• 조명전기설비학회논문지
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• 제29권1호
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• pp.1-8
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• 2015

To produce the white light, there are a single chip method using the blue light and phosphor coating, a multi chip method by mixing R, G, B light.. Multi chip method is proper for the smart lighting system by controling color and color temperature. And color rendering of single chip LED is good by even spectral distribution. To apply application technic like smart light system, this paper analyzed the properties of single chip LED and RGB multi chip LED, and implemented the 2 part subject evaluation for single chip LED and RGB multi chip LED. The first part is comparison of properties for single chip LED and RGB multi chip and second part is color appearance evaluation of 8 colors in each lighting environment.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제14권3호
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• pp.13-22
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• 2015

LED (Light Emitting Diode) lighting is gaining more and more market penetration as one of the global warming countermeasures. LED is the next generation of fusion source composed of epi/chip/packaging of semiconductor process technology and optical/information/communication technology. LED has been applied to the existing industry areas, for example, automobiles, TVs, smartphones, laptops, refrigerators and street lamps. Therefore, LED makers have been striving to achieve the leading position in the global competition through development of core source technologies even before the promotion and adoption of LED technology as the next generation growth engine with eco-friendly characteristics. However, there has been a point of view on the cost compared to conventional lighting as a large obstacle to market penetration of LED. Therefore, companies are developing a Chip-Scale Packaging (CSP) LED technology to improve performance and reduce manufacturing costs. In this study, we perform patent analysis associated with Flip-Chip CSP LED and flow chart for promising technology forecasting. Based on our analysis, we select key patents and key patent players to derive the business strategy for the business success of Flip-Chip CSP PKG LED products.

• 한국진공학회지
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• 제12권4호
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• pp.235-238
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• 2003

기존 LED display는 서로 다른 구동전압과 열화특성을 갖는 적색, 녹색, 청색 LED를 이용하여 픽셀을 구성하므로 제어회로의 구성이 복잡하고, 동작시간의 경과에 따라 색깔 별로 디스플레이 특성이 변하게 되어 full color display를 추구하는데 큰 문제점으로 지적된다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여 짝은 파장을 갖는 LED 칩을 여기광원으로 하고, 이 칩 위에 적색, 녹색, 청색형광체를 혼합하여 에폭시와 골고루 섞어 도포하도록 고안한 LED 램프에 대하여 연구하였다. 제작한 여기광원의 활성층은 InGaN으로 구성되어 있으며 중심파장이 408 nm, FWHM 이 13 nm, CIE 색도좌표값이(0.198, 0.087)이다. 형광체와 첨가하는 에폭시의 질량비를 조절하여 백색 LED 램프를 구현하였으며, 질량비에 따라 LED 램프의 CIE 색도좌표가 변하는 것을 확인하였다.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제25권12호
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• pp.34-41
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• 2011

In order to understand the thermal performance of each LED chips in multi-chip LED package, a quantitative parametric analysis of the temperature evolution was investigated by thermal transient analysis. TSP (Temperature Sensitive Parameter) value was measured and the junction temperature was predicted. Thermal resistance between the p-n junction and the ambient was obtained from the structure function with the junction temperature evolution during the cooling period of LED. The results showed that, the thermal resistance of the each LED chips in 4 chip-LED package was higher than that of single chip- LED package.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제15권8호
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• pp.5195-5200
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• 2014

최근 백색 LED는 각종 조명등의 응용 시스템에 크게 사용되고 있다. 백색 LED 칩을 만들기 위하여 실리콘과 형광체를 배합하여 청색 LED 칩 위에 도포하는 공정이 필요한데, 이때 배합의 오류, 실리콘의 상온 노출 시간의 경과, 청색 칩 특성의 변화 등의 원인으로 버려지는 형광체가 있어 이것이 원가 절감에 악영향을 미치고 있다. 본 연구에서는 버려지는 형광체의 재생공정을 통하여 제조된 LED와 정상형광체의 LED의 특성을 비교하고, 이들을 이용하여 실 응용 제품인 LED 손전등에 적용하여 그 특성의 동일함을 얻었다. 재생과 정상 형광체의 특성에서 광량 저하량 3.2[Cd]와 3.6[Cd], 색감 저하량 57[K]와 58[K]를 보였고, LED의 실제 응용제품에 적용한 결과 최대 백색파장 444.3[nm]와 449.8[nm]를 나타내어 재생형광체의 LED가 정상의 것과 동일한 특성을 보여 원가절감에 큰 기여를 할 것으로 나타났다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제28권10호
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• pp.676-681
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• 2015

Recently many studies being carried out to increase the light efficiency of LED. The external quantum efficiency of LED, generally the light efficiency, is determined by the internal quantum efficiency and the light extraction efficiency. The internal quantum efficiency of LED was already reached to more than 90%, but the light extraction efficiency is still insufficient compared with the internal quantum efficiency because the total internal reflection is generated in the interface between the LED chip and air. Thus, we studied about flip chip LED with PSS and performed the optical simulation which find more optimized PSS for flip chip LED to increase the light extraction efficiency. Decreasing of the total internal reflection and effect of diffused reflection according to PSS improved the light extraction efficiency. To get more higher the efficiency, we simulated flip chip with PSS that the parameters are arrangement, edge spacing, radius, height and shape of PSS.

• 한국진공학회지
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• 제21권4호
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• pp.185-192
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• 2012

Light Emitting Diode (LED) 칩의 크기는 전도를 통한 열의 방출에 있어 면적의 확대로 인한 열 밀도의 감소와 칩의 외부양자효율 변화로 인하여 LED 칩의 p-n 정션 온도와 패키지의 열 저항에 영향을 미친다. 본 연구에서는 16칩 LED 패키지에서 칩의 크기가 0.6 mm와 1 mm인 두 가지 경우에 대하여 순전압(forward voltage)을 측정하였고, 순간열분석법(thermal transient analysis)을 이용하여 정션 온도와 열 저항을 평가하였으며, 이를 LED 칩의 전기적인 특성과 LED 패키지의 구조적인 특성과 연관하여 해석하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.356-356
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• 2012

InGaN/GaN로 제작된 Blue chip의 파장에 따른 백색 LED의 성능 저하를 전기적, 광학적 특성을 고려하여 조사하였다. 4가지 파장으로 제작된 백색 LED Sample들은 60 mA, 75 mA, 90 mA의 주입 전류로 장 시간동안 스트레스를 주었다. 또한 형광체가 없는 상태와 있는 상태를 구분하여 패키지의 감쇠 특성을 확인하였다. Blue 피크 파장 437 nm, 주입전류 90 mA, 형광체가 있는 상태와 형광체가 없는 상태에서 패키지의 출력 광세기는 각각 20%, 36%까지 감소하였다. 이는 Blue Chip에서 출력되는 단파장이 페키지 몰드의 노화(황변)현상에 직접적인 영향을 주기 때문이다. 전기적 특성은 Blue chip의 파장영역에 의존하지 않고, 스트레스 시간에 따른 LED내부 저항이 커지는 현상을 확인하였다. 따라서 InGaN/GaN로 제작된 백색 LED의 장 수명을 얻기 위해서는 Blue chip의 출력 파장 영역과 페키지 몰드 재료 특성의 신뢰성 관계가 중요하다.

• 전기학회논문지
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• 제57권12호
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• pp.2276-2280
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• 2008

In this paper, we present thermal dependancy of LED package element by changing temperature of MCPCB for design high efficiency LED lamp, and confirmed influence of LED chip against temperature with analysis of thermal resistance and thermal capacitance. As increasing temperature, WPOs were decreased from 25 to 22.5 [%] and optical power were also decreased. that is decreased reason of optical power that forward voltage was declined by decrease of energy bandgap. Therefore optical power by temperature of MCPCB should consider to design lamp for street light and security light. Moreover, compensation from declined optical efficiency is demanded when LED package is composed. Also, thermal resistances from chip to metal PCB were decreased from 12.18 to 10.8[$^{\circ}C/W$] by changing temperature. Among the thermal resistances, the thermal resistance form chip to die attachment was decreased from 2.87 to 2.5[$^{\circ}C/W$] and was decreased 0.72[$^{\circ}C/W$] in Heat Slug by chaning temperature. Therefore, because of thermal resistance gap in chip and heat slug, reliability and endurance of high power LED affect by increasing non-radiative recombination in chip from heat.

• 한국광학회지
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• 제22권3호
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• pp.141-150
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• 2011

현재까지 더 좋은 성능의 LED 램프 패키지 구조의 개발을 위해 많은 연구가 진행되어 왔음에도 불구하고 아직 LED 램프 패키지 설계에 관한 표준화된 이론이나 지침 같은 것들이 마련되지 못한 것으로 판단된다. 이에 본 논문에서는 먼저 Monte Carlo photon simulation 기법을 이용하여 InGaN/Sapphire LED의 칩 구조 및 Epi-up 혹은 Epi-down 칩 부착 방식을 광추출효율 관점에서 분석하였다. 그리고 분석결과를 바탕으로 LED 램프 패키지 설계에 관한 기본 지침을 마련하였다. 이와 같이 마련된 설계지침은 관련 기업이나 연구기관에서, LED 램프의 구체적 응용분야에 따라 최적화된 패키지 구조를 설계하는 데에 중요하게 활용될 수 있을 것으로 기대된다.