• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2009년도 제40회 하계학술대회
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• pp.1605_1606
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• 2009

본 논문은 LED조명기구 방열설계의 열해석에 관한 것으로서 메탈 PCB에 Chip LED를 배치하여 COMSOL Multiphysics로 시뮬레이션한 결과 LED와 PCB의 경계면 온도는 약 $80^{\circ}C$이며, PCB의 바닥면까지는 약 $50^{\circ}C$까지 변화함을 검증 하였으며, 결과적으로 실 제작의 근사치에 가까운 방열설계가 가능함이 확인되었다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제22권4호
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• pp.71-76
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• 2015

최근 Light Emitting Diode (LED)의 효율을 높이기 위한 연구가 활발히 진행 되고 있다. 특히 소자 측면에서는 수평형 LED, 수직형 LED, via-hole 구조의 수직형 LED 등의 다양한 구조가 제시되었다. 본 논문에서는 시뮬레이션을 통해 via-hole 구조의 수직형 LED의 새로운 전극 디자인을 제시하였다. 기존 Via-hole 구조의 수직형 LED의 n-contact hole 주변에 전류가 밀집되는 문제점을 해결하면서 유효 발광면적을 극대화 시켜 소자 전체에 균일한 전류를 주입할 수 있는 소자 디자인에 대해 평가하였다. 시뮬레이션 결과를 바탕으로 최적의 전극 디자인을 실제 디바이스로 제작하여 기존의 via-hole 구조의 수직형 LED와 비교 분석하였다. 최적화된 디자인이 적용된 via hole type 수직형 LED의 경우 기존 디자인에 비해 350 mA 주입시 약 0.2 V의 Forward Voltage 감소하였지만 광 출력은 비슷하여 최종적으로 4.2%의 WPE (Wall plug efficiency)가 향상됨을 보였다.

• 한국버섯학회지
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• 제11권1호
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• pp.24-31
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• 2013

선행연구로서 꽃송이버섯 배지내 LED 조명색에 의한 푸른곰팡이 생육억제 효과는 모든 처리구에서 생육이 억제되었으나 blue 처리구에서 푸른곰팡이균의 포자발생량이 매우 높아 꽃송이버섯 배양에 부적합하다는 것으로 확인되었다. 배양 28일 후 LED 파장에 따른 꽃송이버섯의 균사생장 특성과 LED 파장 색상별 배양시간의 경과에 따른 균사생장 특성을 조사한 결과 모두 red 파장 처리구에서 균사생장이 높은 경향을 나타내었다. 이에 따라 red 파장 범위에서 광량을 달리하여 균사생장 조건을 확인한 결과, 광량 세기가 낮은 1.41 ${\mu}mol/m^2S$ 처리구에서 우수한 균사생장을 나타내었다. 계대배양 실시 여부에 따른 균사생장 특성에서는 실험 전 1회 계대배양을 실시한 처리구에서 유의적인 차이를 나타내었다. 배지조성을 달리한 톱밥배지 내 LED 광량별 균사생장은 미송 처리구에서 높은 경향을 나타내었다. 이를 미송 톱밥배지에서 LED red 2.11 ${\mu}mol/m^2S$의 광량을 처리하였을 경우 84일 배양한 처리구에서 유의적인 차이를 보였다. 상기의 결과를 종합하여 보았을 경우 red 파장 2.11 ${\mu}mol/m^2S$ 광량에서 84일 이상 미송 톱밥배지에서 배양하는 것이 꽃송이버섯 배양에 좋을 것으로 판단되었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제29권4호
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• pp.237-240
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• 2016

The improvement of irradiation intensity and irradiation uniformity is essential for large area and high power UVA light source application. In this study, large number of chips bonded by micro soldering technique were driven by low current, and current limiting diodes were configured to supply constant current to parallel circuits consisting of large number of series strings. The dimension of light source module circuit board was $350{\times}90mm^2$ and 16,650 numbers of 385 nm flip chip LEDs were used with a configuration of 90 parallel and 185 series strings. The space between LEDs in parallel and series strings were maintained at 1.9 mm and 1.0 mm distance, respectively. The size of the flip chip was $750{\times}750{\mu}m^2$ were used with contact pads of $260{\times}669{\mu}m^2$ size, and SAC (96.5 Sn/3.0 Ag/0.5 Cu) solder was used for flip chip bonding. The fabricated light source module with 7.5 m A supply current showed temperature rise of $66^{\circ}C$, whereas irradiation was measured to be $300mW/cm^2$. Inaddition, 0.23% variation of the constant current in each series string was demonstrated.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2004년도 Asia Display / IMID 04
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• pp.676-678
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• 2004

In order to develop new yellow phosphor that emit efficiently under the 450 - 470 nm excitation range, we have synthesized a $Eu^{2+}$-activated $Sr_3SiO_5$ yellow phosphor and investigated an attempt to develop white LEDs by combining it with a InGaN blue LED chip (460 nm). Two distinct emission bands from the InGaN-based LED and the $Sr_3SiO_5$:Eu phosphor are clearly observed at 460 nm and at 570 nm, respectively. These two emission bands combine to give a spectrum that appears white to the naked eye. Our results showed that InGaN (460 nm chip)-based $Sr_3SiO_5$:Eu exhibits a better luminous efficiency than that of the industrially available product InGaN (460 nm chip)-based YAG:Ce.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제17권4호
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• pp.404-409
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• 2004

We fabricated photo-sensor for fluorescence detection in LOC. LOC is high throughput screening system. Our LOC screens biochemical reaction of protein using the immunoassay, and converts biochemical reaction into electrical signal using LIF(Laser Induced Fluorescence) detection method. Protein is labeled with rhodamine intercalating dye and finger PIN photodiode is used as photo-sensor We measured fluorescence emission of rhodamine dye and analyzed tendency of fluorescence detection, according to photo-sensor size, light intensity, and rhodamine concentration. Detection current was almost linearly proportional to two parameters, intensity and concentration, and was inversely proportional to photo-sensor size. Integrated LOC consists of optical-filter deposited photo-sensor and PDMS microchannel detected 50 (pg/${mu}ell$) rhodamine. For integrated LOC including light source, we used green LED as the light source and measured emitted fluorescence.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제23권4호
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• pp.35-41
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• 2016

고출력 LED 조명용 패키지를 제조함에 있어서 발열은 LED의 광출력과 수명에 매우 중요한 영향을 주는 인자로 알려져 있다. 본 연구에서는 가로등용 고출력 LED 패키지를 개발함에 있어서 효과적인 방열을 하기 위하여 방열효과가 상대적으로 우수한 구조인 chip-on-a-heat sink 구조를 가지는 세라믹-메탈 기반의 패키지를 제조하였다. 열확산 기능을 하는 heat sink 기판소재는 알루미늄 합금을, LED 어레이 회로를 형성하는 절연막으로는 저온동시소성용 glass-ceramics을 사용하였다. 특히 열처리 시 가장 이슈가 되는 세라믹-금속 하이브리드 패키지 기판의 휨을 억제하기 위한 수단으로서, glass-ceramic 절연막을 부분 코팅함으로써 휨현상을 용이하게 줄일 수 있게 되었다. 또한, LED 패키지의 방열특성의 향상 즉 열저항도 기존의 MCPCB 패키지나 전면 코팅형 절연막 패키지에 비해 훨씬 낮아지는 효과를 얻었을 뿐 아니라, 세라믹 코팅소재의 절감효과도 볼 수 있게 되었다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제13권10호
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• pp.4757-4761
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• 2012

알루미늄 기판 및 양극산화 공정을 사용하여 LED Chip on Board(COB) 패키지를 제작하였다. 선택적 양극산화 공정을 적용하여 알루미늄 기판 상에 알루미나를 형성하고 이를 COB 패키지 절연층으로 사용하였으며, 비아홀 내부가 충진된 구조의 Thermal Via를 구현하였다. 패키지 기판 종류에 따른 열저항 및 발광효율 변화를 파악하기 위해 알루미늄 기판과 알루미나 기판을 제작하고 이를 각각 비교 분석하였다. Thermal Via가 적용된 알루미늄 기판이 51%의 열저항 개선 및 14%의 발광효율 향상 특성을 보여주었다. 이러한 결과는 선택적 양극산화 공정 및 Thermal Via 구조적용으로 COB 패키지의 방열 특성이 향상되었음을 의미한다. 또한 동일한 전력 소모시 LED 칩 개수에 따른 COB 패키지의 열저항 및 발광효율 변화를 분석함으로써 다수 칩의 효율적인 배치가 열저항 및 발광효율을 증가시킬 수 있음을 확인하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제26권6호
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• pp.488-492
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• 2013

Current limiting diode (CLD) was fabricated using junction field effect transistor (JFET) structured two small cells and eight large cells. Two small cells and eight large cells were connected in parallel and the obtained constant current was 110 mA. The application of CLD in each of the parallel circuits on chip on board (COB) type LED lighting source, could significantly reduce the current deviation within the parallel circuits. The applications of CLD on AC power small lighting source, battery power low voltage parallel lighting source and AC flat lighting source were investigated.

• International Journal of Internet, Broadcasting and Communication
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• 제7권2호
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• pp.161-167
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• 2015

The performance of high power LEDs highly depends on the junction temperature. Operating at high junction temperature causes elevation of the overall thermal resistance which causes degradation of light intensity and lifetime. Thus, appropriate thermal management is critical for LED packaging. The main goal of this research is to improve thermal resistance by optimizing and comparing nano-pore silicon-based thermal substrate to insulated metal substrate and direct bonded copper thermal substrate. The thermal resistance of the packages are evaluated using computation fluid dynamic approach for 1 W single chip LED module.