• 한국전자파학회논문지
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• 제19권4호
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• pp.484-491
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• 2008

본 논문에서는 LDMOS FET를 이용하여 스위칭 방식의 L-대역 고속 펄스 고전력 증폭기를 설계하고 제작하였다. 이를 위해 LDMOS FET의 드레인 전원을 스위칭하기 위한 고전압 스위칭 회로를 제안하였다. LDMOS FET를 이용한 펄스 고전력 증폭기는 단일 전원을 사용하고, 소자 특성상 이득과 출력이 높기 때문에 기존의 GaAs FET를 사용한 증폭기에 비해 구조가 간단하며, 사용 전압($V_{ds}=26{\sim}28\;V$)에 비해 최대 허용 전압(65 V)이 $2{\sim}3$배 높아 스위칭 방식에 적합하다. LDMOS FET를 이용하여 제작된 1.2 GHz 대역 100 W 펄스 증폭기는 펄스 폭이 2 us, PRF가 40 kHz의 출력 신호에서 상승 시간이 28.1 ns, 하강 시간이 26.6 ns로 측정되었다.

• 한국전자파학회:학술대회논문집
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• 한국전자파학회 2005년도 종합학술발표회 논문집 Vol.15 No.1
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• pp.81-86
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• 2005

In this paper, we present an efficiency extension of Doherty power amplifier using LDMOS FET devices with different peak output powers and an unequal power divider. The amplifier is designed by using a MRF21045 with P1 dB of 45 W as the main amplifier biased for Class-AB operation and a MRF21090 with P1 dB of 90 W as the peaking amplifier biased for Class-C operation. The input power is divided into a 1:1.5 power ratio between the main and peaking amplifier. The simulated results of the proposed Doherty amplifier shows an efficiency improvement of approximately 19 % in comparison to the class-AB amplifier at an output power of 42.5 dBm. The fabricated Doherty amplifier obtained a PAE of 33.68 % at 9 dB backed off from P1 dB of 51.5 dBm.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제10권1호
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• pp.13-20
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• 2015

종래의 LDMOS를 사용한 전력증폭기는 AB-급 및 도허티 방식으로 60MHz 대역폭의 협대역에서 55%의 효율을 보여주고 있으나, 기지국의 전력증폭 모듈의 RRH의 적용에 따라 100MHz이상의 대역확장과 60%이상의 고효율 전력증폭기를 요구하고 있으므로, 본 연구에서는 LDMOS FET를 이용한 J-급 전력증폭기를 설계하여 200MHz대역에서 60%이상의 고효율 특성을 나타내었다. 설계한 J-급 전력증폭기는 2차 고조파 부하가 순수한 리액턴스 성분만을 포함하고 작은 양호도 Q 값을 갖도록 출력단 정합회로를 최적화 시켰다. 측정결과 WCDMA 주파수 대역을 포함한 2.06~2.2GHz에서 연속파 신호를 입력하였을 때 62~70%의 전력 부가효율(PAE)의 특성을 갖는 10W급 J-급 전력증폭기를 구현하였다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제16권5호
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• pp.254-259
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• 2015

This paper reports the optimized mixed-signal performance of a high-voltage (HV) laterally double-diffused metaloxide-semiconductor (LDMOS) field-effect transistor (FET) with a dual gate oxide (DGOX). The fabricated device is based on the split-gate FET concept. In addition, the gate oxide on the source-side channel is thicker than that on the drain-side channel. The experiment results showed that the electrical characteristics are strongly dependent on the source-side channel length with a thick gate oxide. The digital and analog performances according to the source-side channel length of the DGOX LDMOS device were examined for circuit applications. The HV DGOX device with various source-side channel lengths showed reduced by maximum 37% on-resistance (R_ON) and 50% drain conductance (g_ds). Therefore, the optimized mixed-signal performance of the HV DGOX device can be obtained when the source-side channel length with a thick gate oxide is shorter than half of the channel length.

• 한국항해항만학회지
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• 제30권5호
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• pp.351-356
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• 2006

본 논문에서는 마이크로파 대역의 주파수를 이용해 고효율 도허티 전력 증폭기를 설계 및 제작하였다. 도허티 전력증폭기는 MRF 281 LDMOS FET를 사용하여 구현하였고, 도허티 전력 증폭기의 성능을 AB급 증폭기만 있을 때와 비교하였다. 측정결과, 구현한 도허티 전력 증폭기는 P1dB 출력전력이 2.3GHz 주파수에서 33.0dBm을 가진다. 또한, 도허티 증폭기는 주파수 $2.3GHz\sim2.4GHz$에서 이득은 11dB, 입력 반사손실 -17.8dB를 얻었다. 설계된 도허티 증폭기는 AB급 증폭기만 있을 때와 비교해서 평균 PAE는 10% 이상 개선됨을 보였고, 설계된 도허티 증폭기의 최대 PAE는 39%를 갖는다.

• 한국정보통신설비학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신설비학회 2008년도 정보통신설비 학술대회
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• pp.403-408
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• 2008

In this paper, the high efficiency and linearity Doherty power amplifier using DGS and adaptive bias technique has been designed and realized for 2.3GHz WiBro applications. The Doherty amplifier has been implemented us-ing silicon MRF 281 LDMOS FET. The RF performances of the Doherty power amplifier (a combination of a class AB carrier amplifier and a bias-tuned class C peaking amplifier) have been compared with those of a class AB amplifier alone, and conventional Doherty amplifier. The Maximum PAE of designed Doherty power amplifier with DGS and adaptive bias technique has been 36.6% at 34.01dBm output power. The proposed Doherty power amplifier showed an improvement 1dB at output power and 7.6% PAE than a class AB amplifier alone.

• 한국항해항만학회:학술대회논문집
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• 한국항해항만학회 2006년도 춘계학술대회 및 창립 30주년 심포지엄(논문집)
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• pp.91-96
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• 2006

본 논문에서는 마이크로파 대역의 주파수를 이용해 고효율 도허티 전력 증폭기를 설계 및 제작하였다. 도허티 전력증폭기는 MRF 281 LDMOS FET를 사용하여 구현하였고, 도허티 전력 증폭기의 성능을 AB급 증폭기만 있을 때와 비교하였다. 측정결과, 구현한 도허티 전력 증폭기는 PldB 출력전력이 2.3GHz 주파수에서 33.0dBm을 가진다. 또한, 도허티 증폭기는 주파수 $2.3GHz{\sim}2.4GHz$에서 이득은 11dB, 입력 반사손실-17.8dB를 보인다. 설계된 도허티 증폭기는 AB급 증폭기만 있을 때와 비교해서 평균 PAE는 10% 이상 개선됨을 보였고, 설계된 도허티 증폭기의 최대 PAE는 39%를 갖는다.