Nonvolatile semiconductor memory devices with reoxidized nitrided oxide(RONO) gate dielectric were fabricated, and nitrogen distribution and bonding species which contributing memory characteristics were analyzed. Also, memory characteristics of devices according to anneal temperatures were investigated. The devices were fabricated by 0.35$\mu\textrm{m}$ retrograde twin well CMOS processes. The processes could be simple by in-situ process of nitridation anneal and reoxidation. The nitrogen distribution and bonding state of gate dielectric were investigated by Dynamic Secondary Ion Mass Spectrometry(D-SIMS), Time-of-Flight Secondary ton Mass Spectrometry(ToF-SIMS), and X-ray Photoelectron Spectroscopy(XPS). Nitrogen concentrations are proportional to nitridation anneal temperatures and the more time was required to form the same reoxidized layer thickness. ToF-SIMS results show that SiON species are detected at the initial oxide interface and Si$_2$NO species near the new Si-SiO$_2$ interface that formed after reoxidation. As the anneal temperatures increased, the device showed worse retention and degradation properties. These could be said that nitrogen concentration near initial interface is limited to a certain quantity, so excess nitrogen are redistributed near the Si-SiO$_2$ interface and contributed to electron trap generation.
본 연구에서는 사용자가 편리하게 사용할 수 있는 대화식 선형변환 기법을 이용한 선형설계 프로그램을 개발하였다. 선형변환 기능은 기존의 선형 Variation 기능을 가진 선박 계산 Package의 CB, LCB변환 이외에 Deadrise 생성 및 제거, 중앙 횡단면 형상 변환, 선수미부 형상변환, 단면형상 특성 변환 등 다양한 기능을 가지고 있다. 프로그램 수행시 사용자의 편의와 대화식 입출력작업을 위해 X-Window를 근간으로 하는 OSF/Motif를 이용한 그래픽 사용자 인터페이스(Graphical User Interface: GUI)를 구현하였고, 2,3차원 그래픽 라이브러리인 X-PLOT과 GLBAX를 이용하여 변환결과를 가시화하였다. 또한 선박 기본계산 프로그램과 내항 및 조종 프로그램과의 접속을 위한 interface 모듈도 개발하였다.
본 논문에서는 사용자들이 탐색하고 싶은 공격의 진행경과, 공격의 연속성, 공격과 피해간의 연관관계, 차단 우선순위와 방어 대책 등의 문제들을 멀티 회전축과 방사축 구조를 갖는 시각화 인터페이스를 이용하여 해결하고자 한다. 이벤트의 발생 순서, 이벤트의 주체, 이벤트의 종류로 구조화된 멀티 회전축과 개별 이벤트 주체들의 진행경과를 나타내는 객관적 시간인 방사축을 기반으로 시계열 이벤트를 배치함으로써 보안이벤트를 효과적으로 감시 및 추적할 수 있게 한다. 제안하는 시각화 인터페이스는 전체 공격의 추이와 진행상황, 개별 공격들의 세부 내용과 연속성, 공격자와 피해자간의 연관관계 등을 종합적으로 제공하여 공격 차단 및 방어 대책이 적용가능한 실용적인 시각화 인터페이스이다.
Li2O-based cathodes utilizing oxide-peroxide conversion are innovative next-generation cathodes that have the potential to surpass the capacity of current commercial cathodes. However, these cathodes are exposed to severe cathode-electrolyte side reactions owing to the formation of highly reactive superoxides (Ox-, 1 ≤ x < 2) from O2- ions in the Li2O structure during charging. Succinonitrile (SN) has been used as a stabilizer at the cathode/electrolyte interface to mitigate cathode-electrolyte side reactions. SN forms a protective layer through decomposition during cycling, potentially reducing unwanted side reactions at the interface. In this study, a composite of Li2O and Ni-embedded reduced graphene oxide (LNGO) was used as the Li2O-based cathode. The addition of SN effectively thinned the interfacial layer formed during cycling. The presence of a N-derived layer resulting from the decomposition of SN was observed after cycling, potentially suppressing the formation of undesirable reaction products and the growth of the interfacial layer. The cell with the SN additive exhibited an enhanced electrochemical performance, including increased usable capacity and improved cyclic performance. The results confirm that incorporating the SN additive effectively stabilizes the cathode-electrolyte interface in Li2O-based cathodes.
차세대 IT 기술은 단일기술에 그치지 않고 융,복합적인 특성을 가지는 기술로 발전하고 있다. 정부는 시스템반도체 설계 분야에서 경쟁력 확보를 위한 5가지 핵심기술을 스마트 자동차 인포테인먼트 플랫폼, 스마트TV 멀티미디어 시스템, 스마트폰 아날로그 및 인터페이스 기술, 스마트 컨버전스 디지털 통신 및 RF 기술, 스마트제품용 고급 전력 관리 기술로 분류하고 이를 응용할 주력산업으로 스마트폰, 스마트TV, 스마트자동차, 스마트패드 등으로 지정하였다. 이러한 핵심요소기술들은 차세대 스마트제품의 경쟁력 확보에 필요한 반도체 설계의 핵심기술이 되며, 이는 팹리스 등의 기업으로 기술이전이 가능하다. 본 고에서는 그 중 스마트폰 시스템반도체를 위한 아날로그 및 인터페이스 기술이 현재 어느 위치에 와 있는지 파악하고, 기술 현황과 문제점에 대하여 분석한다.
비선형 스프링 모델과 섭동법을 기초로 비선형 균열면에 경사 입사된 초음파에 의해 발생되는 2차 고조파 초음파의 크기를 계산하였다. 비선형 균열계면에서 만들어지는 반사파와 굴절파의 기본주파수 성분과 2차 고조파 성분의 크기를 입사각과 균열계면의 계면강성을 변화키면서 조사하였다. 계면강성에 관계없이 균열계면이 초음파 진행 방향과 비슷한 경우 반사와 굴절파 모두에서 2차 고조파의 발생은 거의 없었지만, 그렇지 않은 경우에는 계면 입사각은 물론 계면 강성에 따라 2차 고조파의 크기는 크게 변화하였다. 투과파는 물론 반사파에서도 2차 고조파 성분이 유의성 있게 발생됨을 수치 해석을 통해 확인하였다.
두께가 3nm인 게이트 산화막을 사용한 n-MOSFET에 정전압 스트레스를 가하였을 때 관찰되는 SILC 및 soft breakdown 열화 및 이러한 열화가 소자 특성에 미치는 영향에 대해 실험하였다. 열화 현상은 인가되는 게이트 전압의 극성에 따라 그 특성이 다르게 나타났다. 게이트 전압이 (-)일 때 열화는 계면 및 산화막내 전하 결함에 의해 발생되었지만, 게이트 전압이 (+)일 때는 열화는 주로 계면 결함에 의해 발생되었다. 또한 이러한 결함의 생성은 Si-H 결합의 파괴에 의해 발생할 수 있다는 것을 중수소 열처리 및 추가 수소 열처리 실험으로부터 발견하였다. OFF 전류 및 여러 가지 MOSFET의 전기적 특성의 변화는 관찰된 결함 전하(charge-trapping)의 생성과 직접적인 관련이 있다. 그러므로 실험 결과들로부터 게이트 산화막으로 터널링되는 전자나 정공에 의한 Si 및 O의 결합 파괴가 게이트 산화막 열화의 원인이 된다고 판단된다. 이러한 물리적 해석은 기존의 Anode-Hole Injection 모델과 Hydrogen-Released 모델의 내용을 모두 포함하게 된다.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제12권6호
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pp.253-257
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2011
This study was carried out to solve problems such as radio frequency band depletion, confusion risk, and security loss in existing visible wireless communication systems, and to determine the applicability of next-generation networks. A light-emitting diode (LED) light communication system was implemented with a controlling switching light module using the ATmega16 micro-controller. To solve the existing modulation effect and disturbance in visible light communication, an integrated interface was evaluated with a driving light module and analyzes its reception property. A transmitter/receiver using the ATmel's micro-controller, high-intensity white LED-6 modules, and infrared sensor KSM60WLM and visible sensor TSL250RD were designed. An experiment from the initial value of distance to 2.5 m showed 0.46 V of the voltage loss, and if in long distance, external light interference occurred and light intensity was lost by external impact and thus data had to be modified or reset repeatedly. Additionally, when we used 6 modules through the remote controller's lighting dimming, data could be transmitted up to 1.76 m without any errors during the day and up to 2.29 m at night with around 2~3% communication error. If a special optical filter can reduce as much external light as possible in the integrated interface, the LED for lighting communication systems may be applied in next generation networks.
본 논문에서는 DirectShow 프로그래밍의 주요 개발 도구인 그래프 에디터에서 작성된 필터 연결 그래프로부터 C 소스 코드를 자동 생성하는 시스템에 대한 설명한다. 기존의 DirectShow 프로그래밍 환경에서는 그래프 에디터를 이용한 프로그램 설계 및 실행 확인 작업과 실제 프로그램 코드를 작성하는 프로그램 개발 작업이 별도로 이루어진다. 이에 반해, 본 시스템을 사용할 경우, 멀티미디어 응용 프로그램 개발자는 소스 코드를 직접 일일이 수정할 필요 없이, 그래프 에디터를 이용하여 필터 삽입 및 필터 연결을 통한 프로그램 설계 작업을 수행한 다음, GRF 파일로 저장하기만 하면, 원하는 C 소스 프로그램을 자동적으로 얻을 수 있기 때문에 보다 효과적이고 훨씬 신속한 DirectShow 프로그래밍이 가능하다. 더욱이 본 시스템은, 고정된 개수의 매우 제한된 미디어 제어 기능만을 소스 코드에 추가할 수 있는 기존의 시스템과는 달리, 시스템 사용자인 프로그램 개발자로 하여금 자신이 개발하고자 하는 응용 프로그램에 추가할 미디어 제어 기능을 보다 쉽고 다양하게 선택할 수 있도록 지원하기 때문에 보다 실용적인 도구로 활용될 수 있다.
대형 시스템은 각 컴포넌트가 여러 다른 개발자에 의하여 개발된다. 개발 과정에서 컴포넌트간의 인터페이스 관리의 효율성은 전체 개발 효율에 큰 영향을 미친다. 특히, 개발 초기 과정에서는 컴포넌트가 새롭게 정의되거나 변경되는 경우가 많다. 컴포넌트의 새로운 정의나 변경은 컴포넌트간의 인터페이스의 생성이나 변경을 필요로 한다. 이러한 인터페이스의 변경에 대한 관리가 효율적으로 이루어지지 않는 경우, 관련된 컴포넌트를 개발하는 서로 다를 개발자들이 서로 다른 인터페이스를 기반으로 개발을 진행하는 경우가 발생한다. 이는 개발의 효율이 저하되는 문제를 일으킨다. 이러한 문제를 해결하기 위하여 메시지 관리시스템은 메시지 기반의 인터페이스 관리를 위한 수단을 제공한다. 또한, 메시지에 대한 코드 생성을 통하여 구현의 편의성을 제공해 주며, 메시지 관리 시스템 내에 정의된 메시지 정보를 이용하여 인터페이스 설계 명세서(IDD)를 자동으로 생성해 준다. 문서 자동 생성은 메시지 변경으로 인한 실제 인터페이스와 문서와의 불일치를 방지한다. 또한, 메시지 관리 시스템은 전체 시스템의 각 컴포넌트 간 메시지를 관리함으로써 각 컴포넌트 간 메시지 흐름에 대한 종합적인 정보를 수집하는 것이 가능하다. 이러한 정보는 컴포넌트간 메시지 흐름의 병목 현상의 발생을 미리 방지하거나. 전체 시스템 성능의 조율을 지원하는데 응용할 수도 있다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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