• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
• /
• 한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
• /
• pp.218-221
• /
• 2006

In this paper, a high-voltage generator with several mA draw output currents using LTPS-TFT technology is proposed. The new generator can be efficiently boosted about +18V output voltages with 5mA draw output currents and power efficiency ${\eta}$ is around 84% under the conditions of +5V power-supply voltage and 250kHz frequency.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
• /
• 한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
• /
• pp.1791-1794
• /
• 2006

For system-on-glass (SoG) with low-temperature poly-silicon (LTPS) thin film transistor (TFT), a new system interface architecture and timing controller are developed. With the newly developed system interface architecture, line memory can be eliminated which would take large area of SoG display panel. The system interface and timing controller are targeted for the application for 6-bit gray scale, 60-frames/s qVGA format.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
• /
• 한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
• /
• pp.45-48
• /
• 2006

Effectiveness and its possibility of ELA (Excimer Laser Annealing) for advanced Si TFT system on insulator are described. Currently, extensive study is carried out to realize an advanced SoG (System on Glass) based on LTPS (Low Temperature Poly-Si) technique. By reducing further the process temperature and by improving the fabrication process of LTPS, addressing TFT circuits for FPD (Flat Panel Display) can be mounted onto a flexible plastic as well as onto a glass substrate. Functional devices on the insulating panels are developed to be formed by using ELA. Although technical issues are remained for the fabrication process, Si transistors including 3D TFT structure formed by ELA is expected as a functional Si system on insulator in the ubiquitous IT era.

• 인포메이션 디스플레이
• /
• 제2권1호
• /
• pp.30-35
• /
• 2001

• 인포메이션 디스플레이
• /
• 제12권4호
• /
• pp.15-23
• /
• 2011

• 대한전자공학회논문지SD
• /
• 제44권9호
• /
• pp.54-58
• /
• 2007

LTPS TFT의 개발과 성능 향상은 패널에 다양한 디지털 회로를 내장하는 SOP의 비약적 발전에 기여하였다. 본 논문에서는 일반적으로 적용되는 낮은 성능의 CMOS 논리게이트를 대체할 수 있는 전류모드 논리(CML) 게이트의 설계 방법을 소개한다. CML 인버터는 낮은 로직스윙, 빠른 응답 특성을 갖도록 설계할 수 있음을 보였으며 높은 소비전력의 단점도 동작 속도가 높아질수록 CMOS의 경우와 근사해졌다. 아울러 전류 구동능력을 키울 필요가 없는 까닭에 많은 수의 소자가 사용되지만 면적은 오히려 감소하는 것을 확인하였다. 특히 비반전 및 반전 출력이 동시에 생성되므로 noise immunity가 우수하다. 다수 입력을 갖는 NAND/AND 및 NOR/OR 게이트는 같은 회로에 입력신호를 바꾸어 구현할 수 있고 MUX와 XNOR/XOR 게이트도 같은 회로를 사용하여 구현할 수 있음을 보였다. 결론적으로 CML 게이트는 다양한 함수를 단순한 몇가지의 회로로 구성할 수 있으며 낮은 소비전력, 적은 면적, 개선된 동작속도 등을 동시에 추구할 수 있는 대안임을 확인하였다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
• /
• 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권2호
• /
• pp.1168-1171
• /
• 2007

Integrating systems on TFT-LCD panels is more and more popular for the mobile display application. However, it may not be necessary to use LTPS TFT devices. A-Si TFTs are used to integrate systems on TFT-LCD panels, especially scan (gate) drivers. To further reduce the chip size of driver IC, the triplegate pixel structure is developed. Therefore, the number of the source lines is reduced to 1/3 times.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
• /
• 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권2호
• /
• pp.1340-1343
• /
• 2007

We have simultaneously fabricated LTPS TFTs and integrated photodiodes on the same glass substrates without any additional LTPS process. The structure of an integrated photodiode is a lateral p-i-n diode with a gate. The performances of a photodiode were improved at a negative gate voltage.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
• /
• 한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.II
• /
• pp.1029-1032
• /
• 2005

A 262K-color QVGA LTPS AMLCD was developed. This panel has integrated gate driver and data multiplexer (1:3) by p_Si LTPS TFT process. The commercialized driver IC was adopted to implement this display. Fine image quality, low powerconsumption and cost-efficiency feature make the panel be suitable for mobile application.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
• /
• pp.429-429
• /
• 2010

TFT 제조 방법 중 LTPS (Low Temperature Polycrystalline Silicon)는 저온과 저비용 등의 이점으로 인하여 flat panel display 제작에 널리 사용된다. 이동도와 전류 점멸비 등에서 이점을 가지는 ELA(Excimer Laser Annealing)가 널리 사용되고 있지만, 이 방법은 uniformity 등의 문제점을 가지고 있다. 이를 극복하기 위한 방법으로 MICC(Metal Induced Capping Crystallization)이 사용되고 있다. 이 방법은 $SiN_x$, $SiO_2$, SiON등의 capping layer를 diffusion barrier로 위치시키고, Ni 등의 금속을 capping layer에 도핑 한 뒤, 다시 한번 열처리를 통하여 a-Si에 Ni을 확산시키킨다. a-Si 층에 도달한 Ni들이 seed로 작용하여 Grain size가 매우 큰 film을 제작할 수 있다. 채널의 grain size가 클 경우 grain boundary에 의한 캐리어 scattering을 줄일 수 있기 때문에 MIC 방법을 사용하였음에도 ELA에 버금가는 소자의 성능과 안정성을 얻을 수있었다. 본 연구에서는 large grain TFT의 Gate bias stress에 따른 소자의 안정성 측정 및 분석에 목표를 두었다.