• Title/Summary/Keyword: LSI

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소형모터 제어의 동향

  • 대한전기협회
    • JOURNAL OF ELECTRICAL WORLD
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    • no.9 s.93
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    • pp.84-91
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    • 1984
  • 전기에너지를 기기동력으로 변환하여 자유자재로 제어함으로써 정밀한 기기량(위치, 속도, 력) 으로 변환시키는 역할이 모우터이다. 최근 HA, OA, FA 분야는 여러 가지의 제어용모우너(이하 서어보모우터라고함)의 용도가 확대되면서 다양화된 제품개발, 기술개발이 활발하게 이루어지고 있다. 소형서어보모우터의 정의는 명확하지 않으나 통계에 따르면 최근 수년 생산량은 매년 $30{\%}$이상으로 증가했다. 소형서어보의 특징으로서는 (1)마이크로프로세서, 전용LSI를 사용하여 디지털콘트로울러에 의한 고정도화, 고기능화 (2)제어용 모우터의 AC화에 의한 멘터넌스플리이와 고속화 (3)들라이브용 센서이 고성능화 등이 있다. 여기서는 산업용을 대상으로한 서어보모우터의 제어에 초점을 두어 최근의 동향에 대해 개설하기로 한다.

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전력 MOSFET

  • 최연익
    • 전기의세계
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    • v.34 no.5
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    • pp.292-298
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    • 1985
  • 전력 MOSFET은 산업 전반에 걸쳐 수요가 급증하고 있고, 멀지않아 장래에 컴퓨터, 통신, 메카트로닉스, 자동차등의 발달로 인하여 갑작스레 수요가 폭발하리라 예상하고 있다. 전력 MOSFET은 10년도 채 못되는 짧은 역사를 지니고 있기 때문에 국내에는 거의 소개된 바가 없으며, 이를 사용한 시스템을 생산하는 업체도 알려진 바 없다. 그러나, 에너지 자원이 빈곤한 우리나라에서는 전력 MOSFET을 사용한 절전형 전원이나 조절기의 개발이 시급하리라 생각된다. 또한 전력MOSFET은 LSI급의 IC제조시설을 활용하여 제작이 가능하기 때문에, 비교적 소규모 시설 투자에 의해 생산시설을 갖출 수가 있다. 따라서, 국내에서도 반도체 기술의 다양화 측면에서라도 전력MOSFET의 개발을 신중히 검토해야 할 때가 왔다고 생각한다.

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The crystallinity of silicon films deposited at low temperatures with Remote Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition(RPECVD) (원거리 플라즈마 화학증착을 이용한 규소 박막의 결정성)

  • 김동환;이일정;이시우
    • Journal of the Korean Vacuum Society
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    • v.4 no.S1
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    • pp.1-6
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    • 1995
  • Polycrystalline Si films have been used in many applications such as thin film transistors(TFT), image sensors and LSI applications. In this research deposition of Si films at low temperatures with remote plasma enhanced CVD from Si2H6-SiF4-H2 on SiO2 was studied and their crystallinity was investigated. It was condluded that growth of crystalline Si films was favorable with (1) low Si2H6 flow rates, (2) moderate plasma power, (3) moderate SiF4 flow rates, (4) moderate substrate temperature, and (5) suitable method of surface cleaning.

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Noncentral F-Distribution for an M-ary Phase Shift Keying Wedge-Shaped Region

  • Kim, Jung-Su;Chong, Jong-Wha
    • ETRI Journal
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    • v.31 no.3
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    • pp.345-347
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    • 2009
  • This letter presents an alternative analytical expression for computing the probability of an M-ary phase shift keying (MPSK) wedge-shaped region in an additive white Gaussian noise channel. The expression is represented by the cumulative distribution function of known noncentral F-distribution. Computer simulation results demonstrate the validity of our analytical expression for the exact computation of the symbol error probability of an MPSK system with phase error.

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The Development of SOR Lithography Technology

  • Ishihara, Sunao
    • The Magazine of the IEIE
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    • v.22 no.2
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    • pp.37-50
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    • 1995
  • This paper reviews NTT Laboratories' research and development of x-ray lithography during the last ten years since the application of synchrotron orbital radiation(SOR). First, the historical background of x-ray lithograhpy research, NTT's research programs on synchrotron x-ray lithography(SOR lithography), and the current status of NTT's SOR lithography system are overviewed. Then, the key elements of SOR lithography system are reviewed, including the electron storage ring, the x-ray stepper, and the x-ray mask. Finally the appilcation of SOR lithography technology to device fabrication is reported.

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Jisso Technology Roadmap 2001 in Japan

  • Haruta, Ryo
    • Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference
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    • 2001.09a
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    • pp.51-69
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    • 2001
  • Japan Jisso Technology Roadmap 2001 (JJTR2001) was published by JEITA in April 2001. Future electronic products request further higher assembly technology (ex. Finer pitch packages & components, 3D assembly, etc.) to reduce size and improve performance of the electric products. For LSI Packages, finer ball pitch technology and finer chip connection technology will be developed. For electric components, further size reduction will be developed. For Jisso (assembly) machine, finer pitch assembly and short tact time technology will be developed. Mr. Utsunomiya will present PCB roadmap next.

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LSI Packaging Technologies for High-End Computers and Other Applications

  • Inoue, Tatsuo
    • Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference
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    • 2001.09a
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    • pp.147-164
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    • 2001
  • 1. "MLS", state of the art MCM-D wiring substrate. 2. High pin-count LSl assembly. 3. Higher speed needs higher packaging density. 4. Wiring substrate, the key of LSl packaging device. 5. "Inter-Layer Transferability", a new index for the performance of wiring substrates. 6. "MLTF package", a core-less flexible package for high pin-count LSl.

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