저온동시소성 다층세라믹스 시트 제조시 바인더 함량과 압력 변화에 따른 적층체의 그린밀도, 적층밀도, 바인더 burn out 후 그린밀도, 소결밀도를 고찰하였다. 바인더 함량이 증가함에 따라 slurrly의 유변학적 변화는 그린시트의 유동성 및 충진율을 변화시켜 그린시트의 밀도에 영향을 주었다. 적층 압력을 5~50MPa로 변화시켰을 때 바인더 함량이 12%로 가장 많은 시트의 경우 적층 후 시트의 밀도는 상대적으로 높은 밀도값을 나타내었으나, 바인더 burn out 후에는 상대적으로 낮은 밀도값을 나타내었다. 바인더 함량 변화에 따른 소결 밀도값은 큰 차이를 보이지 않았다.
LTCC 후막공정에서 일반적으로 사용되고 있는 스크린 프린팅 방법은 낮은 정밀도와 100um 이하의 선폭을 구현하는 데 한계를 보이고 있다. 이에 따라서 보다 미세한 라인을 형성 할 수 있는 반도체 미세라인 공정기술을 후막 공정에 응용한 후막 리소그라피 기술 (thick-film lithography technology)이 전자부품의 소형화에 대한 방안으로 연구 되고 있다. 본 연구에서는 후막 리소그라피 기술에 사용되는 감광성 Silver 페이스트에 영향을 미치는 각기 다른 크기와 형상의 Silver 파우더들과 인쇄 후 표면의 roughness 개선을 위한 여러 종류의 첨가제들을 첨가하여 최적의 조성을 연구 하였으며, 그린시트와 페이스트의 매칭성을 해결하기 위해서 Tg가 다른 글라스 파우더를 첨가하였다. 또한 전면 인쇄 한 후에 건조, 노광, 현상, 적층, 소성 과정을 걸치는 후막 리소그라피 기술을 이용하여 소성 후 20um이하의 선폭을 가지는 내장형 패턴 구현하였으며 투과엑스레이와 O/S 테스트 통하여 우수한 특성을 확인 할 수 있었다.
SOP-L 기술은 LTCC기술과 다른 SOP 기술과 비교해서 이종의 물질을 접합하는데 용이하고 공정비용이 저렴하다. 또한 전자제품이나 부품 또는 재료들의 소형화가 많이 이루어지고 있는 추세이다. 본 연구에서는 6 layer의 다층형 diplexer를 제작하여 면압에 따른 층간 두께의 변화를 관찰하였고, 이를 통하여 두께 변화에 따른 특성 값의 변화를 통해 가장 최적화된 공정을 연구해보자고 한다.
The characterization for several multi-layer embedded inductors with different structures was investigated. The optimized equivalent circuit models for several test structures were obtained from HSPICE. Building blocks are modeled using Partial element equivalent circuit method. The mean and the standard deviation of model parameters were extracted and predictive modeling was performed on different test structure. From this study, the characteristic of multi-layer inductors can be predicted.
[ $BaTi_{4}O_9$ ]계 세라믹스에 borosilicate계 유리 프리트를 첨가할 때 주결정상이 $BaTi_{5}O_{11}$로 변화되는 현상을 XRD와 TEM으로 분석하였다. Borosilicate계 유리 프리트가 $BaTi_{4}O_9$상으로부터 Ba 이온을 선택적으로 흡수함으로써 주상인 $BaTi_{4}O_9$ 상보다 Ti-rich인 $BaTi_{5}O_{11}$상으로 변화하는 것으로 추측하였다. 이와 같은 결과는 유리의 첨가량과 열처리 온도에 따라 영향을 받는데 $BaO-TiO_2$계의 Ti-rich 영역에 속하는 $Ba_{4}Ti_{13}O_{30},\;Ba_{2}Ti_{9}O_{20}$ 등의 결정상도 상변화 과정에 참여하고 있음을 관찰하였다. 중-고유전율 LTCC 조성개발을 위하여 유리 첨가에 의한 중-고유전율 모재료의 저온소결을 시도할 때 적정한 저온소결특성을 확보하면서도 상변화를 고려한 유리 프리트 첨가량 제어가 필요함을 알 수 있었다.
ZnWO₄는 높은 품질계수에 의해 주파수 선택성이 뛰어나지만 다층형태의 고주파 무선부품으로의 응용을 위해서는 높은 소결온도(1100℃), 큰 음의 공진주파수 온도계수(-70ppm/℃), 낮은 유전율(15.5) 등에 대한 보정이 필요하다. 본 연구에서는 ZnWO₄에 TiO₂및 LiF를 첨가하여 ZnWO₄의 저손실특성을 유지하면서 주파수 온도안정성 및 저온소결성을 부여하고자 하였다. 큰 양의 공진주파수 온도계수(+400ppm/℃) 및 유전율(100)을 갖는 TiO₂의 첨가는 공진주파수 온도계수를 음의 값에서 양의 값으로 변화시켰으며 유전율의 증가를 가져왔다. TiO₂를 20 mol% 첨가한 경우 공진주파수 온도계수가 0에 가깝고 유전율 19.4에 품질계수 50000㎓의 특성을 얻을 수 있었으나 소결온도는 1100℃로 높은 소결온도를 보였다. ZnWO₄에 TiO₂가 첨가된 혼합체에 LiF의 첨가는 액상형성에 의해 소결온도를 1100℃에서 850℃로 크게 저하시킬 수 있었다. LiF는 첨가는 LiF 자체의 큰 공진주파수 온도계수에 의해 온도계수를 음의 값으로 변화시켰다. 따라서 TiO₂및 LiF의 적당량의 첨가는 온도 안정성을 갖는 저손실 ZnWO₄-TiO₂-LiF 계 LTCC(Low Temperature Confined Ceramics) 소재를 제조할 수 있었다.
[ $ZnWO_4$ ] shows excellent frequency selectivity due to its high quality factor($Q{\times}f$) at microwave frequencies. However, in order to use $ZnWO_4$ as multilayered wireless communication components, its other properties such as sintering temperature($1050^{\circ}C$), ${\tau}_f$ ($-70ppm/^{\circ}C$) and ${\varepsilon}_r(15.5)$ should be modified. In present study, $TiO_2$ and LiF were used to improve the microwave dielectric and sintering properties of $ZnWO_4$. $TiO_2$ additions to $ZnWO_4$ changed ${\tau}_f$ from negative to positive value, and also increased ${\varepsilon}_r$ due to its high ${\tau}_f$ ($+400ppm/^{\circ}C$) and ${\varepsilon}_r$(100). At 20 mol% $TiO_2$ addition, ${\tau}_f$ was controlled to near zero $ppm/^{\circ}C$ with ${\varepsilon}_r=19.4$ and $Q{\times}f=50000GHz$. However, the sintering temperature was still high to $1100^{\circ}C$. LiF addition to the $ZnWO_4+TiO_2$ mixture was greatly reduced the sintering temperature from $1100^{\circ}C$ to $850^{\circ}C$ due to liquid phase formation. Also LiF addition decreased the ${\tau}_f$ value due to its high negative ${\tau}_f$ value. Therefore, by controlling the $TiO_2$ and LiF amount, temperature stable LTCC material in the $ZnWO_4$-TiO_2-LiF$ system could be fabricated.
Indialite/cordierite glass-ceramics demonstrate excellent microwave dielectric properties such as a low dielectric constant of 4.7 and an extremely high quality factor Qf of more than 200 × 103 GHz when crystallized at 1300℃/20 h, which are essential criteria for application to 5G/6G mobile communication systems. The glass-ceramics applied to dielectric resonators, low-temperature co-fired ceramic (LTCC) substrates, and direct casting glass substrates are reviewed in this paper. The glass-ceramics are fabricated by the crystallization of glass with cordierite composition melted at 1550℃. The dielectric resonators are composed of crystallized glass pellets made from glass rods cast in a graphite mold. The LTCC substrates are made from indialite glass-ceramic powder crystallized at a low temperature of 1000℃/1 h, and the direct casting glass-ceramic substrates are composed of crystallized glass plates cast on a graphite plate. All these materials exhibit excellent microwave dielectric properties.
The microwave dielectric properties and low temperature sintering of $Ca[Ti_{1-x}(Ni_{1/3}Nb_{2/3})_x]O_3$ system were investigated at the sintering temperature $1,200\~1,350^{\circ}C$. The density and quality factors $(Q{\times}f)$ increased while dielectric constants slightly decreased with the decrease of Ti. The dielectric constant, quality factor, and temperature coefficient of resonance frequency $(\tau_f)$ were 64, 17,000 GHz, and $-9.1\;ppm/^{\circ}C$ respectively, when $CaTi_{1/2}(Ni_{1/3}Nb_{2/3})_{1/2}O_3$ ceramics were sintered at $1,300^{\circ}C$ for 4 h. $2Li_2O-B_2O_3$ was added to $CaTi_{1/2}(Ni_{1/3}Nb_{2/3})_{1/2}O_3$ to decrease the sintering temperature for LTCC application. The microwave dielectric properties of the samples sintered at $925^{\circ}C$ for 2 h with the addition of $6\;wt\%\;2Li_2O-B_2O_3$ were $\varepsilon_r=48.7,\;Q{\times}f=8,460\;GHz$, and $\tau_f=+5.6ppm/^{\circ}C$. Compatibility test of the composition with silver electrode shows no reaction with silver electrode, implying the feasibility as a high-K LTCC material.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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