Proton irradiation technology was used for improvement of switching characteristics of the PT-IGBT. Proton irradiation was carried out at 5.56 MeV energy with $1{\times}10^{12}/cm^2$ doze from the back side of the wafer. The I-V, breakdown voltage, and turn-off delay time of the device were analyzed and compared with those of un-irradiated device and e-beam irradiated device which was conventional method for minority carrier lifetime reduction. For proton irradiated device, the breakdown voltage and the on-state voltage were 733 V and 1.85 V which were originally 749 V and 1.25 V, respectively. The turn-off time has been reduced to 170 ns, which was originally $6{\mu}s$ for the un-irradiated device. The proton irradiated device was superior to e-beam irradiated device for the breakdown voltage and the on-state voltage which were 698 V and 1.95 V, respectively, nevertheless turn-off time of proton irradiated device was reduced to about 60 % compared to that of the e-beam irradiated device.
Local minority carrier lifetime control by means of particle irradiation is an useful technology for Production of modern silicon Power devices. Crystal damage due to ion irradiation can be easily localized by choosing appropriate irradiation energy and minority tarrier lifetime can be reduced locally only in the damaged layer. In this work, proton irradiation technology was used for improving the switching characteristics of a un diode. The irradiation was carried out with various energy and dose condition. The device was characterized by current-voltage, capacitance-voltage, and reverse recovery time measurements. Forward voltage drop was increased to 1.1 V at forward current of 5 A, which was $120\%$ of its original device. Reverse leakage current was 64 nA at reverse voltage of 100 V, and reverse breakdown voltage was 670 V which was the same voltage as original device without irradiation. The reverse recovery time of device was reduced to about $20\%$ compared to that of original device without irradiation.
CIGS박막 태양전지의 온도에 의한 효율과 전기적 특성 변화를 알아보기 위해 $25^{\circ}C$, $50^{\circ}C$, $100^{\circ}C$, $150^{\circ}C$, $200^{\circ}C$에서 각각 100시간을 노출시킨 후 전기적인 특성들을 측정하여 초기 값들과 비교하였다. 태양전지의 온도 스트레스에 의한 특성 및 파라미터들의 변화들을 확인하기 위해 Light I-V와 Minority Carrier의 Lifetime을 측정하여 비교 분석하였다. 실험에 사용한 소자의 초기 파라미터들은 $25^{\circ}C$에서 측정하였고, 단락전류 11mA, 개방전압 0.64V, 곡선인자 60.49%, Lifetime 10.7s 효율 9.17%이다. 각 온도별 노출에 대해 CIGS박막 태양전지의 효율은 $50^{\circ}C$, $100^{\circ}C$에서는 초기 값과 비슷하였고, $150^{\circ}C$, $200^{\circ}C$에서 초기 값 대비 54%, 84% 감소 특성을 보였다. 단락전류는 $50^{\circ}C$, $100^{\circ}C$, $150^{\circ}C$에서는 크게 변화하는 모습이 나타나지 않았고 $200^{\circ}C$에서 63% 감소하였다. 개방전압, 곡선인자, Lifetime은 효율과 마찬가지로 $150^{\circ}C$, $200^{\circ}C$에서 감소하는 모습이 나타났다. $150^{\circ}C$, $200^{\circ}C$에서 개방전압이 9.3%, 18.7%, 곡선인자는 45.8%, 56.3%정도 감소하였다. Lifetime은 64.4%, 80.1%정도 감소하였다. 이 실험을 통해 개방전압과 곡선인자, Minority Carrier의 Lifetime이 일정 온도부터 온도의 영향을 받아 감소하고, 그 영향으로 효율이 감소하게 되는 것을 확인하였다.
In this paper, the new LIGBT structures with trap injection are proposed to improve switching characteristics of the conventional SOI LIGBT. The Simulations are performed in order to investigate the effects of the positiion, whidth and concentration of trap injection region with a reduced minority carrier lifetime using 2D device simulator MEDICI. Their electrical characteristics are analyzed and the optimum design parameters are extracted. As a result of simulation, the turn off time for the model A with the trap injection is $0.78\mus$. These results indicate the improvement of about 2 times compared with the conventional SOI LIGBT because trap injection prevents minority carriers which is stored in the n-drift region during turn off switching. The latching current is $1.5\times10^{-4}A/\mum$ and forward blocking voltage is 168V which are superior to those of conventional structure. It is shown that the trap injection is very effective to reduce the turn off time with a little increasing of on-state voltage drop if its design and process parameters are optimized.
The purpose of this study is to investigate the characteristics of fur and leather clothes of minority races of China in Northeas and Inner Mongolia. To examine their characteristics, the clothes and ornaments were classified into four types: headwear, clothes, footwear, and accessories. First, headwear was divided into animal head-shaped, petal-shaped, round-shaped, and cone-shaped head wear. Among them, the animal head-shaped headwear was made by making the best use of the shape of animal's head and it was used as the best disguising method when hunting. Second, clothes were composed of upper garments and lower garments. For the upper garments, Po and Jeogori were worn and pants were worn for the lower garments. The clothes were decorated with lining, applique, or top-stitching on the outer collar, neck circumference, and the edge of sleeves and pants. Third, for the footwear, high boots of leather were developed to meet the needs for a convenient life in the plains. In some areas, fur shoes and leather shoes were also used. Finally, accessories included bags and gloves. Bags were usually decorated with fur on the outside or with a fringe or applique of tanned leather. Gloves were lavishly decorated with embroideries and partly with fur or leather.
Due to its high production cost and relatively high energy consumption during the Siemens process, poly-silicon makers have been continuously and eagerly sought another silicon route for decades. One candidate that consumes less energy and has a simpler acidic and metallurgical purification procedure is upgraded metallurgical-grade (UMG) silicon. Owing to its low purity, UMG silicon often requires special steps to minimize the impurity effects and to remove or segregate the metal atoms in the bulk and to remove interfacial defects such as precipitates and grain boundaries. A process often called the 'gettering process' is used with phosphorus diffusion in this experiment in an effort to improve the performance of silicon solar cells using UMG silicon. The phosphorous gettering processes were optimized and compared to the standard POCl process so as to increase the minority carrier lifetime(MCLT) with the duration time and temperature as variables. In order to analyze the metal impurity concentration and distribution, secondary ion mass spectroscopy (SIMS) was utilized before and after the phosphorous gettering process.
Recently a new high power device GCT (Gate Commutated Turn-off) thyristor has been successfully introduced to high power converting application areas. GCT thyristor has a quite different turn-off mechanism to the GTO thyristor. All main current during turn-off operation is commutated to the gate. Therefore, IGCT thyristor has many superior characteristics compared with GTO thyristor; especially, snubberless tum-off capacibility and higher turn-on capacibility. The basic structure of the GeT thyristor is same as that of the GTO thyristor. This makes the blocking voltage higher and controllable on-state current higher. The turn-off characteristic of the GCT thyristor is influenced by the minority carrier lifetime and the performance of the gate drive unit. In this paper, we present turn-off characteristics of the 2.5kV PT(Punch-Through) type GCT as a function of the minority carrier lifetime and variation of the doping profile shape of p-base region.
This paper presents a proper condition to achieve above 19 % conversion efficiency using PC1D simulator. Cast poly-Si wafers with resistivity of 1 $\Omega$-cm and thickness of 250 ${\mu}{\textrm}{m}$ were used as a starting material. Various efficiency influencing parameters such as rear surface recombination velocity and minority carrier diffusion length in the base region, front surface recombination velocity, junction depth and doping concentration in the Emitter layer, BSF thickness and doping concentration were investigated. Optimized cell parameters were given as rear surface recombination of 1000 cm/s, minority carrier diffusion length in the base region 200 ${\mu}{\textrm}{m}$, front surface recombination velocity 100 cnt/s, sheet resistivity of emitter layer 100 $\Omega$/$\square$, BSF thickness 5 ${\mu}{\textrm}{m}$, doping concentration 5$\times$10$^{19}$ cm$^3$ . Among the investigated variables, we learn that a diffusion length of base layer acts as a key factor to achieve conversion efficiency higher than 19 %. Further details of simulation parameters and their effects to cell characteristics are discussed in this paper.
불균형 자료 문제에 대한 해결책으로 SMOTE (synthetic minority over-sampling technique)가 가장 많이 사용되고 있다. SMOTE는 유클리드 거리를 기반으로 가장 가까운 이웃을 선택한다. 그러나 유클리드 거리의 단점 중 하나는 변수들 간의 상관관계를 고려하지 않는다는 것이다. 이에 대한 대안으로 변수 간의 공분산을 고려하는 마할라노비스 거리가 제안되었다. 그러나 이상치가 존재하는 경우, 대개 마할라노비스 거리를 계산하는 데 영향을 미친다. 이 문제를 해결하기 위해 최소 공분산 행렬 MCD (minimum covariance determinant)를 사용하여 공분산 행렬을 추정하여 마할라노비스 거리를 사용한다. 이후 MCD를 활용한 마할라노비스 거리를 SMOTE에 적용하여 새로운 관측치를 생성한다. 대부분의 경우 이 방법이 불균형 자료를 분류하는 데 높은 성능 지표를 제공함을 보여주었다.
This study was described and analyzed health care system in Lao Cai, Vietnam. We analyze organization and delivery of health care system, health care resources, heath care facilities, heath care finances, and health index in Lao Cai, Vietnam. Lao Cai Province is a mountainous region located on the Chinese border in North-West Vietnam, with numerous ethnic minority groups. Health care organization and delivery system in Lao Cai Province is well formed Province-District-Commune level with Vietnam Government's Socialism. However, health care personnels are concentrated in the major city and is lacking in commune level. Lao Cai province has only two general hospital and is lacking number of beds. Lao Cai province's health care sector is insufficient financial support because the primary goal of the Vietnam government is economic development. Ethnic minority groups in Lao Cai have a dual burden of disease and health. To solve this problem, it is dispatched health care personnel to the commune level taking advantage of the well health care organization and delivery system in Lao Cai. It is also necessary to modernize hospital and improve number of bed. In conclusion, it will be improved the quality of life of residents and be able to achieve fairness among district through the enhancement of the health care system in Lao Cai province.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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