conventional IGBT. Detailed analysis of the latchup characteristics of ISTC-IGBT is performed by using the two-dimensional device simulator, PISCES-II B.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2005년도 제36회 하계학술대회 논문집 B
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• pp.1368-1370
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• 2005

Satellite is operated only with internal battery when separated from rocket. Internal battery is charged only from SAR(solar Array Regulator), solar cell. So battery will be exhausted and purpose of satellite will be failed if load module is out of order or short. This paper proposed real time current limiter which operated by telemetry of outer processor. This current limiter operates by control signal simultaneously cuts off over current by self over current sensing circuit. So it can reduce waste of battery energy and over load of outer processor.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제48권3호
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• pp.167-172
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• 1999

The device characteristics of the base resistance controlled thyristor with self-align corrugated p-base is demonstrated for the first time with varying the n+ cathode width and the temperature form room temperature to $125^{\circ}C$. The experimental results show that the snap-back in the CB-BRT is significantly suppressed irrespective of the various n+ cathode width and the temperature as compared with that of the conventional BRT. The maximum controllable current of the CB-BRT is uniformly higher when compared with that of the conventional BRT over the temperature range from room temperature to $125^{\circ}C$.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제27권6호
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• pp.383-388
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• 2014

The relay used is gradually increased. Because it is possible to easily control the high voltage and current. Bounce phenomenon is generated in contact during operation relay. As the result, arc is generated at the contact, thereby shortening the contact lifetime. In this study, we analyzed the bouncing phenomenon due to deterioration. It can be seen from the experimental results, and it is minimized at about 100,000 times. Bouncing phenomenon to increase again after the minimization. Consequently, the bouncing related to contact weight and shape of contact surface.