Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D
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v.35D
no.1
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pp.49-58
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1998
In this paper, a new equivalent circuit model for quantum-well laser diode (LD) is proposed. The model includes carrier transport effects in the SCH region, and rprovides, in a stable and accurate manner, large-and small-signal responses of laser diode output power as function of injected currents. SPICE simulation was performed using the circuit model and results are presented for L-I characteristics, pulse and frequency responses under various conditions. It is expencted that the new equaivalent circuit model will find useful applications for designing and analyzing OEIC, LD driver circuits, and LD packaging.
Relief of thermal stress has received great attention, to improve the beam quality and stability of high-power laser diodes. In this paper, we investigate a microtrench structure engraved around a laser-diode chip-on-submount (CoS) to relieve the thermal stress on a laser-diode bar (LD-bar), using the SolidWorks® software. First, we systematically analyze the thermal stress on the LD-bar CoS with a metal heat-sink holder, and then derive an optimal design for thermal stress relief according to the change in microtrench depth. The thermal stress of the front part of the LD-bar CoS, which is the main cause of the "smile effect", is reduced to about 1/5 of that without the microtrench structure, while maintaining the thermal resistance.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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v.17
no.6
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pp.72-77
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1980
We analyze several problems concerning the operation of the optical feedback prebias control scheme in the loser diode optical transmitter and present a LD simulation circuit as a way of adjusting the component's optimum value without using the Laser - triode. 1.5% light power decrease was observed between the temperature range of $0^{\circ}C$ and 36$^{\circ}C$ in which the total light power of LD was used for feedback loop and fairly good operation was demonstrated when a star coupler was employed as a beamsplitter by which approximately 1% portion of the light power was feedbacked.
Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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2005.10a
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pp.926-929
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2005
Recently, laser interferometer is widely used as a measuring system in many fields because of its high resolution and its ability to measure a board area in real-time ail at once. In conventional laser interferometer, for examples Out of plane ESPI, In plane ESPI, Shearography and Holography, it uses PZT or other components as a phase shift instrumentation to extract 3-D deformation data, vibration mode and others. However, in most cases PZT has some disadvantages, which include noli-linear errors and limited time of use. In present study, a new type of laser interferometer using a laser diode(LD) is proposed. Using Laser Diode Sinusoidal Phase Modulating(LD-SPM) interferometer, the phase modulation can be directly modulated by controlling the LD injection current thereby eliminating the need for PZT components.
Ki, Hyun-Chul;Kim, Seon-Hoon;Hong, Kyung-Jin;Kim, Hwe-Jong
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.22
no.3
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pp.248-251
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2009
We have investigated the effect of the quality of 1.3 um distributed feed back laser diode (DFB-LD) on the design of anti-reflection (AR) coatings. Optimal condition of AR coating to prevent internal feedback from both facets and reduce the reflection-induced intensity noise of laser diode was simulated with Macleod Simulator. Coating materials used in this work were ${Ti_3}{O_5}$ and $SiO_2$, of which design thickness were 105 nm and 165 nm, respectively. AR coating films were deposited by Ion-Assisted Deposition system. The electrical and optical properties of 1.3 um laser diode were characterized by Bar tester and Chip tester. Threshold current and slop-efficiency of DFB-LD were 27.56 mA 0.302 W/A. Far field pattern and wavelength of DFB-LD were $22.3^{\circ}(Horizontal){\times}24.4^{\circ}$ (Vertical), 1313.8 nm, respectively.
The heat distribution in crystals in a 2-㎛ acousto-optic Q-switched Tm:LuAG laser pumped by pulsed-laser-diode (pulsed-LD) intermittent-pumping technology was analyzed using COMSOL software. The thermal lensing effect of the Tm:LuAG crystal can be mitigated by pulsed-LD intermittent-pumping techniques. An experimental setup using this kind of approach achieved maximum output energy of 8.31 mJ, minimum pulse width of 101.9 ns, and highest peak power of 81.55 kW, reached at a Q-switched repetition rate of 200 Hz. It offers significant improvement of performance of the output laser beam, compared to pulsed-LD double-ended pumping technology at the same repetition rate.
A dual-mode laser terahertz source consisting of two in-line distributed Bragg reflector (DBR) laser diodes (LD) is proposed. It is less susceptible to residual reflections from facets than an in-line dual-mode distributed feedback (DFB) LD. The characteristics of the proposed terahertz source are theoretically investigated using a split-step time-domain simulation. It is shown that terahertz waves of frequencies from 385 GHz to 1725 GHz can be generated by appropriate thermal tuning of two DBR LDs. The dual-mode DBR LD terahertz source exhibits good spectral quality for residual facet reflectivity below 0.02, but facet reflectivity of the in-line dual-mode DFB LD terahertz source should be below 0.002 to provide similar spectral quality.
Auto focusing system to find optimized focal position of laser beam used for material process has been investigated by using fiber confocal method. Wavelength of laser diode (LD) and diameter of single-mode fiber are 780nm and $5.3{\mu}m$, respectively. Intensity distributions of beam reflected from the surface of mirror and silicon bare wafer have been observed in a gaussian form. Experimental results show that focal position obtained by LD is shifted from one observed from surface scribed by laser about $80{\mu}m$. It is due to the difference of wavelength and each divergence of between LD and laser used for material process. It is confirmed that auto focusing control system through position calibration has operated steadily.
We have investigated the lasing characteristics of the InGaAs quantum dot laser diode (QD-LD) and InGaAs quantum well laser diode (QW-LD) operated at the 980 nm wavelength range. The 980-nm lasers are used as a pumping source for a erbium-doped fiber amplifier (EDFA) and it shows high efficiency in long-haul optical fiber network. We have compared the threshold current density, the characteristic temperature, the optical power and the internal efficiency of QD-LD and QW-LD under a pulsed current condition. The QD-LD shows superior performances to the QW-LD. Further optimization of a LD structure is expected to the superior performances of a QD-LD.
An external optical modulation using absorption s in a Fabry-Perot laser diode (FP-LD), has been proposed and experimentally demonstrated for multicasting in a WDM-PON. The center wavelengths of absorption s in an FP-LD move to short-wavelength rapidly by only a small current (~1 mA) injection. If the current injection is stopped, the s move back to the original position. Such a movement of the s can make the FP-LD act as an external optical modulator, which is found to modulate at a maximum modulation speed of 800 Mbps or more. For a multicasting transmitter in a WDM-PON, the proposed modulator can be cost-effectively applied to a multi-wavelength laser source with the same periodicity of the longitudinal mode. Instead of the multi-wavelength laser source, tunable-LDs are used for experiments. The 32 channel multicasting system with the proposed modulator has been demonstrated, showing power penalties of 1.53~4.15 dB at a bit error rate of $10^{-9}$ with extinction ratios better than 14.5 dB at 622 Mbps.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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