• 한국콘텐츠학회논문지
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• 제8권11호
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• pp.235-241
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• 2008

두경부 종양에서 표적용적(target volume)을 하나의 조사야로 포함하지 못하는 경우는 조사야를 둘, 또는 그 이상으로 접합시켜 방사선치료를 시행한다. 방사선치료 시 두 조사야 경계면에서 균등한 선량을 부여하는 것이 매우 중요하다. 하지만 환자의 외형적인 인자나 전신 상태에 따라 피부 접합면( skin Junction area)의 불일치가 발생할 수 있으며 이로 인한 접합면에서의 과선량 또는 저선량 영역이 존재할 수 있다. 본 연구는 두경부 종양의 측면 조사면 끝단 차폐물(edge block)을 회전 가변형으로 제작하여 피부 접합면에 균등한 선량을 부여할 수 있는 치료 기술에 대하여 연구하였다. 모의치료에서 전방 상쇄골 하림프절(supraclavicle lymph node)의 중심선을 우측방 조사야 하단과 접합면으로 하여 회전 가변형 차 폐물을 이용하여 변형되는 거리와 회전각을 측정하였다. 연구 결과에서 원발병소와 상부 경부 림프절 우측방 조사야의 하단에서 회전 가변형 차폐물의 변형 거리는 Y축 중심선에 수직인 ${\pm}$10cm 거리에서 2mm 이내 였으며, 회전각은 평균적으로 약 1.28도의 회전 변형이 발생하였다. 하지만 조사면 끝단 차폐물을 회전 가변형으로 제작함으로서 기존에 발생하던 피부 접합면에서의 불일치를 최소화 할 수 있었다. 두경부 종양의 경우는 원발병소와 상, 하부 경부 임파절에 적절한 선량을 부여하기 위한 조사면 끝단 차폐물을 이용한 방법이 임상에서 적용할 수 있는 효율적인 방안이라 사료된다.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제53권6호
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• pp.300-304
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• 2004

We have proposed the junction termination design employing shallow trench filled with silicon dioxide and field limiting ring (FLR). We have designed trenches between P+ FLRs to decrease the junction termination radius without sacrificing the breakdown voltage characteristics. We have successfully fabricated and measured improved breakdown voltage characteristics of the Proposed device for 1200 V-class applications. The junction termination radius of the proposed device has decreased by 15%-21% compared with that of the conventional FLR at the identical breakdown voltage. The junction termination area of the proposed device has decreased by 37.5% compared with that of the conventional FLR. The breakdown voltage of the proposed device employing 7 trenches was 1156 V, which was 80% of the ideal parallel-plane .junction breakdown voltage.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제52권6호
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• pp.257-260
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• 2003

We have proposed the junction termination structure of IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) by employing trench and FLR (Field Limiting Ring), which decrease the junction termination area at the same breakdown voltage. Our proposed junction termination structure, trench FLR is verified by numerical simulator MEDICI. In 600V rated device, the junction termination area is decreased 20% compared with that of the conventional FLR structure. The breakdown voltage of trench FLR with 4 trenches is 768 V, 99 % of ideal parallel-plane junction(1-D) $BV_ceo$.

• 전기전자학회논문지
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• 제11권4호
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• pp.235-238
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• 2007

2차원 소자 시뮬레이터인 TMA 메디치를 이용하여 필드링와 깊은 접합 필드링에 대해 연구하였다. 이온 주입될 위치를 미리 트랜치 식각을 시킴으로써 항복전압 특성을 향상시킬 수 있었다. 시뮬레이션 결과 기존 필드링의 항복전압대비 깊은 접합 필드링 항복전압은 약 30%의 증가를 보였다. 깊은 접합 필드링은 같은 면적을 차지하는 조건하에서 설계 및 제작이 비교적 용이하고, 표면 전하의 영향도 적은 것으로 나타났다. 본 논문에서는 여러 분석을 통해 깊은 접합 필드링의 향상된 특성을 논하였다.

• ETRI Journal
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• 제37권5호
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• pp.951-960
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• 2015

For a conventional power metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET), there is a trade-off between specific on-state resistance and breakdown voltage. To overcome this trade-off, a super-junction trench MOSFET (TMOSFET) structure is suggested; within this structure, the ability to sense the temperature distribution of the TMOSFET is very important since heat is generated in the junction area, thus affecting its reliability. Generally, there are two types of temperature-sensing structures-diode and resistive. In this paper, a diode-type temperature-sensing structure for a TMOSFET is designed for a brushless direct current motor with on-resistance of $96m{\Omega}{\cdot}mm^2$. The temperature distribution for an ultra-low on-resistance power MOSFET has been analyzed for various bonding schemes. The multi-bonding and stripe bonding cases show a maximum temperature that is lower than that for the single-bonding case. It is shown that the metal resistance at the source area is non-negligible and should therefore be considered depending on the application for current driving capability.

• Journal of Radiation Protection and Research
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• 제36권3호
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• pp.168-173
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• 2011

본 연구는 조사통(electron cone)에 삽입되는 전자선 차폐물의 제작방법에 따른 X-선과 전자선의 인접 조사면의 선량분포 특성을 알아보고자 하였다. 차폐물의 제작은 전자선속 퍼짐현상을 고려한 차폐물(divergency block)과 고려하지 않은 차폐물(straight block)을 구분하여 제작하였다. 6 MV X-선과 10 MeV 전자선을 대상으로 표면에서 X-선과 전자선의 조사면을 인접시키고 측정 깊이 0, 1, 2, 3 cm에서 빔 측면도(beam profile)를 측정하였다. 측정 결과 인접 조사면의 선량분포는 straight block의 경우, 기준 투여선량의 5%를 초과하는 고선량 영역과 인접 조사면에서 급격한 선량분포를 형성하였으나 divergency block의 경우, 측방산란효과가 감소함으로서 고선량 영역이 현저하게 감소하였으며 인접 조사면에서 균일한 선량분포를 보였다. 따라서 전자선속 퍼짐을 고려한 경우 선량학적 이점을 제공하였고 이를 임상에 적용하기 위하여 전자선의 차폐물 제작방법에 따른 선량측정을 신중하게 고려해야 할 것이다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제11권6호
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• pp.271-274
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• 2010

We examined the tunneling current behaviors of magnetic tunneling junction (MTJ) cells utilizing conductive atomic force microscopy (AFM) interfaced with an external magnetic field generator. By introducing current through coils, a magnetic field was generated and then controlled by a current feedback circuit. This enabled the characterization of the tunneling current under various magnetic fields. The current-voltage (I-V) property was measured using a contact mode AFM with a metal coated conducting cantilever at a specific magnetic field intensity. The obtained magnetoresistance (MR) ratios of the MTJ cells were about 21% with no variation seen from the different sized MTJ cells; the value of resistance $\times$ area (RA) were 8.5 K-12.5 K $({\Omega}{\mu}m^2)$. Since scanning probe microscopy (SPM) performs an I-V behavior analysis of ultra small size without an extra electrode, we believe that this novel characterization method utilizing an SPM will give a great benefit in characterizing MTJ cells. This novel method gives us the possibility to measure the electrical properties of ultra small MTJ cells, namely below $0.1\;{\mu}m\;{\times}\;0.1\;{\mu}m$.

• ETRI Journal
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• 제19권4호
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• pp.402-413
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• 1997

A CMOS device which has an extended heavily-doped amorphous silicon source/drain layer on the field oxide and an amorphous silicon local interconnection (ASLI) layer in the self-aligned source/drain region has been studied. The ASLI layer has some important roles of the local interconnections from the extended source/drain to the bulk source/drain and the path of the dopant diffusion sources to the bulk. The junction depth and the area of the source/drain can be controlled easily by the ASLI layer thickness. The device in this paper not only has very small area of source/drain junctions, but has very shallow junction depths than those of the conventional CMOS device. An operating speed, however, is enhanced significantly compared with the conventional ones, because the junction capacitance of the source/drain is reduced remarkably due to the very small area of source/drain junctions. For a 71-stage unloaded CMOS ring oscillator, 128 ps/gate has been obtained at power supply voltage of 3.3V. Utilizing this proposed structure, a buried channel PMOS device for the deep submicron regime, known to be difficult to implement, can be fabricated easily.

• 한국자기학회지
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• 제12권2호
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• pp.68-72
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• 2002

본 연구에서는 터널링 자기저항 소자에서 절연층을 중심으로한 접합면의 정전 용량이 이를 메모리 소자로 사용하였을 때 접근시간에 미치는 영향을 알아보았다. 여기에서 얻어진 결과는 자장을 인가하지 않고 전기적 신호만을 입력하여 측정하였다. 이를 위해 시편에 1 MHz의 양극성 구형파를 인가하고 응답 파형을 오실로스코프로 관찰하여 시정수를 계산하였다. 그리고 각 cell의 접합면 면적에 따라 시정수를 비교하였다. 이렇게 측정된 시정수와 시편에서 각 부분의 전기적 저항 측정자료들을 기초로 전기 패드 리드 그리고 접합면과 같은 시편의 각 부위가 전기적 회로로 모델링 되었다. 그 결과 200$\mu\textrm{m}$$\times$200$\mu\textrm{m}$ cell에서 약 90 pF의 접합면 정전용량이 존재함을 유추할 수 있었다. 또한 모델링 결과와 실제 측정한 결과를 서로 비교하여 그 특성이 매우 유사함을 보였다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제21권1호
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• pp.62-70
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• 1984

비저항이 10Ω-cm, 두께가 13∼15mi1인 <111> oriented, p형 Si기판을 이용하여 N+PP+ BSF 전지와 에미터 영역이 N+N 고저 접합으로 이루어진 N+NPP+ HELEBSF(high low emitter bach surface field) 전지를 설계 제작하였다. 접합형 태양전지의 에미터 영역에서 고저 접합구조가 효율 개선에 미치는 영향을 검토하기 위해 HLEBSF 전지의 N영역을 제외하고는 같은 마스크와 동시 공정을 통해 N+PP-전지와 N+NPP+ 전지의 가영역에서 물리적 파라미터들(불순물 농도, 두께)을 동일하게 만들었다. 100mW/㎠의 인공조명에서 측정한 결과 N+PP+ 전지들의 전면적 (유효 수광면적) 평균 변환효율이 10.94%(12.16%)이었고, N+NPP+ 전지들의 평균 변환효율은 12.07% (13.41%)로 나타났다. N+NPP+ 전지의 효율개선은 N+N-고저 접합 에미터 구조가 N+ 에미터 영역에서 나타나는 heavy doping effects를 제거함으로써 에미터 재결합 전류의 증가를 억제하고 나아가 개방전압(Voc)과 단락전류(Ish)의 값을 증가시켜 준 결과로 볼 수 있다.