• 전기화학회지
• /
• 제5권2호
• /
• pp.86-92
• /
• 2002

속도론적 관점에서 키네틱 몬테 카를로 방법의 전기화학적 리튬 인터칼레이션에로의 응용에 대하여 다루었다. 우선 키네틱 몬테 카를로 방법과 전이상태이론의 기본 개념을 소개하였고, 확산거동을 평가하기 위한 시뮬레이션 과정을 설명하였다. 마지막으로 인터칼레이션 화합물중 $LiMn_2O_4$전극에 대해 전류 추이곡선과 선형 포텐셜 전류곡선을 해석하기 위해서 전이상태이론에 근거한 키네틱 몬테 카를로 방법을 셀-저항 제어조건하에서 사용하였다. 이로부터 키네틱 몬테 카를로 방법이 전기화학분야에서 리튬 인터칼레이션의 속도론적 연구에 매우 유용함을 알 수 있었다.

• 대한화학회지
• /
• 제62권3호
• /
• pp.191-202
• /
• 2018

The aim of this work is to study Monte Carlo simulation of ethylene (co)polymerization over Ziegler-Natta catalyst as investigated by Chen et al. The results revealed that the Monte Carlo simulation was similar to sum square error (SSE) model to prediction of stage II and III of polymerization. In the case of activation stage (stage I) both model had slightly deviation from experimental results. The modeling results demonstrated that in homopolymerization, SSE was superior to predict polymerization rate in current stage while for copolymerization, Monte Carlo had preferable prediction. The Monte Carlo simulation approved the SSE results to determine role of each site in total polymerization rate and revealed that homopolymerization rate changed from site to site and order of center was different compared to copolymerization. The polymer yield was reduced by addition of hydrogen amount however there was no specific effect on uptake curve which was predicted by Monte Carlo simulation with good accuracy. In the case of copolymerization it was evolved that monomer chain length and monomer concentration influenced the rate of polymerization as rate of polymerization reduced from 1-hexene to 1-octene and increased when monomer concentration proliferate.

• 한국진공학회지
• /
• 제9권4호
• /
• pp.419-427
• /
• 2000

본 연구는 원자의 주변 환경에 따른 각각의 확산 속도를 구할 수 있는 기구를 제시하였다. STM 또는 HRLEED 등의 실험과 kinetic Monte Carlo(KMC) 시뮬레이션 계산과의 비교를 통하여 테라스 위 흡착 원자의 확산장벽, step 끝 부착 원자의 탈착 확산 장벽, 잘 알려진 Schwoebel 장벽을 포함한 각각의 확산 장벽을 구할 수 있었다. 팔-넓이, 군집 밀도, 거칠기 등이 시뮬레이션 계산과 실험 결과를 비교하는 데에 가장 적절한 원자단위의 구조변수들임을 확인하였고, 특히 아직 잘 사용되지 않은 구조 계수인 가지폭이 확산 장벽을 구별하여 구하는 데에 중요한 역할을 하는 것을 확인하였다.

• 한국공작기계학회논문집
• /
• 제18권2호
• /
• pp.187-193
• /
• 2009

Dynamic response of an elastic pendulum system under random excitations was studied by using the Lagrangian equations of motion which uses the kinetic and potential energy of a target system. The responses of random excitations were calculated by using Monte Carl simulation which uses the series of random numbers. The procedure of Monte Carlo simulation is generation of random numbers, system model, system output, and statistical management of output. When the levels of random excitations were changed, the expected responses of the pendulum system showed various responses.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
• /
• 대한전자공학회 2003년도 하계종합학술대회 논문집 II
• /
• pp.731-734
• /
• 2003

An atomistic process modeling, Kinetic Monte Carlo simulation, has the advantage of being both conceptually simple and extremely powerful. Instead of diffusion equations, it is based on the definitions of the interactions between individual atoms and defects. Those interactions can be derived either directly from molecular dynamics, first principles calculations, or from experiment. In this paper, as a simple illustration of the kinetic Monte Carlo we simulate defects (self-interstitials and vacancies) diffusion after ion implantation in Si crystalline.

• 한국진공학회지
• /
• 제21권2호
• /
• pp.86-92
• /
• 2012

기울어진 각도 증착(GLAD)에서 입사원자의 속력이 표면 지형에 미치는 영향 Molecular Dynamics와 결합한 Kinetic Monte Carlo 시뮬레이션을 통하여 증착원자의 속력이 증가함에 따라 거칠기가 줄어드는 완만한 표면이 형성되는 것을 확인하였다. GLAD 계산에서 증착원자 속력이 ${\upsilon}_0$에서 $10{\upsilon}_0$로 증가함에 따라 표면 지형을 대변하는 성장 지수 ${\beta}$값은 0.97에서 0.67로 감소하였다. 화학증기증착(CVD) 방법과 같은 증착 방법에 대해서도 증착원자의 속력 의존성을 고찰하였다. GLAD에 비해 지수 ${\beta}$값의 속력에 따른 차이는 적지만 CVD의 경우에도 증착원자의 속력이 표면 지형에 일정정도의 영향을 주는 것을 확인하였다.

• 한국산학기술학회논문지
• /
• 제8권4호
• /
• pp.743-747
• /
• 2007

반도체 소자 제작에 있어서 회로의 pattern 형성에 이용하는 차세대 lithography 공정 기술을 위해서 전자빔 lithography 공정 기술 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 Gauss 해석법과 Monte Carlo의 수치해석법을 사용하여 두께 100 nm의 PMMA (poly-methyl-methacrylate) resist에 전자 $1{\times}10^4$를 입사시키고, 입사 전자빔 에너지에 따른 PMMA 내에서의 투과 깊이를 비교하였다. 전자빔 에너지의 크기는 100eV, 300eV, 500eV, 700eV, 그리고 1000eV에 대하여 simulation을 실시하였다.

• 대한기계학회:학술대회논문집
• /
• 대한기계학회 2007년도 춘계학술대회B
• /
• pp.2165-2170
• /
• 2007

At nanoscales, the Boltzmann transport equation (BTE) can best describe the behavior of phonons which are energy carriers in crystalline materials. Through this study, the phonon transport in some micro/nanoscale problems was simulated with the Monte Carlo method which is a kind of the stochastic approach to the BTE. In the Monte Carlo method, the superparticles of which the number is the weighted value to the actual number of phonons are allowed to drift and be scattered by other ones based on the scattering probability. Accounting for the phonon dispersion relation and polarizations, we have confirmed the one-dimensional transient phonon transport in ballistic and diffusion limits, respectively. The thermal conductivity for GaAs was also calculated from the kinetic theory by using the proposed model. Besides, we simulated the electrostatic discharge event in the NMOS transistor as a two-dimensional problem by applying the Monte Carlo method.

• 전기학회논문지
• /
• 제61권12호
• /
• pp.1880-1885
• /
• 2012

Nonlinear dynamical behaviors in thermionic low pressure discharge are investigated using a particle-in-cell(PIC) simulation. An electrostatic PIC code is developed to model the plasma discharge system including the kinetic effects. The elastic collision, excitation collision, ionization collision, and electron-ion recombination collision are considered in this code. The generated electrons and ions are traced to analyze physical characteristics of the plasma. The simulation results show that the nonlinear oscillation structures are observed for cold plasma in the system and the similar structures are observed for warm plasma with a shift in values of the bifurcation parameter. The detailed oscillation process can be subdivided into three distinct mode; anode-glow, temperature-limited, and double-layer modes.

• Journal of Korean Vacuum Science & Technology
• /
• 제6권1호
• /
• pp.22-29
• /
• 2002

The process of energetic deposition has been simulated by using molecular dynamics (W) simulation and kinetic Monte Carlo (KMC) simulation. The atomistic mechanisms of film growth in energetic deposition are discussed.